一种led灯生产工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种LED灯生产工艺，包括顺序进行的外延片制作、芯片制作和成型制作，所述外延片制作包括在衬底上利用气相沉积法得到外延片；所述芯片制作包括顺序进行的金属蒸镀、光罩腐蚀、热处理和切割；所述成型制作装包括顺序进行的固晶、焊线和封装。本工艺使得LED在制造过程中可控性高，便于掌控最终得到的LED灯产品的质量。
【专利说明】-种LED灯生产工艺
【技术领域】
[0001] 本发明涉及用于照明或指示的微型灯生产工艺，特别是涉及一种LED灯生产工 艺。
【背景技术】
[0002] LED照明能够运用到高亮度领域归功于LED芯片生产技术的不断提高，包括单颗 晶片的功率和亮度的提高，LED上游生产技术是LED行业的核心技术。目前在该技术领先 的国家主要为日本、美国、韩国和我国台湾，而我国大陆在LED上游生产技术的发展比较靠 后。
[0003] 随着LED上游生产技术的进一步发展，LED照片在生活中的优势越发明显，在保证 LED上游产品质量的基础上如何进一步简化LED上游产品生产工艺、进一步减小LED上游产 品生产投资和成本，是目前进一步推广LED运用、发挥LED照明优势的关键所在。
【发明内容】
[0004] 针对上述在保证LED上游产品质量的基础上如何进一步简化LED上游产品生产工 艺、进一步减小LED上游产品生产投资和成本，是目前进一步推广LED运用、发挥LED照明 优势的关键所在的问题，本发明提供了一种LED灯生产工艺。
[0005] 针对上述问题，本发明提供的一种LED灯生产工艺通过以下技术要点来达到发明 目的：一种LED灯生产工艺，包括顺序进行的外延片制作、芯片制作和成型制作，所述外延 片制作包括在衬底上利用气相沉积法得到外延片； 所述芯片制作包括顺序进行的金属蒸镀、光罩腐蚀、热处理和切割； 所述成型制作装包括顺序进行的固晶、焊线和封装。
[0006] 更进一步的技术方案为： 所述芯片制作的切割步骤以后还包括测试分选步骤。
[0007] 所述成型制作的封装步骤之后还包括顺序进行的切角和测试分选步骤。
[0008] 所述芯片制作的金属蒸镀步骤之前还包括清洗步骤，所述光罩腐蚀为化学腐蚀。
[0009] 本发明具有以下有益效果： 本工艺中，采用在衬底上利用气相沉积法得到外延片的生产工艺，便于通过在实现气 相沉积过程中通过温度控制、压力、反应物浓度和种类比例的调整，达到控制镀膜成分、金 相组织形态的目的；同时，芯片制作包括顺序进行的金属蒸镀、光罩腐蚀的工艺设计，使得 在形成芯片的过程中金属层的成型速度在整个芯片形成过程中较为均匀，这样使得芯片形 成过程可控性高，便于掌控最终得到的LED灯产品的质量。
【具体实施方式】
[0010] 下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明，但是本发明的结构不仅限于以下 实施例。
【权利要求】
1. 一种LED灯生产工艺，包括顺序进行的外延片制作、芯片制作和成型制作，其特征在 于，所述外延片制作包括在衬底上利用气相沉积法得到外延片； 所述芯片制作包括顺序进行的金属蒸镀、光罩腐蚀、热处理和切割； 所述成型制作装包括顺序进行的固晶、焊线和封装。
2. 根据权利要求1所述的一种LED灯生产工艺，其特征在于，所述芯片制作的切割步骤 以后还包括测试分选步骤。
3. 根据权利要求1所述的一种LED灯生产工艺，其特征在于，所述成型制作的封装步骤 之后还包括顺序进行的切角和测试分选步骤。
4. 根据权利要求1所述的一种LED灯生产工艺，其特征在于，所述芯片制作的金属蒸镀 步骤之前还包括清洗步骤，所述光罩腐蚀为化学腐蚀。
【文档编号】H01L33/02GK104124314SQ201410353963
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年7月23日 优先权日:2014年7月23日
【发明者】李季, 马昌明 申请人:四川天微电子有限责任公司