包括顶部栅极电极，因而可具有双栅极结构。下面将作为一个例子描述该结构。
[0058]如上所述，第二栅极电极G2可通过接触孔CH1与开关TFT T1的第一漏极电极D1连接。第二漏极电极D2可以以从第一高电位电源线VDD1分支的结构形成。第二源极电极S2可与第二漏极电极D2相对。第二源极电极S2可用作感测TFT T3的(下面所述的)第三源极电极S3。此外，第二源极电极S2可通过第二接触孔CH2与有机发光二极管0LED的第一电极200连接。尽管图3例子中未示出，但可在驱动TFT T2中进一步形成有源层(例如图5例子中的有源层120)。有源层可与第二源极电极S2和第二漏极电极D2连接并可用作电子移动沟道。
[0059]形成在第一像素P1中的感测TFT T3可包括第三栅极电极G3、第三源极电极S3和第三漏极电极D3。感测TFT T3可进一步包括顶部栅极电极，因而可具有双栅极结构。下面将作为一个例子描述该结构。
[0060]第三栅极电极G3可以是第一感测控制线SCL1的一部分，但实施方式并不限于此。第一感测控制线SCL1可具有成为第三栅极电极G3的分支结构。如上所述，第三源极电极S3可以是与驱动TFT T2的第二源极电极S2相同的结构，例如第三源极电极S3可以是S2的分支。第三漏极电极D3可与第三源极电极S3相对并可通过第三接触孔CH3与参考连接线C_Ref连接。参考连接线C_Ref可沿第一方向布置并与参考线(例如图2例子的Ref)连接。因此，第三漏极电极D3可通过参考连接线C_Ref与参考线(例如图2例子的Ref)连接。尽管图3例子中未示出，但可在感测TFT T3中进一步形成有源层(例如图5例子中的有源层120)。有源层可与第三源极电极S3和第三漏极电极D3连接并可用作电子移动沟道。如上所述，有机发光二极管0LED的第一电极200可通过接触孔CH2与驱动TFT T2的第二源极电极S2连接。
[0061]电源连接线C_VDD可将第一高电位电源线VDD1连接到相邻像素的驱动TFT的漏极电极。因此，电源连接线C_VDD的一端可通过第四接触孔CH4与第一高电位电源线VDD1连接，电源连接线C_VDD的另一端可通过单独的接触孔与相邻像素的驱动TFT的漏极电极连接。
[0062]可在第二像素P2中形成开关TFT T1、驱动TFT T2、感测TFT T3和有机发光二极管0LED的第一电极200。这些元件的构造基本与上述第一像素P1类似，因而不再重复其描述。
[0063]修复线210可与形成在第二像素P2中的有机发光二极管0LED的第一电极200连接。修复线210可与第二像素P2的第一电极200形成为一体。就是说，修复线210可由与第二像素P2的第一电极200相同的材料形成在同一层上。在该情形中，可不另外执行形成修复线210的单独工艺。应当理解实施方式并不限于该结构和工艺。例如，可由不同的材料和/或在单独的工艺中形成修复线210。
[0064]修复线210可与第一感测控制线SCL1交叉并延伸至第一像素P1的驱动TFT T2。例如，修复线210可与第一像素P1中包含的驱动TFT T2的源极电极S2重叠。因此，如上所述，当确定第一像素P1有缺陷时，修复线210可与第一像素P1中包含的驱动TFT T2的源极电极S2电连接。如此，第二像素P2中包含的有机发光二极管0LED的第一电极200可与第一像素P1中包含的驱动TFT T2的源极电极S2电连接。
[0065]因此，当驱动第二像素P2时，因为驱动TFT T2由于其源极电极S2被绕过而成为有效的，所以第一像素P1可与第二像素P2—起被驱动。换句话说，当在第一像素P1中有缺陷时，施加给第二像素P2的有机发光二极管0LED的电压也将被直接施加给第一像素P1的有机发光二极管0LED。因此，可避开TFT Tl、T2、T3任何一个中或除有机发光二极管0LED自身之外的任何其他部件中的缺陷。
[0066]图4是图解根据实施方式的开关TFT区域和驱动TFT区域的平面图。图4图解了其中图3的上述像素Pl、P2的开关TFT和驱动TFT以双栅极结构形成的示例性结构。因此，相同的参考标记指代相同的元件，下文将描述不同的元件。
[0067]如图4例子中所不，开关TFT T1可包括第一栅极电极G1、第一源极电极S1、第一漏极电极D1和第一顶部栅极电极TG1。第一顶部栅极电极TG1可通过第五接触孔CH5与第一栅极线GL1连接。因此，通过第一栅极线GL1提供的栅极信号可同时施加给(用作底部栅极的)第一栅极电极G1和(用作顶部栅极的)第一顶部栅极电极TG1。因而，可提高开关TFT T1的响应时间。
[0068]此外，驱动TFT T2可包括第二栅极电极G2、第二源极电极S2、第二漏极电极D2和第二顶部栅极电极TG2。第二顶部栅极电极TG2可通过第六接触孔CH6与第二栅极线GL2连接。因此，通过开关TFT T1的第一漏极电极D1提供的栅极信号可同时施加给(用作底部栅极的)第二栅极电极G2和(用作顶部栅极的)第二顶部栅极电极TG2。因而，可提高驱动TFT T2的响应时间。
[0069]图5是沿图4的线A-B截取的剖面图。下文，将描述根据实施方式的驱动TFT T2区域和有机发光二极管0LED区域的剖面结构。
[0070]如图5的例子中所示，可在基板100上形成第二栅极电极G2，并可在第二栅极电极G2上形成栅极绝缘层110。可在栅极绝缘层110上形成有源层120，并且可在有源层120上形成蚀刻阻止层130。
[0071]可在蚀刻阻止层130上形成第二源极电极S2和第二漏极电极D2。第二源极电极S2和第二漏极电极D2可通过蚀刻阻止层130中包含的接触孔与有源层120连接。可省略蚀刻阻止层130。可在第二源极电极S2和第二漏极电极D2上形成钝化层140。
[0072]可在钝化层140上形成第二顶部栅极电极TG2、有机发光二极管0LED的第一电极200和修复线210。第二顶部栅极电极TG2、有机发光二极管0LED的第一电极200和修复线210可彼此分离开预定距离，以防止之间发生短路。
[0073]有机发光二极管0LED的第一电极200和修复线210可由相同材料(尽管本发明并不限于此)形成。例如，有机发光二极管0LED的第一电极200和修复线210可由诸如氧化铟锡(ΙΤ0)这样的透明导电材料形成。此外，第二顶部栅极电极TG2可由与第一电极200和修复线210不同的材料形成(尽管实施方式并不限于此)。例如，第二顶部栅极电极TG2可由具有良好导电性的不透明金属形成。
[0074]第一电极200可通过钝化层140中包含的第二接触孔CH2与第二源极电极S2连接。尽管未示出，但可在第一电极200上形成发射预定波长光的有机发光层，并在有机发光层上形成第二电极。在其中在各个像素中另外包括红色(R)滤色器、绿色(G)滤色器和蓝色⑶滤色器的情形中，有机发光层可发射白色(W)光。因此，如图所示，可在有机发光二极管0LED区域中，例如在第一电极200下方形成滤色器层150。在一个例子中，滤色器层150可形成在发光的有机发光二极管0LED区域中而不形成在驱动TFT T2区域中。就是说，滤色器层150可不与驱动TFT T2的第二顶部栅极电极TG2和第二源极电极S2重叠。
[0075]修复线210可形成为与第二源极电极S2重叠，且在修复线210与第二源极电极S2之间具有钝化层140。就是说，修复线210的底部和第二源极电极S2的顶部可形成为与由例如无机绝缘体形成的钝化层140接触。因此，可通过照射激光束打破钝化层140。因而，修复线210可与第二源极电极S2电连接。
[0076]在现有技术的有机发光显示装置中，在钝化层140与有机发光二极管0LED的第一电极200之间另外形成由有机材料形成的平坦化层。就是说，在现有技术中，在由无机材料形成的钝化层140上形成由有机材料形成的平坦化层。然而，当在钝化层，例如钝化层140上另外形成平坦化层时，很难通过照射激光束将修复线210与第二源极电极S2电连接。因此，在实施方式中，可在钝化层140上不形成平坦化层，因而可更容易将修复线210与第二源极电极S2电连接。
[0077]图6是根据实施方式的感测TFT区域的平面图。图6图解了其中上述图3的像素的感测TFT以双栅极结构形成的结构。因此，相同的参考标记指代相同的元件，下文将描述不同的元件。
[0078]如图6的例子中所示，感测TFT T3可包括第三栅极电极G3、第三源极电极S3、第三漏极电极D3和第三顶部栅极电极TG3。第三顶部栅极电极TG3可通过第七接触孔CH7与第一感测控制线SCL1连接。因此，通过第一感测控制线SCL1提供的栅极信号可同时施加给(用作底部栅极的)第三栅极电极G3和(用作顶部栅极的)第三顶部栅极电极TG3。因而，可提高感测TFT T3的响应时间。
[0079]第三顶部栅极电极TG3的一端可通过第七接触孔CH7与第一感测控制线SCL1连接，第三顶部栅极电极TG3的另一端延伸至感测TFT Τ30因此，第三顶部栅极电极TG3与修复线210交叉。就是说，第三顶部栅极电极TG3可在预定区域中与修复线