扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法
【专利摘要】本发明的目的在于提供能够抑制在于干燥炉内干燥涂布有扩散剂组合物的半导体基板时、在干燥炉的炉内及排气口产生沉积物的扩散剂组合物、以及使用该扩散剂组合物的杂质扩散层的形成方法。为此，本发明在含有杂质扩散成分(A)和有机溶剂(S)的扩散剂组合物中配合作为杂质扩散成分(A)的包含下述式(1)所示结构单元的聚合物。式(1)中，R为氢原子或碳原子数1～5的烷基，Y为单键、-O-、酯键、或者可以具有-O-、-NH-、-C(＝O)-或酯键的碳原子数1～10的2价烃基，R1及R2各自独立地为羟基、碳原子数1～5的烷氧基、或可以具有取代基的芳氧基，R1和R2也可以彼此键合而形成环。
【专利说明】扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法。
【背景技术】
[0002] 以往，在制造太阳能电池时，在半导体基板中形成例如N型的杂质扩散层的情况 下，使包含N型杂质扩散成分的扩散剂从涂布于半导体基板表面的扩散剂中扩散出N型杂 质扩散成分，从而形成N型杂质扩散层。具体而言，首先，在半导体基板表面形成热氧化膜， 接着，利用光刻法在热氧化膜上层叠具有指定图案的抗蚀剂，并将该抗蚀剂作为掩模，利用 酸或碱蚀刻未被抗蚀剂遮掩的热氧化膜部分，并剥离抗蚀剂，从而形成热氧化膜的掩模。然 后，涂布包含N型杂质扩散成分的扩散剂组合物，在掩模的开口部分形成扩散剂组合物的 膜。通过将该部分加热至高温，使杂质扩散成分扩散，从而形成N型杂质扩散层（专利文献 1 ?3)。
[0003] 现有技术文献
[0004] 专利文献
[0005] 专利文献1 :日本特开2001-071489号公报
[0006] 专利文献2 :日本特开2002-075892号公报
[0007] 专利文献3 :日本特表2008-543097号公报
【发明内容】
[0008] 发明要解决的问题
[0009] 然而，专利文献1?3中记载的方法存在如下所述的问题。将扩散剂组合物涂布 于半导体基板上之后，要在干燥炉内进行干燥处理。此时，使用传统的扩散剂组合物的情况 下，存在容易在干燥炉的炉内及排气口积存包含大量磷化合物的沉积物的问题。这样的沉 积物的问题会导致太阳能电池的生产性降低。这是因为，如果大量产生沉积物，则需要频繁 地实施在停止干燥炉之后除去沉积物的操作。另外，如果在干燥炉内积存沉积物，则存在沉 积物落下到硅片上的隐患。沉积物向硅片的落下将给太阳能电池的光电转换效率带来不良 影响。
[0010] 本发明鉴于上述课题而完成，目的在于提供能够抑制在于干燥炉内干燥涂布有扩 散剂组合物的半导体基板时、在干燥炉的炉内及排气口产生沉积物的扩散剂组合物、以及 使用该扩散剂组合物的杂质扩散层的形成方法。
[0011] 解决问题的方法
[0012] 本发明人等发现，通过在含有杂质扩散成分（A)和有机溶剂（S)的扩散剂组合物 中配合包含下式（1)所示的结构单元的聚合物作为杂质扩散成分（A)，可以解决上述的课 题，进而完成了本发明。
[0013] [化学式1]
[0014]
【权利要求】
1. 一种扩散剂组合物，其是在向半导体基板进行杂质扩散时使用的扩散剂组合物，其 中， 该组合物含有杂质扩散成分（A)和有机溶剂（S)， 所述杂质扩散成分（A)含有包含下述式（1)所示的结构单元的聚合物，
式（1)中，R为氢原子或碳原子数1?5的烷基，Y为单键、-0-、酯键、或者任选具 有-0-、-NH-、-C ( = 0)-或酯键的碳原子数1?10的2价烃基，R1及R2各自独立地为羟 基、碳原子数1?5的烷氧基、或任选具有取代基的芳氧基，R 1和R2也可以彼此键合而形成 环。
2. -种杂质扩散层的形成方法，其包括下述工序： 在半导体基板上涂布权利要求1所述的扩散剂组合物而形成图案的图案形成工序；和 使所述扩散剂组合物的杂质扩散成分（A)扩散至所述半导体基板的扩散工序。
3. 根据权利要求2所述的杂质扩散层的形成方法，其中，所述半导体基板用于太阳能 电池。
【文档编号】H01L21/22GK104517820SQ201410503800
【公开日】2015年4月15日 申请日期:2014年9月26日 优先权日:2013年9月30日
【发明者】宫城忠 申请人:东京应化工业株式会社