一种升华装置及制作有机发光二极管显示器件的方法
【专利摘要】本发明涉及显示装置制造的【技术领域】，公开了一种升华装置及制作有机发光二极管显示器件的方法，该升华装置包括：发射激光的激光发射单元，以及位于所述激光发射单元上方的光热转换单元，所述光热转换单元包括：用于设置机材料的升华加热层，设置于所述升华加热层下表面的光热转化层，以及设置在所述光热转化层下表面的多个阻光图案，且任意两个相邻的阻光图案之间具有透光间隙。本发明的有益效果为：通过采用光热转换单元将激光的能量转化成热能，使得位于透光间隙的有机材料能够升华至基板上需要涂覆有机材料的位置，加快了有机膜的涂覆效率，进而提高了有机发光二极管显示器件的生产效率。
【专利说明】一种升华装置及制作有机发光二极管显示器件的方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及到显示装置的制作领域，尤其涉及到一种升华装置及制作有机发光二 极管显示器件的方法。
【背景技术】
[0002] 有机发光二极管的制成方法有好多种，包括蒸镀的方法，溶液制成方法，激光热转 印方法。目前蒸镀方法受到设备的影响，产量低，而且无法实现大尺寸的红绿蓝全彩蒸镀， 只能采用白光加彩膜基板的方法制作。溶液制成法材料价格昂贵，设备维护成本高，器件寿 命低。激光热转印目前不是很成熟，没有用于量产的实绩。
【发明内容】
[0003] 本发明提供了一种升华装置及制作有机发光二极管显示器件的方法，用以提高有 机发光二极管显示器件的生产效率。
[0004] 本发明提供了一种升华装置，用于有机发光二极管显示器件制作，该升华装置包 括：发射激光的激光发射单元，以及位于所述激光发射单元上方的光热转换单元，所述光热 转换单元包括：用于设置有机材料的升华加热层，设置于所述升华加热层下表面的光热转 化层，以及设置在所述光热转化层下表面的多个阻光图案，且任意两个相邻的阻光图案之 间具有透光间隙。
[0005] 在上述技术方案中，通过采用光热转换单元将激光的能量转化成热能，使得位于 透光间隙的有机材料能够升华至基板上需要涂覆有机材料的位置，加快了有机膜的涂覆效 率，进而提高了有机发光二极管显示器件的生产效率。
[0006] 优选的，还包括设置于所述光热转化层下表面并将所述多个阻光图案包裹住的平 整隔热透光层。避免阻光图案受到损坏，同时，使得整个光热转换单元的下表面比较平整。
[0007] 优选的，所述光热转化层为吲哚菁绿、聚苯胺或碳纳米材料中的任一种或两种以 上材料制作的光热转化层。具有良好的转热效果。
[0008] 优选的，所述光热转化层的厚度为30mm?600mm。保证了光能能够充分的转化成 热能。
[0009] 优选的，所述阻光图案为黑色光阻材料制作的阻光图案。具有良好的阻光效果。
[0010] 优选的，所述升华加热层为钛、金或钼中的任一种或两种以上材料制作的升华加 热层。能够有效的吸收热量，具有较高的升温。
[0011] 本发明还提供了一种利用上述的升华装置制作有机发光二极管显示器件的方法， 包括以下步骤：
[0012] 在形成开关元件和像素电极的基板上间隔设置阻挡条，其中，所述阻挡条之间的 间隙为需要涂覆有机膜的区域；
[0013] 在升华加热层上设置有机材料层；
[0014] 将设置有阻挡条的基板与升华装置抵压接触，并使有机材料层与阻挡条相对，且 升华装置上的透光间隙的位置与所述阻挡条之间的间隙的位置相对；
[0015] 通过激光照射升华装置，位于透光间隙上方的有机材料升华至基板上的阻挡条之 间的间隙内并形成有机膜。
[0016] 在上述技术方案中，通过采用光热转换单元将激光的能量转化成热能，使得位于 透光间隙的有机材料能够升华，使其升华至基板上需要涂覆有机材料的位置，加快了有机 膜的涂覆效率，进而提高了有机发光二极管显示器件的生产效率。
[0017] 优选的，所述在升华加热层上设置有机材料层具体为：
[0018] 通过旋涂、蒸镀或打印的方式在升华加热层上形成有机材料层。可以通过不同的 方式在升华加热层上设置有机材料。
[0019] 优选的，在所述将设置有阻挡条的基板与升华装置抵压接触，并使有机材料层与 阻挡条相对，且升华装置上的透光间隙的位置与所述阻挡条之间的间隙的位置相对的步骤 之前还包括：
[0020] 将设置有阻挡条的基板以及设置有有机材料层的升华装置放置于真空腔室内。提 高了有机材料升华的效果。
[0021] 优选的，在所述通过激光照射升华装置，位于透光间隙上方的有机材料升华至基 板上的阻挡条之间的间隙内并形成有机膜的步骤之后还包括：通过灰化去除所述升华加热 层上残留的有机材料。从而可以重复利用升华装置。
【专利附图】
【附图说明】
[0022] 图1为本发明实施例提供的设置有阻挡条的基板的俯视图；
[0023] 图2为本发明实施例提供的升华装置的光热转换单元的结构示意图；
[0024] 图3为本发明实施例提供的升华装置的结构示意图；
[0025] 图4为本发明实施例提供的升华装置的使用状态参考图；
[0026] 图5为本发明实施例提供的升华装置形成有机膜的参考示意图。
[0027] 附图标记：
[0028] 10-基板 11-阻挡条 20-升华装置
[0029] 21-升华加热层22-光热转化层 23-阻光图案
[0030] 24-透光间隙 25-平整隔热透光层26-激光发射单元
[0031] 30-有机材料
【具体实施方式】
[0032] 为了提高有机发光二极管显示器件的生产效率，本发明实施例提供了一种升华装 置及制作有机发光二极管显示器件的方法，在本发明实施例的技术方案中，通过采用激光 照射有机材料，使得有机材料升华至显示器件的基板上，从而提高了有机发光二极管显示 器件的生产效率。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下以非限制性的实施例 为例对本发明作进一步详细说明。
[0033] 如图3所示，图3示出了本发明实施例提供的升华装置的结构示意图。
[0034] 本发明实施例提供了一种升华装置，用于有机发光二极管显示器件制作，该升华 装置20包括：发射激光的激光发射单元26,以及位于所述激光发射单元26上方的光热转 换单元，所述光热转换单元包括：用于设置有机材料30的升华加热层21 ;设置于所述升华 加热层21下表面的光热转化层22,以及设置在所述光热转化层22下表面的多个阻光图案 23,且任意两个相邻的阻光图案23之间具有透光间隙24。
[0035] 在上述实施例中提供的升华装置20在使用时，首先将有机材料30涂覆到升华装 置20上，一并参考图1、图2、图4和图5,其中，图1为基板10的俯视图，图2为升华装置20 的光热转换单元的结构示意图，图4和图5为升华装置20的使用状态参考图。具体的，如 图1和图2所示，基板10上不用涂覆有机材料30的区域通过阻挡条11遮挡，阻挡条11之 间的间隙为需要涂覆有机材料30的区域。如图4所示，在升华装置20和基板10对置时， 阻光图案23之间的透光间隙24与阻挡条11隔开的有机材料30涂覆区域相对应，应当可 以理解的是透光间隙24的宽度应当等于或者略小于阻挡条11之间的间隙宽度。如图5所 示，通过激光照射光热转换单元，照射到阻光图案23的位置的激光被阻光图案23遮挡住， 照射到透光间隙24的激光穿过透光间隙24后照射到光热转化层22,此时，光热转化层22 吸收激光的能量并转化成热能，生成的热能加热升华加热层21使得升华加热层21的温度 升高。此时，由于透光间隙24的宽度应当等于或者略小于阻挡条11之间的间隙宽度，从而 保证位于透光间隙24上方的有机材料30在升华加热层21的加热情况下升华，挥发至基板 10上的有机材料30涂覆区域，并冷却形成有机膜层，完成有机膜的涂覆。通过本实施例提 供的升华装置20加快了有机膜的涂覆效率，提高了有机发光二极管显示器件的生产效率。
[0036] 较佳的，该升华装置20还包括设置于光热转化层22下表面并将多个阻光图案23 包裹住的平整隔热透光层25。通过平整隔热透光层25将多个阻光图案23包裹起来，避免 阻光图案23受到损坏，同时，使得整个光热转换单元的下表面比较平整，便于移动。
[0037] 具体的，上述实施中的升华装置20中的光热转化层22、阻光图案23、升华加热层 21可以选用不同的材料来制作。其中，光热转化层22可以为吲哚菁绿、聚苯胺或碳纳米材 料中的任一种或两种以上材料制作的光热转化层22,或者采用贵金属材料制作，其中，在采 用两种上述材料制作而成时，采用的材料以设定的比例进行混合，该设定比例根据实际情 况而定。
[0038] 优选的，光热转化层22的厚度为30mm?600_，如：30mm、50mm、150mm、300mm、 400mm. 500mm或600_等任意介于30_?600_之间的厚度。
[0039] 较佳的，阻光图案23可以选用黑色光阻材料制作的阻光图案23,或者其他阻光材 料制作的阻光图案23,具体不受限制，可以根据生产的实际情况选择。
[0040] 另外，其中的升华加热层21可以为钛、金或钼中的任一种或两种以上材料制作的 升华加热层21，或者采用其他具有较高的传热效率的材料制作，其中，在采用两种上述材料 制作而成时，采用的材料以设定的比例进行混合，该设定比例根据实际情况而定。。
[0041] 本发明实施例还提供了一种利用上述的升华装置20制作有机发光二极管显示器 件的方法，包括以下步骤：
[0042] 在形成开关元件和像素电极的基板10上间隔设置阻挡条11，其中，阻挡条11之间 的间隙为需要涂覆有机膜的区域；
[0043] 在升华加热层21上设置有机材料30层；
[0044] 将设置有阻挡条11的基板10与升华装置20抵压接触，并使有机材料30层与阻 挡条11相对，且升华装置20上的透光间隙24的位置与阻挡条11之间的间隙的位置相对；
[0045] 通过激光照射升华装置20,位于透光间隙24上方的有机材料30升华至基板10上 的阻挡条11之间的间隙内并形成有机膜。
[0046] 通过上述制作方法可以看出，本实施例提供的有机发光二极管显示器件的制作方 法，提高了有机膜的制作效率，同时提高了有机发光二极管显示器件的的制作效率。
[0047] 下面结合图1、图2、图3、图4和图5对上述方法进行详细的说明。
[0048] 步骤一：在形成开关元件和像素电极的基板10上间隔设置阻挡条11，其中，阻挡 条11之间的间隙为需要涂覆有机膜的区域；
[0049] 具体的，其结构如图1所示，在形成开关元件和像素电极的基板10上设置阻挡条 11，阻挡条11之间的间隙为需要涂覆有机膜的区域，其中的阻挡条11的端面形状较佳的采 用倒置的等腰梯形结构，从而具有一定坡度，便于防止有机材料30的扩散和混色，但是阻 挡条11的端面形状也可以选择其他不同的形状，如：矩形；另外，开关元件可以为薄膜晶体 管，继电器等具有控制开关功能的器件。
[0050] 步骤二：在升华加热层21上设置有机材料30层；
[0051] 具体的，通过旋涂、蒸镀或打印的方式在升华加热层21上形成有机材料30层。
[0052] 其中需要说明的是，步骤一和步骤二的顺序不做限定，可以步骤一在先，也可以步 骤二在先，或者步骤一和步骤二同时进行。
[0053] 步骤三：将设置有阻挡条11的基板10以及设置有有机材料30层的升华装置20 放置于真空腔室内；
[0054] 具体的，在放置时，基板10在上方、升华装置20在下方，且基板10上设置有阻挡 条11的一面朝向下方，升华装置20上涂覆有有机材料30的一面朝向上方。
[0055] 步骤四：将设置有阻挡条11的基板10与升华装置20抵压接触，并使有机材料30 层与阻挡条11相对，且升华装置20上的透光间隙24的位置与所述阻挡条11之间的间隙 的位置相对；
[0056] 具体的，如图4所示，将基板10和升华装置20对位，使得透光间隙24与阻光图案 23之间的间隙相对，对位完成后，基板10和升华装置20相对运动进行接触，使得阻挡条11 压在有机材料30上。
[0057] 步骤五：如图5所示，通过激光照射升华装置20,位于透光间隙24上方的有机材 料30升华至基板10上的阻挡条11之间的间隙内并形成有机膜。
[0058] 具体的，通过激光照射升华装置20,照射到阻光图案23的位置的激光被阻光图案 23遮挡住，照射到透光间隙24的激光穿过透光间隙24后照射到光热转化层22,此时，光热 转化层22吸收激光的能量并转化成热能，生成的热能加热升华加热层21使得升华加热层 21的温度升高，此时，由于透光间隙24的宽度应当等于或者略小于阻挡条11之间的间隙宽 度，从而保证位于透光间隙24上方的有机材料30在升华加热层21的加热情况下升华，挥 发至基板10上的有机材料30涂覆区域，并冷却形成有机膜层。
[0059] 步骤六：通过灰化去除升华加热层21上残留的有机材料30。
[0060] 通过上述具体的描述可以看出，本实施例提供的有机发光二极管显示器件的制作 方法，提高了有机膜的制作效率，同时提高了有机发光二极管显示器件的的制作效率。
[0061] 显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精 神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围 之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1. 一种升华装置，用于有机发光二极管显示器件制作，其特征在于，包括发射激光的激 光发射单元，以及位于所述激光发射单元上方的光热转换单元，所述光热转换单元包括：用 于设置有机材料的升华加热层，设置于所述升华加热层下表面的光热转化层，以及设置在 所述光热转化层下表面的多个阻光图案，且任意两个相邻的阻光图案之间具有透光间隙。
2. 如权利要求1所述的升华装置，其特征在于，还包括设置于所述光热转化层下表面 并将所述多个阻光图案包裹住的平整隔热透光层。
3. 如权利要求1或2所述的升华装置，其特征在于，所述光热转化层为吲哚菁绿、聚苯 胺或碳纳米材料中的任一种或两种以上材料制作的光热转化层。
4. 如权利要求3所述的升华装置，其特征在于，所述光热转化层的厚度为30mm? 600mm〇
5. 如权利要求1或2所述的升华装置，其特征在于，所述阻光图案为黑色光阻材料制作 的阻光图案。
6. 如权利要求1或2所述的升华装置，其特征在于，所述升华加热层为钛、金或钼中的 任一种或两种以上材料制作的升华加热层。
7. -种利用权利要求1所述的升华装置制作有机发光二极管显示器件的方法，其特征 在于，包括以下步骤： 在形成开关元件和像素电极的基板上间隔设置阻挡条，其中，所述阻挡条之间的间隙 为需要涂覆有机膜的区域； 在升华加热层上设置有机材料层； 将设置有阻挡条的基板与升华装置抵压接触，并使有机材料层与阻挡条相对，且升华 装置上的透光间隙的位置与所述阻挡条之间的间隙的位置相对； 通过激光照射升华装置，位于透光间隙上方的有机材料升华至基板上的阻挡条之间的 间隙内并形成有机膜。
8. 如权利要求7所述的制作有机发光二极管显示器件的方法，其特征在于，所述在升 华加热层上设置有机材料层具体为： 通过旋涂、蒸镀或打印的方式在升华加热层上形成有机材料层。
9. 如权利要求7所述的制作有机发光二极管显示器件的方法，其特征在于，在所述将 设置有阻挡条的基板与升华装置抵压接触，并使有机材料层与阻挡条相对，且升华装置上 的透光间隙的位置与所述阻挡条之间的间隙的位置相对的步骤之前还包括： 将设置有阻挡条的基板以及设置有有机材料层的升华装置放置于真空腔室内。
10. 如权利要求7所述的制作有机发光二极管显示器件的方法，其特征在于，在所述通 过激光照射升华装置，位于透光间隙上方的有机材料升华至基板上的阻挡条之间的间隙内 并形成有机膜的步骤之后还包括：通过灰化去除所述升华加热层上残留的有机材料。
【文档编号】H01L51/56GK104157796SQ201410344594
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2014年7月18日 优先权日:2014年7月18日
【发明者】赵德江 申请人:京东方科技集团股份有限公司