自由接地膜及其制作方法、包含自由接地膜的屏蔽线路板及接地方法与流程

本发明涉及一种自由接地膜及其制作方法、包含自由接地膜的屏蔽线路板及接地方法。

背景技术：

挠性印制电路（FPC）作为一种连接电子元器件的特殊基础材料，它具有轻，薄，结构多样，耐弯曲等优异性能。可广泛应用于折叠手机，液晶显示，笔记本电脑，带载IC封装基板等高端领域。

近年来，随着电子工业的迅速发展，电子产品进一步向小型化，轻量化，组装高密度化发展，在通讯系统的高频化趋势带动下，第3代手机已经大量入市，另外，手机功能的整合也将促使手机组件急剧高频高速化。手机关键组件的高频化势必将无法避免。在高频及高速的驱动下所引发的组件内部及外部的电磁干扰问题将逐渐严重，因此，功能挠性电路板一项重要的指标是电磁屏蔽(EMI Shielding)，屏蔽膜成为线路板必不可少的辅助材料。

线路板行业内，均采用线路板上覆盖膜开窗后贴电磁屏蔽膜，将信号线产生的杂讯通过屏蔽膜导入线路板地层，实现屏蔽组件内部及外部电磁干扰。这种使用方法要求在线路板上设计接地PAD，必须在覆盖膜上开窗，而且严格控制覆盖膜溢胶量。不但增加线路板加工工艺的复杂性，同时接地PAD的大小会影响屏蔽效果。最大的缺点是：必须设计接地PAD，所以不能充分利用线路板的空间。

公开号为CN102026529 A，名称为《屏蔽膜、具有该屏蔽膜的屏蔽配线板、屏蔽膜的接地方法》的中国发明专利公开了一种导电构件，该导电构件包括接触状态下的用以与外部接地构件连接的金属层及包含导电性粒子的导电性接着层，接地是依靠导电性粒子刺穿与之连接的屏蔽膜的绝缘覆盖膜层，最终与地层连接。这种方法虽然可以实现屏蔽膜自由接地，客服上述技术困难，但是对导电粒子的尺寸要求比较高、成本较高。需要特殊形状以及直径较大的粒子刺穿屏蔽膜的绝缘覆盖膜层，同时要求导电粒子的粒径分布比较均匀，如果存在低于平均粒径的导电粒子，就会出现局部无法刺穿屏蔽膜绝缘覆盖膜层，进而影响接地。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种自由接地膜及其制作方法、包含自由接地膜的屏蔽线路板及接地方法。

本发明所采取的技术方案是：

一种自由接地膜，包含至少一层导体层。

所述导体层的一侧是胶膜层，另一侧是可剥离的载体膜。

所述导体层的表面是平整的，导体层的总厚度为0.01-35μm，所述的胶膜层为导电粒子与胶的混合物制成的厚度为0.2-20μm的层，该胶膜层中，导电粒子占胶的体积百分比为2%-80%，导电粒子的粒径为0.1-15μm；

或者至少在与胶膜层相邻接的导体层上，该导体层与胶膜层相接触的面是粗糙的，粗糙度为0.3-10μm，导体层的总厚度为0.01-35μm，所述的胶膜层为胶制成的厚度为0.2-10μm的层或者胶与导电粒子的混合物制成的厚度为0.2-20μm的层，在由胶与导电粒子的混合物制成的层中，导电粒子占胶的体积百分比为2%-80%，导电粒子的粒径为0.1-15μm。

所述的导体层所用材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯中的至少一种，所述的金属材料为铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼中的至少一种，或者为以上所列金属单质中的至少两种形成的合金；所述的胶为改性环氧树脂类、改性丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类、改性聚氨酯类树脂中的至少一种。

所述的可剥离的载体膜为可剥离的金属箔载带，或是具有分散和离型作用的聚酯载体膜。

所述导体层与可剥离载体膜之间设有耐高温防氧化层；其中，所述的耐高温防氧化层的材料与厚度范围为下列三种情形之一：

①耐高温防氧化层的厚度为0.01-5微米；所述耐高温防氧化层的材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯、银浆中的一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；

②所述耐高温防氧化层为胶制成，所述的胶为改性环氧树脂类、改性丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类、改性聚氨酯类树脂中的至少一种；其厚度为0.1-2微米；

③所述耐高温防氧化层为胶与导电粒子的混合物制成，导电粒子与胶的体积比为5%到80%，其厚度为0.1-5微米。

包含自由接地膜的屏蔽线路板，其在印刷线路板上设有电磁波屏蔽膜，电磁波屏蔽膜的表面上设有所述的自由接地膜。

线路板的接地方法，所述的电磁波屏蔽膜包括屏蔽层、设置在屏蔽层上的绝缘层，采用以下三种方式之一进行接地：

a、所述导体层的表面是平整的，导体层的总厚度为0.01-35μm，所述的胶膜层为导电粒子与胶的混合物制成的厚度为0.2-20μm的层，该胶膜层中，导电粒子占胶的体积百分比为2%-80%，导电粒子的粒径为0.1-15μm；对应此种结构的接地方式为：胶膜层中的导电粒子团聚为更大的导电粒子，并利用其刺穿电磁波屏蔽膜的绝缘层并与屏蔽层相连；

b、至少在与胶膜层相邻接的导体层上，该导体层与胶膜层相接触的面是粗糙的，粗糙度为0.3-10μm，导体层的总厚度为0.01-35μm，所述的胶膜层为胶制成的厚度为0.2-10μm的层；对应此种结构的此种接地方式为：通过导体层的粗糙面刺穿屏蔽膜的绝缘层，以使导体层与屏蔽层相连；

c、至少在与胶膜层相邻接的导体层上，该导体层与胶膜层相接触的面是粗糙的，粗糙度为0.3-10μm，导体层的总厚度为0.01-35μm，所述的胶膜层为胶与导电粒子的混合物制成的厚度为0.2-20μm的层，在由胶与导电粒子的混合物制成的层中，导电粒子占胶的体积百分比为2%-80%，导电粒子的粒径为0.1-15μm；对应此种结构的此种接地方式为：胶膜层中的导电粒子团聚为大颗粒导电粒子，利用大颗粒导电粒子与导体层的粗糙面协同刺穿屏蔽膜的绝缘层，并和屏蔽层相连。

一种自由接地膜的制作方法，制作步骤如下：

1）在所述的可剥离的金属箔载带的一侧形成导电耐高温防氧化层；

2）在耐高温防氧化层的另一侧形成至少一层导体层；

3）在导体层上形成胶膜层。

一种自由接地膜的制作方法，制作步骤如下：

1）在所述的具有分散和离型作用的聚酯载体膜的一侧形成树脂基耐高温防氧化层；

2）在耐高温防氧化层的另一侧形成至少一层导体层；

3）在导体层上形成胶膜层。

本发明的有益效果是：本发明的自由接地膜改变传统的屏蔽接地方式，可大幅度提高产品可靠度，同时降低成本。

具体来说：

胶膜层中含有导电粒子，导电粒子自由团聚成一定尺寸，可刺穿屏蔽膜的绝缘层，实现接地；胶膜层中可以不含导电粒子，通过导体层的粗糙面刺穿屏蔽膜的绝缘层，也可加入少量导电粒子，实现接地，进而大幅度提高产品可靠度，同时降低成本。在屏蔽线路板上压合自由接地膜，使得屏蔽膜与自由接地膜的导体层连接，实现任意接地。改变传统的屏蔽接地方式，省去覆盖膜开窗以及控制覆盖膜溢胶量的相关工艺，保证屏蔽效果。同时，可充分利用线路板的微小空间，将线路板地层全部设计成信号线，增加线路密度，实现线路板小型化、多功能化。

附图说明

图1为本发明一种自由接地膜的结构示意图。

图2为本发明一种自由接地膜的结构示意图。

图3为本发明一种自由接地膜的结构示意图。

图4为本发明一种自由接地膜的结构示意图。

图5为本发明一种自由接地膜的结构示意图。

图6为本发明一种自由接地膜的结构示意图。

图7为本发明一种包含自由接地膜的屏蔽线路板的结构示意图。

图8为本发明一种包含自由接地膜的屏蔽线路板的结构示意图。

图9为本发明一种包含自由接地膜的屏蔽线路板的结构示意图。

具体实施方式

一种自由接地膜，包含至少一层导体层。

所述导体层的一侧是胶膜层，另一侧是可剥离的载体膜。

所述导体层的表面是平整的，导体层的总厚度为0.01-35μm（优选的，为0.1-10μm）；所述的胶膜层为导电粒子与胶的混合物制成的厚度为0.2-20μm的层（优选的，为0.5-10μm），该胶膜层中，导电粒子占胶的体积百分比为2%-80%（优选的，为5-80%），导电粒子的粒径为0.1-15μm；

或者至少在与胶膜层相邻接的导体层上，该导体层与胶膜层相接触的面是粗糙的，粗糙度为0.3-10μm（优选的，粗糙度为0.3-8μm）；导体层的总厚度为0.01-35μm（优选的，为0.1-10μm）；所述的胶膜层为胶制成的厚度为0.2-10μm（优选的，为0.5-10μm）的层或者胶与导电粒子的混合物制成的厚度为0.2-20μm（优选的，为0.5-10μm）的层，在由胶与导电粒子的混合物制成的层中，导电粒子占胶的体积百分比为2%-80%（优选的，为5-80%），导电粒子的粒径为0.1-15μm。

所述的导体层所用材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯中的至少一种，所述的金属材料为铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼中的至少一种，或者为以上所列金属单质中的至少两种形成的合金；所述的胶为改性环氧树脂类、改性丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类、改性聚氨酯类树脂中的至少一种。

所述的可剥离的载体膜为可剥离的金属箔载带，或是具有分散和离型作用的聚酯载体膜。

所述可剥离的金属箔载带的制作方法如下：

1）对金属箔基体进行表面处理，使其表面张力为40-90达因；

2）在基体的一个侧面形成真空镀层；

3）在真空镀层的表面进行光亮化处理，形成表面金属光亮层。

所述导体层与可剥离载体膜之间设有耐高温防氧化层。

耐高温防氧化层的厚度范围、材料、形成方式为下列三种情形之一：

①耐高温防氧化层的厚度为0.01-5微米，优选0.1-1微米；所述耐高温防氧化层2的材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯、银浆中的一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；在可剥离载体膜一层形成耐高温防氧化层的形成方式为：化学镀、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或者以上工艺中的至少两种的复合工艺；

②所述耐高温防氧化层为胶制成，所述的胶为改性环氧树脂类、改性丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类、改性聚氨酯类树脂中的至少一种；其厚度为0.1-2微米；

③所述耐高温防氧化层为胶与导电粒子的混合物制成，导电粒子与胶的体积比为5%到80%，其厚度为0.1-5微米；

针对②和③，在可剥离载体膜一层形成耐高温防氧化层为涂布后固化即可。

包含自由接地膜的屏蔽线路板，其在印刷线路板上设有电磁波屏蔽膜，电磁波屏蔽膜的表面上设有所述的自由接地膜。

线路板的接地方法，所述的电磁波屏蔽膜包括屏蔽层、设置在屏蔽层上的绝缘层，采用以下三种方式之一进行接地：

a、所述导体层的表面是平整的，导体层的总厚度为0.01-35μm（优选的，为0.1-10μm），所述的胶膜层为导电粒子与胶的混合物制成的厚度为0.2-20μm的层（优选的，为0.5-10μm），该胶膜层中，导电粒子占胶的体积百分比为2%-80%（优选的，为5-80%），导电粒子的粒径为0.1-15μm；此种接地方式为：胶膜层中的导电粒子团聚为更大的导电粒子，并利用其刺穿电磁波屏蔽膜的绝缘层并与屏蔽层相连；

b、至少在与胶膜层相邻接的导体层上，该导体层与胶膜层相接触的面是粗糙的，粗糙度为0.3-10μm（优选的，粗糙度为0.3-8μm），导体层的总厚度为0.01-35μm（优选的，为0.1-10μm），所述的胶膜层为胶制成的厚度为0.2-10μm（优选的，为0.5-10μm）的层；此种接地方式为：通过导体层的粗糙面刺穿屏蔽膜的绝缘层，以使导体层与屏蔽层相连；

c、至少在与胶膜层相邻接的导体层上，该导体层与胶膜层相接触的面是粗糙的，粗糙度为0.3-10μm（优选的，粗糙度为0.3-8μm），导体层的总厚度为0.01-35μm（优选的，为0.1-10μm），所述的胶膜层为胶与导电粒子的混合物制成的厚度为0.2-20μm（优选的，为0.5-10μm）的层，在由胶与导电粒子的混合物制成的层中，导电粒子占胶的体积百分比为2%-80%，导电粒子的粒径为0.1-15μm；此种接地方式为：胶膜层中的导电粒子团聚为大颗粒导电粒子，利用大颗粒导电粒子与导体层的粗糙面协同刺穿屏蔽膜的绝缘层，并和屏蔽层相连。

电磁波屏蔽膜的绝缘层的厚度的下限为0.2μm，上限为15μm，优选的，为3-10μm，进一步优选的，针对以上三种不同的接地方式，厚度上限能够进行匹配满足，即对于a、胶膜层导电粒子团聚为大颗粒，其厚度上限能满足导电粒子大颗粒单独刺穿绝缘层并与屏蔽层接触，从而实现接地；b、导体层粗糙面单独刺穿绝缘层实现接地，其厚度上限能满足导体层粗糙面单独刺穿绝缘层并与屏蔽层接触，从而实现接地；c、胶膜层导电粒子团聚为大颗粒，其厚度上限能满足导体层粗糙面与大颗粒导电粒子协同刺穿绝缘层并于屏蔽层接触，从而实现接地。

本发明所述的电磁波屏蔽膜为现有技术中的产品，其包括相互连接的绝缘层和导体层，如专利申请号为：201410016769.2，发明名称为：电磁波屏蔽膜以及包含屏蔽膜的线路板的制作方法中介绍的电磁波屏蔽膜。或者如同专利申请号为：201420022753.8，实用新型名称为：印刷线路板用电磁波屏蔽膜及包含屏蔽膜的印刷线路板中描述的屏蔽膜的结构。

一种自由接地膜的制作方法，制作步骤如下：

1）在所述的可剥离的金属箔载带的一侧形成导电耐高温防氧化层；

2）在耐高温防氧化层的另一侧形成至少一层导体层；

3）在导体层上形成胶膜层。

一种自由接地膜的制作方法，制作步骤如下：

1）在所述的具有分散和离型作用的聚酯载体膜的一侧形成树脂基耐高温防氧化层；

2）在耐高温防氧化层的另一侧形成至少一层导体层；

3）在导体层上形成胶膜层。

下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明：

实施例1：

如图1所示，一种自由接地膜，在可剥离载体膜1的一侧设有耐高温防氧化层2，耐高温防氧化层2的另一侧设有导体层3，导体层3由导体层31和导体层32组成，导体层32的另一侧设有胶膜层4，所述胶膜层4中含有导电粒子；所述可剥离载体膜1的组成为：金属箔基体10、真空镀层12以及金属光亮层13。

其中，可剥离载体膜的制作方法如下：

1）对金属箔基体进行表面处理，使其表面张力为40-90达因；

2）在基体的一个侧面形成真空镀层；

3）在真空镀层的表面进行光亮化处理，形成表面金属光亮层。

一种自由接地膜的制作方法，具体制作步骤如下：

1）在可剥离载体膜1一侧形成耐高温防氧化层2（即在载体膜的金属光亮层上形成耐高温防氧化层）；其中，所述耐高温防氧化层的厚度为0.01-5微米，优选0.1-1微米；所述耐高温防氧化层2的材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯、银浆中的一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；所述耐高温防氧化层2的形成方式为：化学镀、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或者以上工艺中的至少两种的复合工艺；

2）在耐高温防氧化层2的另一侧形成导体层31；其中，所述导体层31的厚度为0.01-1微米，优选0.1-1微米；导体层31所用材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯中的至少一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；所述导体层31的形成方式为化学镀方式为：化学镀、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或者以上工艺中的至少两种的复合工艺；

3）在导体层31表面形成导体层32；其中，所述导体层厚度为0.01-35微米，优选0.5-10微米；导体层32所用材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯中的一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；所述导体层32的形成方式为：化学镀、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或者以上工艺中的至少两种的复合工艺；

4）在导体层32表面形成胶膜层4；其中，所述胶膜层4由胶与导电粒子的混合物制成（制成方法为公知常识，例如涂布后固化），厚度为0.2-20微米，优选0.5-10微米；胶膜层4所用的胶为改性环氧树脂类、改性丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类、改性聚氨酯类树脂中的至少一种；导电粒子为可团聚形成更大尺寸的以下颗粒中的至少一种：碳、银、镍、铜、镍金、铜镍、铜镍金，导电粒子的粒径为0.1-15微米，优选0.2-10微米，导电粒子与胶的体积比为2%到80%，优选的，为5%-80%。

实施例2：

如图2所示，一种自由接地膜，在可剥离载体膜1的一侧设有耐高温防氧化层2，耐高温防氧化层2的另一侧设有导体层3，导体层3由导体层31和导体层32组成，导体层32的另一侧设有胶膜层4（胶膜层中不含导电粒子）。所述可剥离载体膜1的组成为：金属箔基体10、真空镀层12以及金属光亮层13。

其中，可剥离载体膜的制作方法如下：

1）对金属箔基体进行表面处理，使其表面张力为40-90达因；

2）在基体的一个侧面形成真空镀层；

3）在真空镀层的表面进行光亮化处理，形成表面金属光亮层。

一种自由接地膜的制作方法，其包括的具体制作步骤如下：

1）在可剥离载体膜1一侧形成耐高温防氧化层2（即在载体膜的金属光亮层上形成耐高温防氧化层）；其中，所述耐高温防氧化层的厚度为0.01-5微米，优选0.1-1微米；所述耐高温防氧化层2的材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯、银浆中的一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；所述耐高温防氧化层2的形成方式为：化学镀、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或者以上工艺中的至少两种的复合工艺；

2）在耐高温防氧化层2的另一侧形成导体层31；其中，所述导体层31的厚度为0.01-1微米，优选0.1-1微米；导体层31所用材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯中的至少一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；所述导体层31的形成方式为：化学镀、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或者以上工艺中的至少两种的复合工艺；

3）在导体层31表面形成导体层32；其中，所述导体层32厚度为0.01-35微米，优选0.1-10微米；导体层32所用材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯中的一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；所述导体层32的形成方式为：化学镀、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或者以上工艺中的至少两种的复合工艺；

4）将导体层32表面进行粗化：采用线路板铜箔粗化的方法，将导体层32的一面先粗化，后固化，再钝化，所述粗化镀液包括碱铜和酸铜镀液；或采用线路板微蚀的方法，将导体层32的一面先粗化，再钝化；导体层32的表面粗糙度为0.3-10微米，优选0.3-8微米。所述微蚀液为下列中的一种：硫酸- 双氧水型蚀刻液、过硫酸钠蚀刻液、氯化铜蚀刻液、氯化铁蚀刻液、氯化铜铵- 氨水体系的碱性蚀刻液、有机碱性蚀刻液；

5）在导体层32表面形成胶膜层4；其中，所述胶膜层4为纯胶，厚度为0.2-10微米，优选0.5-10微米；胶膜层4所用材料为改性环氧树脂类、改性丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类、改性聚氨酯类树脂中的至少一种。

实施例3：

如图3所示，一种自由接地膜，在可剥离载体膜1的一侧设有耐高温防氧化层2，耐高温防氧化层2的另一侧设有导体层3，导体层3由导体层31和导体层32组成，导体层32的另一侧设有胶膜层4，所述胶膜层4中含有导电粒子；所述可剥离载体膜1的组成为：金属箔基体10、真空镀层12以及金属光亮层13。

其中，可剥离载体膜的制作方法如下：

1）对金属箔基体进行表面处理，使其表面张力为40-90达因；

2）在基体的一个侧面形成真空镀层；

3）在真空镀层的表面进行光亮化处理，形成表面金属光亮层。

一种自由接地膜的制作方法，其包括的具体制作步骤如下：

1）在可剥离载体膜1一侧形成耐高温防氧化层2（即在载体膜的金属光亮层上形成耐高温防氧化层）；其中，所述耐高温防氧化层的厚度为0.01-5微米，优选0.1-1微米；所述耐高温防氧化层2的材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯、银浆中的一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；所述耐高温防氧化层2的形成方式为：化学镀、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或者以上工艺中的至少两种的复合工艺；

2）在耐高温防氧化层2的另一侧形成导体层31；其中，所述导体层31的厚度为0.01-1微米，优选0.1-1微米；导体层31所用材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯中的至少一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；所述导体层31的形成方式为：化学镀、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或者以上工艺中的至少两种的复合工艺。

3）在导体层31表面形成导体层32；其中，所述导体层32厚度为0.01-35微米，优选0.1-10微米；导体层32所用材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯中的一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；所述导体层32的形成方式为：化学镀、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或者以上工艺中的至少两种的复合工艺；

4）将导体层32表面进行粗化：采用线路板铜箔粗化的方法，将导体层32的一面先粗化，后固化，再钝化，所述粗化镀液包括碱铜和酸铜镀液；或采用线路板微蚀的方法，将导体层32的一面先粗化，再钝化；导体层32的表面粗糙度为0.3-10微米，优选0.3-8微米。所述微蚀液为下列中的一种：硫酸- 双氧水型蚀刻液、过硫酸钠蚀刻液、氯化铜蚀刻液、氯化铁蚀刻液、氯化铜铵- 氨水体系的碱性蚀刻液、有机碱性蚀刻液；

5）在导体层32表面形成胶膜层4；其中，所述胶膜层4由胶与导电粒子的混合物制成，厚度为0.2-20微米，优选0.5-10微米；胶膜层4所用的胶为改性环氧树脂类、改性丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类、改性聚氨酯类树脂中的至少一种；导电粒子为可团聚形成更大尺寸的以下颗粒中的至少一种：碳、银、镍、铜、镍金、铜镍、铜镍金，导电粒子的粒径为0.1-15微米，优选0.2-10微米，导电粒子与胶的体积比为2%到80%，优选的，为5%-80%。

上述实施例1-3中，可剥离载体膜1也可以是在基体10表面形成粗糙度为0.3-7微米的薄膜层，然后逐层形成真空镀层12以及金属光亮层13，由此所得可剥离载体膜1的金属光亮层13也具有一定的粗糙度，后续在金属光亮层13的表面依次形成耐高温防氧化层2、导体层3，使得导体层3在粗化前已具有一定的粗糙度，加强刺穿的效果。所述粗糙度为0.3-7微米的薄膜层包括树脂和填料，通过填料改变薄膜层的粗糙度，最终改变导体层3的粗糙度，加强刺穿的效果。树脂为改性环氧树脂类、改性丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类、改性聚氨酯类树脂中的至少一种，填料为二氧化硅、氢氧化铝、碳酸钙、二氧化钛、氧化铝、氢氧化镁、云母粉、硅微粉、滑石粉、高岭土中的至少一种；填料占树脂的体积百分比为10%-80%。

实施例4：

如图4所示，一种自由接地膜，在可剥离载体膜1的一侧设有耐高温防氧化层2，耐高温防氧化层2的另一侧设有导体层3，导体层3由导体层31和导体层32组成，导体层32的另一侧设有胶膜层4，所述胶膜层4中含有导电粒子；所述的可剥离载体膜为具有离型和分散作用的聚酯膜。

一种自由接地膜的制作方法，具体制作步骤如下：

1）在可剥离载体膜1一侧形成耐高温防氧化层2；其中，所述耐高温防氧化层的厚度为0.01-5微米；所述耐高温防氧化层2为胶制成或胶与导电粒子的混合物制成，所述的胶为改性环氧树脂类、改性丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类、改性聚氨酯类树脂中的至少一种；导电粒子为碳、银、镍、铜颗粒、镍金、铜镍、铜镍金颗粒中的至少一种；所述耐高温防氧化层2为胶制成时，其厚度优选为0.1-2微米；所述耐高温防氧化层2为胶与导电粒子的混合物制成时，导电粒子与胶的体积比为5%到80%，其厚度优选为0.1-5微米；

2）在耐高温防氧化层2的另一侧形成导体层31；其中，所述导体层31的厚度为0.01-1微米，优选0.1-1微米；导体层31所用材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯中的至少一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；所述导体层31的形成方式为：化学镀、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或者以上工艺中的至少两种的复合工艺；

3）在导体层31表面形成导体层32；其中，所述导体层32厚度为0.01-35微米，优选0.1-10微米；导体层32所用材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯中的一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；所述导体层32的形成方式为：化学镀、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或者以上工艺中的至少两种的复合工艺；

4）在导体层32表面形成胶膜层4；所述胶膜层4由胶与导电粒子的混合物制成，厚度为0.2-20微米，优选0.5-10微米；胶膜层4所用的胶为改性环氧树脂类、改性丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类、改性聚氨酯类树脂中的至少一种；导电粒子为可团聚形成更大尺寸的以下颗粒中的至少一种：碳、银、镍、铜、镍金、铜镍、铜镍金，导电粒子的粒径为0.1-15微米，优选0.2-10微米，导电粒子与胶的体积比为2%到80%；为5%-80%。

实施例5：

如图5所示，一种自由接地膜，在可剥离载体膜1的一侧设有耐高温防氧化层2，耐高温防氧化层2的另一侧设有导体层3，导体层3由导体层31和导体层32组成，导体层32的另一侧设有胶膜层4，所述胶膜层4中不含导电粒子；所述的可剥离载体膜为具有离型和分散作用的聚酯膜。

一种自由接地膜的制作方法，具体制作步骤如下：

1）在可剥离载体膜1一侧形成耐高温防氧化层2；其中，所述耐高温防氧化层的厚度为0.01-5微米；所述耐高温防氧化层2为胶制成或胶与导电粒子的混合物制成，所述的胶为改性环氧树脂类、改性丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类、改性聚氨酯类树脂中的至少一种；导电粒子为碳、银、镍、铜颗粒、镍金、铜镍、铜镍金颗粒中的至少一种；所述耐高温防氧化层2为胶制成时，其厚度优选为0.1-2微米；所述耐高温防氧化层2为胶与导电粒子的混合物制成时，导电粒子与胶的体积比为5%到80%，其厚度优选为0.1-5微米；

2）在耐高温防氧化层2的另一侧形成导体层31；其中，所述导体层31的厚度为0.01-1微米，优选0.1-1微米；导体层31所用材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯中的至少一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；所述导体层31的形成方式为：化学镀、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或者以上工艺中的至少两种的复合工艺；

3）在导体层31表面形成导体层32；所述导体层32厚度为0.01-35微米，优选0.1-10微米；导体层32所用材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯中的一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；所述导体层32的形成方式为：化学镀、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或者以上工艺中的至少两种的复合工艺；

4）将导体层32表面进行粗化：采用线路板铜箔粗化的方法，将导体层32的一面先粗化，后固化，再钝化，所述粗化镀液包括碱铜和酸铜镀液；或采用线路板微蚀的方法，将导体层32的一面先粗化，再钝化；导体层32的表面粗糙度为0.3-10微米，优选0.3-8微米。所述微蚀液为下列中的一种：硫酸- 双氧水型蚀刻液、过硫酸钠蚀刻液、氯化铜蚀刻液、氯化铁蚀刻液、氯化铜铵- 氨水体系的碱性蚀刻液、有机碱性蚀刻液；

5）在导体层32表面形成胶膜层4；所述胶膜层4为胶制成，厚度为0.2-10微米，优选0.5-10微米；胶膜层4所用的胶为改性环氧树脂类、改性丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类、改性聚氨酯类树脂中的至少一种。

实施例6：

如图6所示，一种自由接地膜，其可剥离载体膜1的一侧设有耐高温防氧化层2，耐高温防氧化层2的另一侧设有导体层3，导体层3由导体层31和导体层32组成，导体层32的另一侧设有胶膜层4，所述胶膜层4中含有导电粒子；所述的可剥离载体膜为具有离型和分散作用的聚酯膜。

一种自由接地膜的制作方法，其包括的具体制作步骤如下：

1）在可剥离载体膜1一侧形成耐高温防氧化层2；其中，所述耐高温防氧化层的厚度为0.01-5微米；所述耐高温防氧化层2为胶制成或胶与导电粒子的混合物制成，所述的胶为改性环氧树脂类、改性丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类、改性聚氨酯类树脂中的至少一种；导电粒子为碳、银、镍、铜颗粒、镍金、铜镍、铜镍金颗粒中的至少一种；所述耐高温防氧化层2为胶制成时，其厚度优选为0.1-2微米；所述耐高温防氧化层2为胶与导电粒子的混合物制成时，导电粒子与胶的体积比为5%到80%，其厚度优选为0.1-5微米；

2）在耐高温防氧化层2的另一侧形成导体层31；其中，所述导体层31的厚度为0.01-1微米，优选0.1-1微米；导体层31所用材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯中的至少一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；所述导体层31的形成方式为：化学镀、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或者以上工艺中的至少两种的复合工艺；

3）在导体层31表面形成导体层32；其中，所述导体层32厚度为0.01-35微米，优选0.1-10微米；导体层32所用材料为金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯中的一种，所述的金属材料为这些金属单质中的一种：铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼；或者为这些金属单质中的至少两种形成的合金；所述导体层32的形成方式为：化学镀、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或者以上工艺中的至少两种的复合工艺；

4）将导体层32表面进行粗化：采用线路板铜箔粗化的方法，将导体层32的一面先粗化，后固化，再钝化，所述粗化镀液包括碱铜和酸铜镀液；或采用线路板微蚀的方法，将导体层32的一面先粗化，再钝化；导体层32的表面粗糙度为0.3-10微米，优选0.3-8微米。所述微蚀液为下列中的一种：硫酸- 双氧水型蚀刻液、过硫酸钠蚀刻液、氯化铜蚀刻液、氯化铁蚀刻液、氯化铜铵- 氨水体系的碱性蚀刻液、有机碱性蚀刻液。

5）在导体层32表面形成胶膜层4；所述胶膜层4由胶与导电粒子的混合物制成，厚度为0.2-20微米，优选0.5-10微米；胶膜层4所用胶材料为改性环氧树脂类、改性丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类、改性聚氨酯类树脂中的至少一种；导电粒子为可团聚形成更大尺寸的以下颗粒中的至少一种：碳、银、镍、铜、镍金、铜镍、铜镍金，导电粒子的粒径为0.1-15微米，优选0.2-10微米，导电粒子与胶的体积比为2%到80%；优选的，为5%-80%。

实施例7：

如图7所示，一种使用如实施例1或4结构的自由接地膜的屏蔽线路板，自由接地膜与包含屏蔽膜5的线路板在厚度方向上紧密连接，所述的屏蔽膜5包括绝缘层51、屏蔽层52，自由接地膜导体层3（导体层上为耐高温防氧化层2）与屏蔽膜的屏蔽层52通过胶膜层4中的导电粒子直接相连。

对应的，一种包含自由接地膜的屏蔽线路板的接地方法：包括以下步骤：

1）将实施例1或实施例4的方法制备的自由接地膜与屏蔽线路板在厚度方向热压固化，热压固化后再于160℃下固化1 h；当胶膜层4所用的胶为改性环氧树脂时，热压固化的温度和时间分别为：190℃、90s，当胶膜层4所用的胶为改性丙烯酸树脂：热压固化的温度和时间分别为：170℃、90s；

2）所述的自由接地膜的胶膜层4中的导电粒子团聚成大尺寸颗粒，刺穿屏蔽膜5的绝缘层51，与屏蔽膜5的屏蔽层52接触，实现接地。

所述胶膜层4中含有导电粒子，导电粒子自由团聚形成大尺寸颗粒，刺穿屏蔽膜5的绝缘层51，与屏蔽膜5的屏蔽层52接触，实现接地，可降低原材料设计难度，增大原材料选择自由度（不限制导电粒子的粒径及粒径分布）。

实施例8：

如图8所示，一种使用如实施例2或5结构的自由接地膜的屏蔽线路板，自由接地膜与包含屏蔽膜5的线路板在厚度方向上紧密连接，所述的屏蔽膜5包括绝缘层51、屏蔽层52，自由接地膜导体层3（导体层上为耐高温防氧化层2）与屏蔽膜的屏蔽层52通过导体层3的粗糙面直接相连。

对应的，一种包含自由接地膜的屏蔽线路板的接地方法：包括以下步骤：

1）将实施例2或实施例5的方法制备的自由接地膜与屏蔽线路板在厚度方向热压固化，热压固化后再于160℃下固化1 h；当胶膜层4材料为改性环氧树脂时，热压固化的温度和时间分别为：190℃、90s，当胶膜层4材料为改性丙烯酸树脂：热压固化的温度和时间分别为：170℃、90s；

2）所述的自由接地膜的导体层3的粗糙面的一部分刺穿屏蔽膜5的绝缘层51，与屏蔽膜5的屏蔽层52接触，实现接地。

所述胶膜层4中不含导电粒子，依靠导体层3的粗糙面刺穿屏蔽膜5的绝缘层51，与屏蔽膜5的屏蔽层52接触，实现接地，可提高产品的接地可靠度（避免导电粒子粒径的不均匀性），降低原材料设计难度（不需要控制导电粒子的粒径），同时可大幅度降低成本。

实施例9：

如图9所示，一种使用如实施例3或6结构的自由接地膜的屏蔽线路板，自由接地膜与包含屏蔽膜5的线路板在厚度方向上紧密连接，所述的屏蔽膜5包括绝缘层51、屏蔽层52，自由接地膜导体层3（导体层上为耐高温防氧化层2）与屏蔽膜屏蔽层52通过胶膜层4中的导电粒子和导体层3的粗糙面的共同作用相接触。

对应的，一种包含自由接地膜的屏蔽线路板的接地方法：包括以下步骤：

1）将实施例3或实施例6的方法制备的自由接地膜与屏蔽线路板在厚度方向热压固化，热压固化后再于160℃下固化1 h；当胶膜层4材料为改性环氧树脂时，热压固化的温度和时间分别为：190℃、90s，当胶膜层4材料为改性丙烯酸树脂：热压固化的温度和时间分别为：170℃、90s；

2）所述的自由接地膜的导体层3的粗糙面与胶膜层4中的导电粒子共同刺穿屏蔽膜5的绝缘层51，与屏蔽膜5的屏蔽层52接触，实现接地。

所述胶膜层4中含少量导电粒子，依靠自由接地膜的导体层3的粗糙面与胶膜层4中的导电粒子共同刺穿屏蔽膜5的绝缘层51，与屏蔽膜5的屏蔽层52接触，实现接地，可进一步保证产品的接地可靠度（避免导电粒子粒径的不均匀性），降低接地电阻；降低原材料设计难度（不需要刻意选用粒径较大的导电粒子）。