SWT)的第三栅极252、第三源极258b和第三漏极258a还可 由导电层和一个或更多个低反射层形成。
[0109] 第一绝缘层218、第二绝缘层222、第三绝缘层238和第四绝缘层248可以是包括 SiOx、SiNx、SiON、A1203、Ti02、Ta20 5、Hf02、Zr02、BST 和 PZT 中的一种的无机绝缘材料和包 括BCB或亚克力系列的树脂的有机绝缘材料、或其组合。
[0110] 如图3的B-B'部分中所示，0LED面板200可包括形成在基板202上并且包括多 个0A的黑底204、被形成为覆盖黑底204的第一覆盖层206、形成在第一覆盖层206上的第 一绝缘层218、形成在第一绝缘层218上的第三绝缘层238、形成在第三绝缘层238上的多 条信号线260b、260c、260d和260e、形成在信号线上的第四绝缘层248、形成在第四绝缘层 248上的滤色器268、形成在滤色器268上的第二覆盖层270、形成在第二覆盖层270上并 位于EA中的像素电极272、沿着像素电极272的边缘形成、暴露像素电极272的部分、位于 ΝΕΑ中的堤274、在像素电极272和堤274的整个区域上依次层合的有机层276和公共电极 278〇
[0111] 像素电极272可以是阳极电极（正电极），可具有相对高的功函数值，并且可由透 明导电材料形成，例如诸如铟锡氧化物（ΙΤ0)或铟锌氧化物（ΙΖ0)的金属氧化物、诸如ΖηΟ : Α1或Sn02:Sb的金属和氧化物的化合物、诸如聚（3-甲基噻吩）、聚[3,4-(乙基-1，2-二 氧基）噻吩](PEDT)、聚吡咯和聚苯胺的导电多聚物等。
[0112] 堤274总体上具有矩阵形式的格子结构，包围像素电极272的边缘，并且暴露像素 电极272的一部分。
[0113] 公共电极278形成在有机层276的整个区域上，公共电极278可以是阴极电极（负 电极）或者可由具有相对小的功函数值的材料形成。在底部发光方案的情况下，例如，第二 电极278可以是金属或第一金属（例如，银（Ag))和第二金属（例如，镁）以预定比例混合 的合金的单层或多层。
[0114] 图5A的0LED面板200的有机发光二极管可以是发射白色光的白色有机发光二极 管。这里，有机发光二极管包括像素电极272、有机层276和公共电极278。可一次性通过 单个工艺来涂覆有机发光二极管的有机层的整个区域，这是有利的。在这种情形下，可包括 滤色器268。
[0115] 各个子像素的滤色器268可具有红色、蓝色和绿色当中的一种颜色。另外，在子像 素产生白色的情况下，可不形成滤色器268。可按照各种方式形成红色、蓝色和绿色的设置。
[0116] 参照图5B，0LED面板200包括形成有多个0A的黑底，多个0A可用作用于通过激 光进行切割或焊接的标记。光可通过0A从外部进入到0LED面板200中。为了防止可见性 降低以及亮度和对比度性质劣化，可包括下面的结构。
[0117] 多条信号线260a、260b、260c、260d和260e、第一晶体管（DT)的第一栅极230、第 一源极240b、第一漏极240a、第一遮挡层210可具有由导电层262a、262b、262c、262d、262e、 232、242a、242b 和 212 和一个或更多个低反射层 264a、264b、264c、264d、264e、234、244a、 244b和214形成的多层结构。
[0118] 低反射层 264a、264b、264c、264d、264e、234、244a、244b 和 214 可由吸收光的颜色 近似于黑色的金属形成。在这种情形下，低反射层吸收从外部引入的光，以防止反射。
[0119] 另外，低反射层 264&、26你、264(：、264(1、2646、234、2443、24413和214可由金属氧化 物形成。在这种情形下，在穿过金属氧化物并且从导电层262a、262b、262c、262d、262e、232、 242a、242b和212的界面反射的光与从金属氧化物的表面反射的光之间会出现相消干扰， 因此，可防止从外部引入的光的反射。
[0120] 各个低反射层 264a、264b、264c、264d、264e、234、244a、244b 和 214 可由相同的材 料形成，并且可由不同的材料形成。
[0121] 参照图5C，0LED面板200的第一晶体管（DT)的第一栅极230、第一源极240b和 第一漏极240a中的至少一个可包括导电层232、242a和242b、第一低反射层235、245a和 245b、第二低反射层 236、246a 和 246b。
[0122] 这里，第一低反射层235、245a和245b可由诸如ΙΤ0或ΙΖ0的金属氧化物形成，第 二低反射层236、246a和246b可由吸收光的材料（例如，颜色与黑色近似的金属）形成。
[0123] 在这种情形下，从外部引入的光被吸收到第二低反射层236、246a和246b中并且 可消失。另外，由于因第一低反射层235、245a和245b造成的相消干扰，导致光会消失。换句 话讲，当没有被吸收到第二低反射层236、246a和246b中的光到达第一低反射层235、245a 和245b时，在从第一低反射层235、245a和245b反射的光与从导电层232、242a和242b反 射的光之间出现相消干扰，因此可减少从外部引入的光的反射。
[0124] 图6是通常的0LED面板的示意性截面图，图7A是根据本发明的另一个实施方式 的0LED面板的示意性截面图，图7B是根据本发明的另一个实施方式的0LED面板的示意性 截面图。
[0125] 图6至图7B是对应于图2的A-A'的部分的截面图，将省略对与上述结构相同的 结构相关的描述。
[0126] 参照图6, 0LED面板200包括没有形成0A的黑底204、形成在黑底204上的缓冲 层207、第一晶体管（DT)、像素电极272、有机层276和公共电极278。当黑底210中不存在 0A时，可省略遮挡层210。
[0127] 黑底可具有高电阻的性质，并且可由具有耐热性的有机化合物形成。可在黑底204 的制造工艺期间添加粘合剂，当执行图案化工艺和高温固化工艺时，可去除表面的粘合剂 并且黑底204的表面可变得不平坦。换句话讲，可能存在的问题在于，黑底204的表面变得 不平坦。
[0128] 在这种情形下，如图6中的放大图所示的，黑底204的表面的形状可转印到设置在 黑底204上的缓冲层207、第一遮挡层210、第一绝缘层218、第一半导体层220等的表面的 形状。
[0129] 特别地，当半导体层220的表面的形状不平坦时，随着电子的移动距离变长，电子 的迀移率变低，因此第一晶体管（DT)的电性质可能劣化。
[0130] 下文中，参照图7A和图7B，将通过比较图6的0LED面板200与根据本发明的其它 实施方式的0LED面板200来提供描述。
[0131] 0LED 200的黑底204可包括被形成为对应于第一半导体层220的0A。因此，在第 一半导体层220的下部中不存在具有不平坦表面的黑底204,第一半导体层220的表面可被 形成为是平坦的。另外，可利用相对薄的缓冲层等取代用于抵消黑底204的粗糙表面的覆 盖层206。
[0132] 通过0A从外部引入的光可从第一晶体管（DT)的电极230、240a和240b反射，因 此，可视性和亮度可降低并且第一半导体层220的电性质可劣化。因此，遮挡层210可形成 在与0A和半导体层220对应的区域中。
[0133] 另外，第一晶体管（DT)的电极230、240a、240b和遮挡层210可由导电层232、 242a、242b和212以及低反射层234、244a、244b和214形成，如图7B所示。另外，如图7A 中所示，第一晶体管（DT)的电极230、240a、240b和遮挡层210可由导电层232、242a、242b 和212、第一低反射层235、245a、245b和215以及第二低反射层236、246a、246b和216形 成。
[0134] 根据另一个方面，根据本发明的0LED装置100可包括：显示面板200,其中，在多 条数据线（DL)和多条选通线（GL)交叉的每个点处形成多个像素⑵；黑底，其中，EA 0A暴 露各个像素的EA。这里，在多个像素当中可存在图案250、252、254、260a、260b、260c、260d、 260e、230、252、240a、240b、256a、256b、258a 和 258b 的一部分被切割的至少一个像素（P)， 在黑底204中还可形成ΝΕΑ ΟΑ，ΝΕΑ OA暴露被切割的图案250、252、254、260a、260b、260c、 260(1、2606、230、252、24(^、24013、2563、25613、2583和 25813的一部分。
[0135] 这里，ΝΕΑ OA可指示上述0Α(0Α，0A1至0A5)。相反地，EA OA可指示被形成为对 应于黑底204中的EA并且用于执行发光的原始功能的0A。
[0136] 被切割的图案 250、252、254、260