210重叠，因而可进一步包括用于将第三顶部栅极电极TG3与修复线210电绝缘的绝缘层。这将在下面参照图7进行描述，图7图解了感测TFT T3的详细剖面结构。
[0080]图7是沿图6的线C-D截取的剖面图。下文，将详细描述根据实施方式的感测TFTT3的剖面结构。因此，相同的参考标记指代相同的元件，下文将描述不同的元件。
[0081]如图7的例子中所示，可在基板100上形成第一感测控制线SCL1。一部分第一感测控制线SCL1，例如与用于感测TFT T3的有源层120重叠的一部分第一感测控制线SCL1可以是用作底部栅极的第三栅极电极G3。
[0082]可在第一感测控制线SCL1上形成用于感测TFT T3的栅极绝缘层110，并可在栅极绝缘层110上形成有源层120。可在有源层120上形成用于感测TFT T3的蚀刻阻止层130。可省略蚀刻阻止层130。
[0083]可在蚀刻阻止层130上形成连接电极135、第三源极电极S3和第三漏极电极D3。
[0084]连接电极135可通过栅极绝缘层110和蚀刻阻止层130中包含的接触孔与第一感测控制线SCL1连接。连接电极135可由与第三源极电极S3和第三漏极电极D3相同的材料同时形成在同一层上，尽管实施方式并不限于此。第三源极电极S3和第三漏极电极D3可通过蚀刻阻止层130中包含的接触孔与有源层120连接。
[0085]可在连接电极135、第三源极电极S3和第三漏极电极D3上形成用于感测TFT T3的钝化层140 (其可与图5例子中的钝化层140相同)。可在钝化层140上形成第三顶部栅极电极TG3。
[0086]第三顶部栅极电极TG3的一端可通过形成在钝化层140中的接触孔与连接电极135连接，且第三顶部栅极电极TG3的另一端可与第三栅极电极G3和有源层120重叠。因此，第三顶部栅极电极TG3的一端可通过连接电极135与第一感测控制线SCL1连接。由于这种结构，可对第三栅极电极G3和第三顶部栅极电极TG3施加同一感测控制信号，由此形成双栅极结构。
[0087]可在第三顶部栅极电极TG3上形成用于感测TFT T3的滤色器层150 (其可与图5例子中的滤色器层150相同)，并可在滤色器层150上形成修复线210。滤色器层150可形成用来将第三顶部栅极电极TG3与修复线210绝缘。因此，滤色器层150可仅形成在修复线210与第三顶部栅极电极TG3之间。就是说，滤色器层150可仅形成在与修复线210重叠的区域中。然而，考虑到工艺裕度，如图所示，滤色器层150可形成在整个感测TFT T3区域上。
[0088]再次参照图5，因为修复线210和第二顶部栅极电极TG2可在驱动TFTT2区域中分别形成在分离的位置处从而不重叠，所以修复线210可不与第二顶部栅极电极TG2绝缘。因而，在驱动TFT T2上方的区域中可不形成滤色器层150。换句话说，可从图5例子中所示的部分省略滤色器层150。
[0089]另一方面，因为在感测TFT T3区域中修复线210和第三顶部栅极电极TG3彼此重叠，所以修复线210与第三顶部栅极电极TG3绝缘，因而可在感测TFT T3区域中形成滤色器层150。换句话说，在图7例子中所示的部分中包括滤色器层150。
[0090]形成在感测TFT T3区域中的滤色器层150可包括包含与形成在图5的有机发光二极管0LED区域中的滤色器层150相同颜色的滤色器，但本实施方式并不限于此。
[0091]根据实施方式，通过使用(形成在有机发光二极管0LED区域中的)滤色器层150作为将第三顶部栅极电极TG3与修复线210绝缘的滤色器层150，可不用单独执行提供绝缘的额外工艺就可将第三顶部栅极电极TG3与修复线210绝缘。然而，实施方式并不限于此。例如，可通过使用其他绝缘体将第三顶部栅极电极TG3与修复线210绝缘。
[0092]在实施方式中，作为一个例子解释了感测TFT T3区域为其中第三顶部栅极电极TG3与修复线210绝缘的区域。然而，根据情况，当除感测TFT T3之外的其他TFT包括顶部栅极电极且顶部栅极电极与修复线210重叠时，可在顶部栅极电极与修复线210之间形成滤色器层作为绝缘体。
[0093]根据实施方式，可形成与第二像素的第一电极连接并延伸至第一像素的源极电极的修复线。因而，当确定第一像素有缺陷时，通过将修复线与源极电极电连接可与第二像素同时驱动第一像素。
[0094]例如，根据实施方式，可在与修复线重叠的区域中形成具有双栅极结构的TFT，并在修复线与顶部栅极电极之间形成绝缘层。因此，可防止在修复线与顶部栅极电极之间产生短路，并可提高TFT的响应时间。
[0095]在不脱离本发明的精神或范围的情况下，本发明可进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求范围及其等同范围内的本发明的修改和变化。
【主权项】
1.一种有机发光显示(OLED)装置，包括: 第一像素，所述第一像素包括:包括源极电极的第一薄膜晶体管(TFT)、第二 TFT和包括顶部栅极电极的第三TFT ; 包括OLED的第二像素，所述OLED包括第一电极； 修复线，所述修复线在所述第二像素的OLED的所述第一电极、所述第一像素的第一TFT的所述源极电极以及所述第一像素的所述第三TFT的所述顶部栅极电极上方延伸；和 绝缘层，所述绝缘层至少位于所述第一像素的所述第三TFT的一部分所述顶部栅极电极与一部分所述修复线之间。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述绝缘层包括滤色器层。3.根据权利要求2所述的装置，其中所述滤色器层不与所述第一像素的所述第一TFT的所述源极电极重叠。4.根据权利要求1所述的装置，其中如果所述第一像素有缺陷，则所述修复线经由通过贯穿所述绝缘层照射激光束而形成的孔与所述第一像素的第一 TFT的所述源极电极直接物理连接。5.根据权利要求1所述的装置，如果第一像素没有缺陷，则所述修复线通过所述绝缘层与所述第一像素的第一 TFT的所述源极电极完全绝缘。6.一种修复有机发光显示(OLED)装置的方法，所述OLED装置包括:第一像素，所述第一像素包括:包括源极电极的第一薄膜晶体管(TFT)、第二 TFT和包括顶部栅极电极的第三TFT ;包括OLED的第二像素，所述OLED包括第一电极；修复线，所述修复线在所述第二像素的OLED的所述第一电极、所述第一像素的第一 TFT的所述源极电极以及所述第一像素的第三TFT的所述顶部栅极电极上方延伸；和绝缘层，所述绝缘层至少位于所述第一像素的第三TFT的一部分顶部栅极电极与一部分修复线之间，所述方法包括: 其中如果所述第一像素有缺陷，则在所述绝缘层中形成孔，从而所述修复线通过所述孔与所述第一像素的第一 TFT的所述源极电极直接物理连接， 其中通过贯穿所述绝缘层照射激光束形成所述孔。7.—种制造有机发光显示(OLED)装置的方法，所述方法包括: 提供第一像素，包括:提供包括源极电极的第一薄膜晶体管(TFT)、提供第二 TFT和提供包括顶部栅极电极的第三TFT ; 提供第二像素，所述第二像素包括OLED和滤色器层，所述OLED包括第一电极； 提供修复线，所述修复线在所述第二像素的OLED的所述第一电极、所述第一像素的第一 TFT的所述源极电极以及所述第一像素的第三TFT的所述顶部栅极电极上方延伸；和 至少在一部分所述顶部栅极电极与一部分所述修复线之间提供绝缘层，其中在同一掩模操作中形成所述绝缘层和所述滤色器层。8.根据权利要求7所述的方法，其中提供所述绝缘层包括提供所述滤色器层。9.根据权利要求7所述的方法，其中所述滤色器层不与所述第一像素的第一TFT的所述源极电极重叠。10.根据权利要求7所述的方法，其中如果所述第一像素有缺陷，则所述修复线经由通过贯穿所述绝缘层照射激光束而形成的孔与所述第一像素的第一 TFT的所述源极电极直接物理连接。11.根据权利要求7所述的方法，如果第一像素没有缺陷，则所述修复线通过所述绝缘层与所述第一像素的第一 TFT的所述源极电极完全绝缘。
【专利摘要】提供了一种有机发光显示(OLED)装置及其修复方法。所述OLED装置包括：第一像素，所述第一像素包括：包括源极电极的第一薄膜晶体管(TFT)、第二TFT和包括顶部栅极电极的第三TFT；包括OLED的第二像素，所述OLED包括第一电极；修复线，所述修复线在所述第二像素的OLED的所述第一电极、所述第一像素的第一TFT的所述源极电极以及所述第一像素的第三TFT的所述顶部栅极电极上方延伸；和绝缘层，所述绝缘层至少位于所述第一像素的第三TFT的一部分顶部栅极电极与一部分修复线之间。
【IPC分类】H01L51/52, H01L27/32, H01L51/56
【公开号】CN105374843
【申请号】CN201410768398
【发明人】李玹行, 崔秀銾
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2014年12月12日
【公告号】EP2988292A1, US9147723