一到第四列上的四个像素，因而可减小线的总数。就是说，因为一般使用一条电源线、一条参考线、一条数据线、一条栅极线和一条感测控制线形成现有技术的一个像素，所以按照现有技术每条线要被四倍地使用来形成四个像素。然而，根据实施方式，使用两条电源线、一条参考线、四条数据线、四条栅极线和四条感测控制线形成四个像素，因而减小了电源线的总数和参考线的总数。
[0036]在多个像素每一个中可包括开关TFT T1、驱动TFT T2、感测TFT T3、电容器C和有机发光二极管0LED。单位像素可包括四个像素，该四个像素可包括发射红色(R)光的像素、发射白色(W)光的像素、发射蓝色⑶光的像素和发射蓝色(G)光的像素，但实施方式并不限于此。现在将详细描述每个像素的示例性构造。
[0037]基板100可由玻璃或透明塑料形成，但实施方式并不限于此。第一栅极线GL1和第二栅极线GL2可在基板100上沿第一方向(例如宽度或水平方向)布置。第一栅极线GL1和第二栅极线GL2可与每个像素中包含的开关TFT T1连接。
[0038]第一感测控制线SCL1和第二感测控制线SCL2可在基板100上沿第一方向(例如宽度或水平方向)布置。第一感测控制线SCL1可布置在第一栅极线GL1与第二栅极线GL2之间。第二感测控制线SCL2可布置在第二栅极线GL2与第三栅极线(未示出)之间。第一感测控制线SCL1和第二感测控制线SCL2可与每个像素中包含的感测TFT T3连接。
[0039]第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4可在基板100上沿第二方向(例如高度或垂直方向)布置。第一数据线DL1和第二数据线DL2可彼此相邻布置，因而可在第二方向上在第一数据线DL1与第二数据线DL2之间没有形成其他线。第三数据线DL3和第四数据线DL4可彼此相邻布置，因而可在第二方向上在第三数据线DL3与第四数据线DL4之间没有形成其他线。
[0040]第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4可与每个像素中包含的开关TFT T1连接。
[0041]第一高电位电源线VDD1和第二高电位电源线VDD2可在基板100上沿第二方向(例如高度或垂直方向)布置。第一到第四数据线DL1到DL4和参考线Ref可布置在第一高电位电源线VDD1与第二高电位电源线VDD2之间。尽管未示出，但在第一高电位电源线VDD1的左侧和第二高电位电源线VDD2的右侧可分别布置相邻像素的数据线。
[0042]第一高电位电源线VDD1可与第一列像素和第二列像素每一个中包含的驱动TFTT2连接。第一高电位电源线VDD1可与第一列像素相邻设置，因而可很容易与第一列像素中包含的驱动TFT T2连接。然而，因为第一高电位电源线VDD1可不与第二列像素相邻设置，所以可能很难将第一高电位电源线VDD1连接到第二列像素中包含的驱动TFT T2，由于该原因，第一高电位电源线VDD1可通过单独的电源连接线与(第二列像素中包含的)驱动TFTT2连接。
[0043]第二高电位电源线VDD2可与第三列像素和第四列像素每一个中包含的驱动TFTT2连接。第二高电位电源线VDD2可与第四列像素相邻设置，因而可容易与第四列像素中包含的驱动TFT T2连接。然而，因为第二高电位电源线VDD2可不与第三列像素相邻设置，所以可能很难将第二高电位电源线VDD2连接到第三列像素中包含的驱动TFT T2，由于这个原因，第二高电位电源线VDD2可通过单独的电源连接线与(第三列像素中包含的)驱动TFTT2连接。
[0044]参考线Ref可在基板100上沿第二方向(例如高度或垂直方向)布置。参考线Ref可布置在第二数据线DL2与第三数据线DL3之间。参考线Ref可与第一到第四列像素每一个中包含的感测TFT T3连接。参考线Ref可与第二列像素和第三列像素相邻设置，因而可容易与第二列像素和第三列像素每一个中包含的感测TFT T3连接。然而，因为参考线Ref不与第一列像素和第四列像素相邻设置，所以可能很难将参考线Ref连接到第一列像素和第四列像素中包含的感测TFT T3。至少由于该原因，参考线Ref可通过单独的参考连接线与(第一列像素和第四列像素中包含的)感测TFT T3连接。
[0045]开关TFT T1可根据通过栅极线GL1到GL2提供的栅极信号导通，并可将(从数据线DL1到DL4之中的相应数据线提供的)数据电压提供给驱动TFT T2。驱动TFT T2可利用从开关TFT T1提供的数据电压导通，并可从由适当的高电位电源线VDD1或VDD2提供的电力产生数据电流，以将数据电流提供给有机发光二极管0LED。
[0046]感测TFT T3可感测会导致图像质量劣化的驱动TFT T2的阈值电压偏差，并且可在感测模式中进行阈值电压偏差的感测。感测TFT T3可响应于通过适当的感测控制线SCL1或SCL2提供的感测控制信号给参考线Ref提供驱动TFT T2的电流。电容器C可在一帧期间保持提供给驱动TFT T2的数据电压，且电容器C可在一端与驱动TFT T2的栅极电极连接并在另一端与节点N连接，也即与驱动TFT T2的源极电极连接。
[0047]有机发光二极管0LED可利用从驱动TFT T2提供的数据电流而发光。有机发光二极管0LED可包括第一电极、发光层和第二电极。第一电极可与驱动TFT T2的源极电极连接，第二电极可与低电位电源线VSS连接。第一电极可用作阳极，第二电极可用作阴极。
[0048]修复线210可从(第二行像素中包含的)有机发光二极管0LED延伸至第一行像素中包含的驱动TFT T2o例如，修复线210的一端可与第二行像素中包含的有机发光二极管0LED的第一电极连接，修复线210的另一端可延伸至第一行像素中包含的驱动TFT T2的源极电极。就是说，修复线210的另一端可与驱动TFT T2的源极电极重叠，并且可在修复线210的另一端与驱动TFT T2的源极电极之间形成无机绝缘体的钝化层。
[0049]因此，例如，当确定第一行像素有缺陷时，可通过激光束打破修复线210的另一端与驱动TFT T2的源极电极之间的钝化层，因而修复线210的另一端可与驱动TFT T2的源极电极电连接。因此，(第二行像素中包含的)有机发光二极管0LED的第一电极可通过修复线210与(第一行像素中包含的)驱动TFT T2的源极电极电连接。因而，当驱动第二行像素时，第一行像素可与第二行像素一起被驱动。就是说，当在第二行像素中包含的有机发光二极管0LED的第一电极中流动电流时，电流也会在第一行的与驱动TFT T2的源极电极连接的有机发光二极管0LED的第一电极中流动，因而第二像素行中包含的有机发光二极管0LED和第一行像素中包含的有机发光二极管0LED可同时被驱动。因此，因为第一行的缺陷像素可与第二行像素同时被驱动，所以在第一行像素中不会产生暗点缺陷或热点缺陷。
[0050]然而，实施方式并不限于图2的例子中所示的细节。例如，修复线210的一端可与第一行像素中包含的有机发光二极管0LED的第一电极连接，修复线210的另一端可延伸到第二行像素中包含的驱动TFT T2的源极电极上。因此，当第二行像素有缺陷时，第二行像素可与第一行像素同时被驱动。
[0051]图3是图解根据实施方式的两个像素的平面图。图3图解了布置在图2的第一行第一列上的第一像素P1和布置在图2的第二行第一列上的第二像素P2的例子。
[0052]如图3的例子中所示，第一栅极线GL1、第一感测控制线SCL1、第二栅极线GL2和第二感测控制线SCL2可沿第一方向形成，第一高电位电源线VDD1和第一数据线DL1可沿与第一方向交叉的第二方向形成。
[0053]在第一栅极线GL1、第一感测控制线SCL1、第二栅极线GL2和第二感测控制线SCL2每一个中，可在与第一高电位电源线VDD1和第一数据线DL1交叉的区域中形成孔。所述孔可减小交叉区域中的重叠面积，因而可减小之间的信号干扰。
[0054]在第一像素P1中可形成开关TFT T1、驱动TFT T2、感测TFT T3和有机发光二极管0LED的第一电极200。
[0055]形成在第一像素P1中的开关TFT T1可包括第一栅极电极G1、第一源极电极S1和第一漏极电极D1。开关TFT T1可进一步包括顶部栅极电极，因而可具有双栅极结构。下面将作为一个例子描述该结构。
[0056]第一栅极电极G1可以以从第一栅极线GL1分支的结构形成，但实施方式并不限于此。例如，第一栅极线GL1的一部分可用作第一栅极电极G1。第一源极电极S1可以以从第一数据线DL1分支的结构形成。第一漏极电极D1可与第一源极电极S1相对。第一漏极电极D1可通过第一接触孔CH1与驱动TFT T2的第二栅极电极G2连接。尽管图3例子中未示出，但可在开关TFT T1中进一步形成有源层(例如图5例子中的有源层120)。有源层可与第一源极电极S1和第一漏极电极D1连接并可用作电子移动沟道。
[0057]形成在第一像素P1中的驱动TFT T2可包括第二栅极电极G2、第二源极电极S2和第二漏极电极D2。驱动TFT T2可进一步