有机发光显示装置及其修复方法

文档序号:9617563阅读:139来源:国知局
有机发光显示装置及其修复方法
【专利说明】有机发光显示装置及其修复方法
[0001]根据35U.S.C.§ 119(a),本申请要求2014年8月21日提交的韩国专利申请N0.10-2014-0108982的优先权,为了所有目的,在此通过引用的方式将该专利申请的全部内容并入本文。
技术领域
[0002]本发明涉及一种有机发光显示装置及其修复方法,尤其涉及一种能修复缺陷像素的有机发光显示装置。
【背景技术】
[0003]有机发光显示装置是下述一种装置,该装置具有其中在注入电子的阴极与注入正空穴的阳极之间形成发光层的结构,该装置使用下述原理,其中当从阴极产生的电子与从阳极产生的正空穴注入到发光层时,注入的电子和正空穴结合以产生激子,且激子从激发态跃迀至基态而发光。
[0004]下文,将参照附图描述有机发光显示装置。
[0005]图1是构成现有技术的有机发光显示装置的像素的电路图。
[0006]如图1中所示,构成现有技术的有机发光显示装置的像素包括栅极线GL、数据线DL、高电位电源线VDD、参考线Ref、开关薄膜晶体管(TFT)T1、驱动TFT T2、感测TFT T3、电容器C和有机发光二极管0LED。
[0007]开关TFT T1根据通过栅极线GL提供的栅极信号导通,并将从数据线DL提供的数据电压提供给驱动TFT Τ20
[0008]驱动TFT T2利用从开关TFT T1提供的数据电压导通,并从由高电位电源线VDD提供的电力产生数据电流,以将数据电流提供给有机发光二极管0LED。
[0009]感测TFT T3用于感测导致图像质量劣化的驱动TFT T2的阈值电压偏差,在感测模式中进行阈值电压偏差的感测。感测TFT T3响应于通过栅极线GL提供的感测控制信号给参考线Ref提供驱动TFT T2的电流。
[0010]电容器C在一帧期间保持提供给驱动TFT T2的数据电压并与驱动TFTT2的栅极电极和源极电极连接。
[0011 ] 有机发光二极管0LED利用从驱动TFT T2提供的数据电流而发光。有机发光二极管0LED的阴极与低电位电源线VSS连接。
[0012]在现有技术的有机发光显示装置的像素中,由于各种原因会产生缺陷。例如,当线或电极断开时会产生暗点缺陷,从而因为像素不被驱动,所以总是显示黑色;当线或电极短路时会产生热点(hot spot)缺陷,从而总是显示白色。
[0013]因为由于暗点缺陷或热点缺陷使得显示图像的质量劣化,所以需要一种修复像素缺陷的方法。

【发明内容】

[0014]因此,本发明涉及一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的有机发光显示装置及其修复方法。
[0015]本发明的一个目的是提供一种能修复缺陷像素的有机发光显示装置。
[0016]在下面的描述中将部分列出本发明的其它优点、目的和特征,这些优点、目的和特征的一部分在研究下面的描述之后对于本领域技术人员来说将是显而易见的,或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
[0017]为了实现这些目的和其他优点并根据本发明的目的,提供了一种有机发光显示(0LED)装置,包括:第一像素,所述第一像素包括:包括源极电极的第一薄膜晶体管(TFT)、第二 TFT和包括顶部栅极电极的第三TFT ;包括0LED的第二像素,所述0LED包括第一电极;修复线,所述修复线在所述第二像素的0LED的所述第一电极、所述第一像素的第一 TFT的所述源极电极以及所述第一像素的第三TFT的所述顶部栅极电极上方延伸;和绝缘层,所述绝缘层至少位于所述第一像素的第三TFT的一部分顶部栅极电极与一部分修复线之间。
[0018]在另一个方面中,提供了一种修复有机发光显示(0LED)装置的方法,所述0LED装置包括:第一像素,所述第一像素包括:包括源极电极的第一薄膜晶体管(TFT)、第二TFT和包括顶部栅极电极的第三TFT ;包括0LED的第二像素,所述0LED包括第一电极;修复线,所述修复线在所述第二像素的0LED的所述第一电极、所述第一像素的第一 TFT的所述源极电极以及所述第一像素的第三TFT的所述顶部栅极电极上方延伸;和绝缘层,所述绝缘层至少位于所述第一像素的第三TFT的一部分顶部栅极电极与一部分修复线之间,所述方法包括:如果所述第一像素有缺陷,则在所述绝缘层中形成孔,从而所述修复线通过所述孔与所述第一像素的第一 TFT的所述源极电极直接物理连接,其中通过贯穿所述绝缘层照射激光束形成所述孔。
[0019]在另一个方面中,提供了一种制造有机发光显示(0LED)装置的方法,所述方法包括:提供第一像素,包括:提供包括源极电极的第一薄膜晶体管(TFT)、提供第二 TFT和提供包括顶部栅极电极的第三TFT ;提供第二像素,所述第二像素包括0LED和滤色器层,所述0LED包括第一电极;提供修复线,所述修复线在所述第二像素的0LED的所述第一电极、所述第一像素的第一 TFT的所述源极电极以及所述第一像素的第三TFT的所述顶部栅极电极上方延伸;和至少在所述第一像素的第三TFT的一部分顶部栅极电极与一部分修复线之间提供绝缘层,其中在同一掩模操作中形成所述绝缘层和所述滤色器层。
[0020]根据下面附图和详细描述的解释,其他系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员来说将是或将变得显而易见。所有这些额外的系统、方法、特征和优点意在包含在该描述中,在本发明的范围内并由下面的权利要求保护。该部分不应解释为对权利要求的限制。下面结合实施方式讨论进一步的方面和优点。本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是典型性的和解释性的,意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
【附图说明】
[0021]给本发明提供进一步理解并并入本申请组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式,并与说明书一起用于解释本发明的原理。
[0022]图1是构成现有技术的有机发光显示装置的像素的电路图。
[0023]图2是根据实施方式的有机发光显示装置的电路图。
[0024]图3是图解根据实施方式的两个像素的平面图。
[0025]图4是图解根据实施方式的开关TFT区域和驱动TFT区域的平面图。
[0026]图5是沿图4的线A-B的剖面图。
[0027]图6是根据实施方式的感测TFT区域的平面图。
[0028]图7是沿图6的线C-D的剖面图。
[0029]在整个附图和详细描述中,除非另有说明,否则相同的附图参考标记应当理解为指代相同的元件、特征和结构。为了清楚、图示和方便起见,放大了这些元件的相对尺寸和描述。
【具体实施方式】
[0030]现在将详细描述本发明的实施方式,附图中图解了这些实施方式的一些例子。在下面的描述中,当确定与本发明相关的公知功能或构造的详细描述会不必要地使本发明的主题变得模糊时,将省略其详细描述。所描述的处理步骤和/或操作的进行过程是一个例子,然而步骤和/或操作的顺序并不限于所列出的那些,除了必须以特定顺序发生的步骤和/或操作之外,可以以如本领域公知的那样改变步骤和/或操作的顺序。相同的参考标记始终表示相同的元件。仅为了方便撰写说明书而选择了下面描述中使用的各个元件的名称,因而可能与实际产品中使用的名称不同。
[0031]在实施方式的描述中,当描述一结构设置在另一结构“上或上方”或者“下或下方”时,该描述应当解释为包括其中所述结构彼此接触的情形以及其中在所述结构之间设置有第三结构的情形。
[0032]下文,将参照附图描述实施方式。
[0033]图2是根据实施方式的有机发光显示装置的电路图。图2图解了可包括分别布置在第一到第四列上的四个像素的单位像素,所述单位像素可设置于第一行和第二行每一个上。第一行像素可相对于第一感测控制线SCL1设置在第二行像素上方。
[0034]如图2的例子中所示,根据实施方式的有机发光显示装置可包括基板100、第一和第二栅极线GL1和GL2、第一和第二感测控制线SCL1和SCL2、第一到第四数据线DL1到DL4、第一和第二高电位电源线VDD1和VDD2、参考线Ref、开关TFT T1、驱动TFT T2、感测TFT T3、电容器C、有机发光二极管0LED和修复线210。
[0035]可在第一高电位电源线VDD1与第一数据线DL1之间形成第一列像素,可在第二数据线DL2与参考线Ref之间形成第二列像素,可在参考线Ref与第三数据线DL3之间形成第三例像素,并可在第四数据线DL4与第二高电位电源线VDD2之间形成第四列像素。此外,分别布置在第一到第四列上的多个像素可包括第一行像素和第二行像素,第一行像素可包括第一栅极线GL1、第一感测控制线SCL1和有机发光二极管0LED ;第二行像素可包括第二栅极线GL2、第二感测控制线SCL2和有机发光二极管0LED。根据实施方式,如上所述,可通过使用两条高电位电源线VDD1和VDD2以及参考线Ref提供分别布置在第
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