]130:间隔元件160:反射层
[0056]150:粘胶层180:遮光层
[0057]170、170a:绝缘层190a:绝缘层
[0058]190:绝缘层204:重布线层
[0059]206:防焊层208:导电结构。
【具体实施方式】
[0060]以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些已知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示。
[0061]图1绘示根据本发明一实施方式的半导体结构100的剖面图。如图所示，半导体结构100包含晶片110、透光板120、间隔元件130与遮光层140。其中，晶片110具有影像感测器112、相对的第一表面114与第二表面116。影像感测器112位于晶片110的第一表面114上。透光板120设置于晶片110的第一表面114上，且透光板120覆盖影像感测器112。间隔元件130位于透光板120与晶片110的第一表面114之间，且间隔元件130围绕影像感测器112。遮光层140位于间隔元件130与影像感测器112之间的第一表面114上。此外，晶片110的第一表面114还可具有保护层111与焊垫113。间隔元件130可利用粘胶层150固定于晶片110的第一表面114上。
[0062]在本实施方式中，半导体结构100可以为影像感测装置，例如前照式或背照式的CMOS影像感测装置。晶片110的材质可以包含娃，例如为娃基板。晶片110可以为晶圆(wafer)尚未切割的一部分，也可以是晶圆切割后的其中一片，并不用以限制本发明。透光板120的材质可以包含玻璃、压克力或塑胶。粘胶层150的材质可以包含环氧树脂。遮光层140的材质可以包含黑色光阻，但并不以此为限，其他种类的深色吸光材料亦可作为遮光层140。此外，遮光层140亦可为抗红外线(Infrared Ray:IR)层。
[0063]由于遮光层140位于间隔元件130与影像感测器112之间的第一表面114上，因此遮光层140也围绕影像感测器112。这样的设计，当光线以非垂直透光板120的方向穿过透光板120至晶片110时，遮光层140可吸收噪声光线，使得噪声光线可被过滤，避免影像感测器112接收到噪声光线而产生鬼影影像。在本文中，噪声光线意指被透光板120与晶片110折射或反射的光线。如此一来，在后段制程中，由于鬼影影像已不会产生，技术人员将可通过调整参数(例如亮度、对比度)轻易改善影像感测器112接收到的影像状况，使得半导体结构100的良率得以提升。
[0064]应了解到，在以上叙述中，已叙述过的元件连接关系与材料将不再重复赘述，合先叙明。在以下叙述中，将说明其他型式的半导体结构及其制造方法。
[0065]图2绘示根据本发明一实施方式的半导体结构100a的剖面图。半导体结构100a包含晶片110、透光板120、间隔元件130与遮光层140。与图1实施方式不同的地方在于:遮光层140延伸至间隔元件130与晶片110的第一表面114之间。在本实施方式中，当光线以非垂直透光板120的方向穿过透光板120至晶片110时，遮光层140能吸收噪声光线，使得噪声光线可被过滤，避免影像感测器112接收到噪声光线而产生鬼影影像。
[0066]图3绘示根据本发明一实施方式的半导体结构100b的剖面图。如图所示，半导体结构100b包含晶片110、透光板120、间隔元件130与反射层160。其中，晶片110具有影像感测器112、相对的第一表面114与第二表面116。影像感测器112位于晶片110的第一表面114上。透光板120设置于晶片110的第一表面114上，且透光板120覆盖影像感测器112。间隔元件130位于透光板120与晶片110的第一表面114之间，且间隔元件130围绕影像感测器112。反射层160位于晶片110的第二表面116上，且反射层160的材质可以包含铝铜合金，可用来反射光线。此外，反射层160亦可为抗红外线层。影像感测器112于第二表面116的正投影与反射层160重叠。在本实施方式中，晶片110还具有贯穿第一表面114与第二表面116的通孔115。
[0067]由于反射层160位于晶片110的第二表面116上，且影像感测器112于第二表面116的正投影与反射层160重叠，因此当光线以非垂直透光板120的方向穿过透光板至晶片110时，反射层160可全反射噪声光线，可避免影像感测器112接收到噪声光线而产生鬼影影像。如此一来，在后段制程中，由于鬼影影像已不会产生，技术人员将可通过调整参数(例如亮度、对比度)轻易改善影像感测器112接收到的影像状况，使得半导体结构100b的良率得以提升。在本实施方式中，反射层160的面积可大于影像感测器112的面积，以具有较佳的反射效果。
[0068]图4绘示根据本发明一实施方式的半导体结构100c的剖面图。半导体结构100c包含晶片110、透光板120、间隔元件130与反射层160。与图3实施方式不同的地方在于:半导体结构100c还包含绝缘层170。绝缘层170覆盖反射层160与晶片110的第二表面116。也就是说，在制作半导体结构100c时，形成反射层160的制程是在形成绝缘层190的制程前。
[0069]在本实施方式中，绝缘层170的材质可以包含二氧化硅，可采化学气相沉积法(CVD)形成。
[0070]图5绘示根据本发明一实施方式的半导体结构100d的剖面图。如图所示，半导体结构100d包含晶片110、透光板120、间隔元件130与遮光层180。晶片110具有影像感测器112、相对的第一表面114与第二表面116。影像感测器112位于晶片110的第一表面114上。透光板120设置于晶片110的第一表面114上，且透光板120覆盖影像感测器112。间隔元件130位于透光板120与第一表面114之间，且间隔元件130围绕影像感测器112。遮光层180位于晶片110的第二表面116上，且影像感测器112于第二表面116的正投影与遮光层180重叠。
[0071]在本实施方式中，遮光层180的材质可以包含黑色光阻。又或者，遮光层180可以为抗红外线层。半导体结构100d还包含绝缘层190。绝缘层190覆盖晶片110的第二表面116，且绝缘层190位于第二表面116与遮光层180之间。也就是说，在制作半导体结构100d时，形成遮光层180的制程是在形成绝缘层190的制程后。
[0072]由于遮光层180位于晶片110的第二表面116上，且影像感测器112于第二表面116的正投影与遮光层180重叠，因此当光线以非垂直透光板120的方向穿过透光板120至晶片110时，遮光层180可吸收噪声光线，使得噪声光线可被过滤，避免影像感测器112接收到噪声光线而产生鬼影影像。如此一来，在后段制程中，由于鬼影影像已不会产生，技术人员将可通过调整参数(例如亮度、对比度)轻易改善影像感测器112接收到的影像状况，使得半导体结构100d的良率得以提升。在本实施方式中，遮光层180的面积可大于影像感测器112的面积，以具有较佳的吸光效果。
[0073]图6绘示根据本发明一实施方式的半导体结构100e