电波吸收体的制作方法
电波吸收体的制作方法
【专利摘要】本发明的电波吸收体具备：多个金属粒子，其含有选自由Fe、Co、Ni构成的第一组中的至少一种磁性金属元素，线膨胀系数为1×10-6/K以上且10×10-6/K以下；结合层，其将金属粒子结合，电阻比金属粒子高。而且，电波吸收体中的金属粒子的体积填充率为10％以上且50％以下。
【专利说明】电波吸收体
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请基于并主张2013年9月20日申请的日本专利申请No. 2013-194768的优 先权，将其全部内容引用于此。
【技术领域】
[0003] 本发明涉及电波吸收体。
【背景技术】
[0004] 使用了磁性材料的磁损耗型电波吸收体一般与介质损耗型或导电损耗型电波吸 收体相比具有宽频带的电波吸收特性。但是，在8?18GHz的频带狂频带、Ku频带）下， 未必能实现特性良好的磁损耗型电波吸收体。
[0005] 另外，对于在宽的温度范围内使用的电波吸收体，期望抑制伴随温度变化的电波 吸收特性的变化。
【发明内容】
[0006] 本发明要解決的课题在于，提供抑制了伴随温度变化的电波吸收特性的变化的电 波吸收体。
[0007] 本发明一个方式的电波吸收体具备；多个金属粒子，其含有选自由化、Co、Ni构成 的第一组中的至少一种磁性金属元素，线膨胀系数为1X1(T 6/K W上且10X1(T6/K W下；结 合层，其将金属粒子结合，且电阻比金属粒子高。而且，电波吸收体中的金属粒子的体积填 充率为10%W上且50%W下。
[000引根据上述构成，提供抑制了伴随温度变化的电波吸收特性的变化的电波吸收体。
【专利附图】
【附图说明】
[0009] 图1A、图1B是实施方式的电波吸收体的示意剖面图。
[0010] 图2是表示实施方式的电波吸收体的电波吸收特性的图。
[0011] 图3A、图3B是说明实施方式的作用的图。
[0012] 图4是表示电波吸收体的介电常数的温度依赖性的图。
[0013] 图5是表示化Ni合金的线膨胀系数的图。
[0014] 图6是表示化CoNi合金的H角图。
【具体实施方式】
[0015] 实施方式的电波吸收体具备；多个金属粒子，其含有选自由化、Co、Ni构成的第一 组中的至少一种磁性金属元素，线膨胀系数为1 X 1(T6/K W上且10X 1(T7K W下；结合层， 其将金属粒子结合，且电阻比金属粒子高。而且，电波吸收体中的金属粒子的体积填充率为 10%W上且50%W下。
[0016] 下面，使用【专利附图】
【附图说明】本发明的实施方式。
[0017] 实施方式的电波吸收体具备；多个金属粒子，其含有选自由化、Co、Ni构成的第一 组中的至少一种磁性金属元素，线膨胀系数为1X i(t6/k W上且10X i(t7k W下；结合层， 其将金属粒子结合，且电阻比金属粒子高。而且，电波吸收体中的金属粒子的体积填充率为 10%W上且50%w下。
[0018] 实施方式的电波吸收体具备上述构成，由此，抑制介电常数的温度依赖性，且抑制 电波吸收特性的温度依赖性。
[0019] 图1A、图1B是实施方式的电波吸收体的示意剖面图。实施方式的金属粒子是核 也-壳体型粒子。图1A、图1B分别表示核也-壳体型粒子的壳体层的方式不同的电波吸收 体。
[0020] 电波吸收体100具备多个核也-壳体型粒子1和将核也-壳体型粒子1结合的结 合层30。结合层30的电阻比核也-壳体型粒子1高，例如结合层30由树脂形成。
[0021] 核也-壳体型粒子1具备核也部10和被覆核也部10的至少一部分的壳体层20。 核也部10含有选自由Fe (铁）、Co (钻）、Ni (媒）构成的第一组中的至少一种磁性金属元 素。另外，包含选自由Mg (镇）、A1 (铅）、Si (娃）、Ca (巧）、Zr (铅）、Ti (铁）、Hf (給）、 Zn (锋）、Mn (猛）、稀±类元素、Ba(顿）及Sr (餓）构成的第二组中的至少一种金属元素。
[0022] 壳体层20由氧化物层21和含碳材料层22形成。氧化物层21含有核也部10中 所含的至少一种第二组的金属元素。图1A的情况下，W覆盖核也部10的方式设置氧化物 层21，且W覆盖氧化物层21的方式设置含碳材料层22。另外，图1B的情况下，覆盖核也部 10的壳体层20成为氧化物层21和含碳材料层22的混合层。
[0023] 核也-壳体型粒子1的方式不限于此，可W采用各种各样的方式。另外，上述含碳 材料层22在W核也部10彼此不接触的方式形成了氧化物层21的情况下，也可W省略其一 部分。
[0024] 另外，核也-壳体型粒子1的线膨胀系数为1 X 1(T7K W上且10 X 1(T7K W下。优 选该线膨胀系数的范围至少在25C (相当于室温）充足。线膨胀系数优选为8X1(T6/K W 下，更优选为6X1(T6/K W下。
[00巧]如果核也-壳体型粒子1的线膨胀系数超过上述范围，则有可能介电常数的温度 依赖性过大，电波吸收特性的温度依赖性过大。另外，难W实现低于上述范围的核也-壳体 型粒子1。
[0026] 此外，本说明书中，核也-壳体型粒子1的线膨胀系数W核也-壳体型粒子1的 核也部的金属的线膨胀系数为代表。金属的线膨胀系数根据JISZ2285 "金属材料的线膨 胀系数的测定方法"，使用热机械分析装置及光扫描式测定装置测定。例如，通过使用德国 Linseis公司制的激光膨胀仪（laser dilatometer)，能得到长度为10mm、直径为5mm的圆 柱型的试验片的25°C ±10(TC的温度范围内的线膨胀系数。
[0027] 核也-壳体型粒子1因包含于核也部10中的磁性金属元素而具备强磁性。核也 部10例如为化Ni合金、化NiCo合金。核也部10例如为因瓦合金、42合金、科瓦（注册商 标）合金。
[0028] 此外，电波吸收体100中，除核也-壳体型粒子1之外，有时还含有氧化物粒子25。 该氧化物粒子25例如为核也-壳体型粒子1的氧化物层21剥离而成的粒子。氧化物粒子 25含有与核也部10及氧化物层21共通的属于第二组的元素。氧化物粒子25例如包含于 结合层30。
[0029] 另外，氧化物粒子25与氧化物层21相比，第二组的金属元素相对于第一组的磁性 金属的比例高。换而言之，优选氧化物粒子25中的属于第二组的元素相对于属于第一组的 元素的原子数比大于氧化物层21中的属于第二组的元素相对于属于第一组的元素的原子 数比。该是因为金属粒子的耐氧化性进一步提高。
[0030] 在氧化物层21未从核也-壳体型粒子1剥离的情况下，有时电波吸收体100中不 含氧化物粒子25。在存在氧化物粒子25的情况下，电波吸收体100的热稳定性提高。
[0031] 而且，电波吸收体中的核也-壳体型粒子1的体积填充率为10% W上且50% W 下。体积填充率更优选为15% W上且30% W下。
[0032] 如果超过上述范围，则金属的性质出现，从而反射率变高，电波吸收特性劣化。另 夕F，电波吸收特性的温度依赖性增大。另外，如果低于上述范围，则饱和磁化降低，由此，源 自磁特性的电波吸收特性可能降低。另外，实现实用的电波吸收特性所需的厚度可能变得 过厚。
[0033] 核也-壳体型粒子（金属粒子）1的体积填充率例如可通过对TEM(Transmission Electron Microscope,透射电子显微镜）照片进行图像处理，求出各金属粒子的截面积和 其W外的构成部面积的比率而算出。此外，在核也-壳体型粒子（金属粒子）1的情况下， 壳体层20不包含于金属粒子的体积中，仅将核也部10作为金属粒子的体积进行处理。
[0034] 图2是表示实施方式的电波吸收体的电波吸收特性的图。横轴表示电波的频率， 纵轴表示回程损耗。实施方式的电波吸收体在8?18GHz该样的频带狂频带、Ku频带）中 显示良好的电波吸收特性。通过将金属粒子的体积填充率设为20?30%，使样品厚度在 1?2mm之间变化，能使电波吸收频带变化。
[00巧]图3A、图3B是说明实施方式的作用的图。图3A是金属粒子的体积填充率及温度 与金属粒子间的距离的关系的说明图。图3B是表示金属粒子间的距离与介电常数的关系 的图。
[0036] 如图3A所示，在低温时和高温时，金属粒子热收缩或热膨胀，由此金属粒子间的 距离变化。关于金属粒子间的距离的变化量，在金属粒子的体积填充率低的情况下还是高 的情况下都相同。但是，金属粒子间的距离的绝对值在金属粒子的体积填充率低的情况下 大，在高的情况下小。
[0037] 如图3B所示，金属粒子间的距离的绝对值越小，电波吸收体的介电常数越高。而 且，金属粒子间的距离的绝对值越小，电波吸收体的介电常数越急剧变化。因此，就电波吸 收体的介电常数的变化量（图中粗黑箭头）而言，金属粒子的体积填充率高的情况比低的 情况大。
[003引图4是表示电波吸收体的介电常数的温度依赖性的图。在由金属粒子和树脂的结 合层构成的电波吸收体中，示出高体积填充率（28体积％ )的情况和低体积填充率（22体 积％)的情况。另外，为了进行比较，也示出陶瓷电介质的情况的评价结果。可知与高体积 填充率（28体积％ )的情况、低体积填充率（22体积％ )的情况相比，温度依赖性大。
[0039] 电波吸收体的电波吸收特性由电波吸收体的磁导率或介电常数决定。因此，如果 电波吸收体的介电常数变化，则电波吸收特性变动。为了抑制电波吸收特性的变化，需要抑 制电波吸收体的介电常数的由温度变化引起的变化。
[0040] 介电常数的由温度引起的变化优选在25C (相当于室温）±5(TC、更优选在 25C (相当于室温）±10(TC的温度范围内控制在±10%的范围内。因此，在实施方式的 电波吸收体中，如上述那样将体积填充率设为50% W下，将金属粒子的线膨胀系数设为 10X1(T6/K W下。从抑制介电常数的由温度变化引起的变化的观点出发，金属粒子的线膨 胀系数优选为8X 1(T6/k W下，更优选为6X 1(T6/K W下。
[0041] 图5是表示化Ni合金的线膨胀系数的图。例如，可知如果Ni/(化+Ni)为30质 量％ W上且50质量％ ^下，则25C (相当于室温）的线膨胀系数（图中粗线）为1 X 1(T6/ KW上且10X1(T6/KW下。36质量％的情况为因瓦合金，42质量％的情况为42合金。从 降低线膨胀系数的观点出发，优选Ni/ (化+Ni)为35质量％ W上且50质量％ W下。
[0042] 图6是化NiCo合金的H角图。图中的数值是室温下的饱和磁化（单位T(特斯 拉））。在将化CoNi合金中各自的元素的质量比表述为aFe-bNi-cCo (a+b+c = 100)的情况 下，从使上述线膨胀系数的范围充足的观点出发，优选为35《a《70、25《b《55(图中 斜线部）。此外，54Fe-29Ni-17Co是科瓦（注册商标）合金。
[0043] 另外，电波吸收体的电阻为10MQ . cm W上，优选为100MQ . cm W上，更优选为 1000M Q ? cm。如果为该范围，则可抑制电波的反射，能够W高损耗得到高的电波吸收特性。 此外，关于电阻，通过姗射处理在直径为15mm、厚度为1mm的盘形状的电波吸收体的表背面 形成直径为5mm的Au电极，通过读取电极间施加10V的电压时的电流值而导出电阻。电流 值具有时间依赖性，因此，W施加电压后经过2分钟时的值为测定值。
[0044] W下，对电波吸收体的构成进行详述。
[0045] (核也-壳体型粒子）
[0046] 对核也-壳体型粒子的形状进行描述。核也-壳体型粒子可W为球状，但是优选为 具有大的纵横尺寸比（例如为10 W上）的扁平状、棒状。棒状也包括旋转楠圆体。在此， "纵横尺寸比"是指高度与直径之比（高度/直径）。在球状的情况下，高度和直径相等，因 此，纵横尺寸比为1。扁平状粒子的纵横尺寸比为（直径/高度）。棒状的纵横尺寸比为 (棒的长度/棒的底面的直径）。其中，旋转楠圆体的纵横尺寸比为（长轴/短轴）。
[0047] 如果增大纵横尺寸比，则能够赋予由形状带来的磁各向异性，能够提高磁导率的 高频特性。并且，在使核也-壳体型粒子一体化而制作所希望的部件时，通过磁场能容易地 使核也-壳体型粒子取向，而且能够提高磁导率的高频特性。另外，通过增大纵横尺寸比， 能够增大成为单磁畴结构的核也部的界限粒径，例如能够形成超过50nm的粒径。在球状的 核也部的情况下，成为单磁畴结构的界限粒径为50nm左右。
[0048] 在纵横尺寸比大的扁平状的核也-壳体型粒子的情况下，能够增大界限粒径，磁 导率的高频特性不会劣化。通常，粒径大的粒子容易合成，因此，从制造上的观点考虑，纵横 尺寸比大的核也-壳体型粒子有利。而且，通过增大纵横尺寸比，使用核也-壳体型粒子1 制作电波吸收体时，能够增大核也-壳体型粒子的体积填充率，因此，能够增大电波吸收体 的单位体积、单位质量的饱和磁化。因此，其结果是，还能够增大电波吸收体的磁导率。
[0049] 此外，核也-壳体型粒子1的平均粒径可W通过TEM观察，W各粒子的最长对角线 和最短对角线的平均值作为其粒径，可由多个粒径的平均值求出。
[0050] (核也部）
[0051] 上述核也-壳体型粒子1的核也部含有选自由化、Co、Ni组成的第一组中的至少 一种磁性金属兀素（第一组金属兀素）和选自由Mg、A1、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、]\1]1、稀±类 元素、Ba及Sr组成的第二组中的至少一种金属元素（第二组金属元素）。
[0052] 通过使上述核也部10含有第一组磁性金属元素，能够将电波吸收体100高磁导率 化。另外，第二组金属元素的氧化物的标准生成吉布斯能小，易氧化。因此，核也部10的表 面附近的第二组元素易形成氧化物层21。另外，通过使氧化物层21含有第二组元素，电波 吸收体100的电绝缘性稳定。
[0053] 作为核也部10所含的磁性金属（第一组金属元素），可W为金属元素单质，也可W 为合金。尤其是核也部10优选使用化Ni基合金、FeCo基合金、FeNiCo基合金。该是因为 能实现低的线膨胀系数。
[0054] 作为属于第二组的元素，其中，A1、Si容易与作为核也部的主成分的化、Co、Ni固 溶，有助于核也-壳体型粒子1的热稳定性提高，故而优选。特别是在使用A1的情况下，热 稳定性及耐氧化性增高，故而优选。此外，如果同时含有A1和Si,则可抑制核也-壳体型粒 子1的凝集、晶粒生长，所得的复合部件的高频磁导率和热稳定性、耐氧化性等诸特性进一 步提高，故而优选。
[00巧]另外，通过向属于第二组的元素中添加其它种类的属于第二组的元素，也能进一 步提高特性。作为添加元素，通过选择稀±类元素那样的活性金属元素，可W抑制核也-壳 体型粒子1的凝集、晶粒生长，能进一步提高所得的复合部件的高频磁导率及热稳定性、耐 氧化性等诸特性，故而优选。例如，优选在含有A1和Si中的至少一者的元素中添加Y等稀 ±类元素。
[0056] 或者，通过使其它种类的属于第二组的添加元素的价数与属于第二组的元素的价 数不同，也能期待同样的效果。而且，通过使其它种类的属于第二组的添加元素的原子半径 比属于第二组的元素的原子半径大，也能期待同样的效果。
[0057] 核也部材料中也可W固溶有碳原子或氮原子。
[0058] 核也部中所含的第一组、第二组的元素的组成分析例如可通过W下的方法进行。 例如，像A1那样的非磁性金属的分析可举出ICP(In化ctively coupled plasma,感应禪合 等离子体）发光分析、TEM-EDX巧ne;rgy Dispersive X-ray Fluorescence Spectrometer, 能量扩散X射线光谱仪）、XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy, X射线光电子能谱 法）、SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry,二次离子质谱法）等方法。根据ICP发光 分析，通过对用弱酸等溶解后的磁性金属粒子部分（核也部）、与用碱或强酸等溶解壳体层 得到的残留物、及粒子整体的分析结果进行比较，能确认核也部的组成，即能分离测定核也 部中的非磁性金属的量。另外，根据TEM-邸X，将电子束集中照射到核也部或壳体层，能将各 部位的构成元素比定量。而且，根据XPS，也能调查构成核也部或壳体层的各元素的结合状 态。
[0059] 关于核也-壳体型粒子1中所含的属于第二组的成分相对于属于第一组的成分的 固溶状态，可W由利用XRD狂-ray DifTraction，X射线衍射）测定的晶格常数来判断。例 女口，A1、碳固溶于化时，化的晶格常数根据固溶量而变化。完全未固溶的bcc-Fe的情况 下，晶格常数理想为2. 86左右，但是，A1固溶时，晶格常数变大，在5mass %左右的A1的固 溶的情况下，晶格常数增大0. 005?0. 01左右。在lOmass%左右的A1固溶的情况下，增 大0. 01?0. 02左右。另外，碳固溶于bcc-Fe，晶格常数也增大，在0. 02质量％左右的碳固 溶的情况下，增大0. 001左右。该样，通过进行核也部的XRD测定，求出磁性金属的晶格常 数，根据其大小能够容易判断是否固溶、W及W何种程度固溶。另外，是否固溶也可W由利 用TEM进行的粒子的衍射图来确认。
[0060] 核也部10可W为多晶、单晶的任一种方式，但是优选为单晶。将使用了含有单晶 核也部的核也-壳体型粒子的复合部件用于高频设备时，能够使易磁化轴一致，能够控制 磁各向异性。因此，与包含含有多晶核也部的核也-壳体型粒子的高频磁性材料相比，能够 提高高频特性。
[0061] 核也部10中所含的第二组的元素量相对于第一组的元素量，优选W 0. 001质量％ W上且20质量％ W下的量含有。第二组的元素的含量超过20质量％时，有降低核也-壳 体型粒子1的饱和磁化的可能性。从高饱和磁化和固溶性的观点考虑，更优选的量为1质 量％ W上且10质量％ W下的范围。
[006引核也部10在粒度分布中的平均粒径希望为Inm W上且lOOOnm W下，优选为Inm W上且100皿W下，进一步优选为10皿W上且50皿W下。平均粒径不足10皿时，有产生 超常磁性、所得到的复合部件的磁通量降低的可能性。另一方面，平均粒径超过lOOOnm时， 有所得到的复合部件的高频区域中润流损耗增大、在目标高频领域中的磁特性降低的可能 性。在核也-壳体型粒子1中，核也部10的粒径增大时，作为磁结构，与单磁畴结构相比， 多磁畴结构在能量上更稳定。此时，多磁畴结构的核也-壳体型粒子1与单磁畴结构的核 也-壳体型粒子相比，所得到的电波吸收体100的磁导率的高频特性降低。
[0063] 由此，将核也-壳体型粒子1用作电磁波吸收体时，优选作为具有单磁畴结构的核 也-壳体型粒子1存在。由于具有单磁畴结构的核也部10的界限粒径为50nm左右W下， 因此，其核也部的平均粒径优选为50nm W下。从W上方面考虑，核也部10的平均粒径希望 为1皿W上且1000皿W下，优选为1皿W上且100皿W下，进一步优选为10皿W上且50皿 W下。
[0064] (壳体层）
[0065] 如上所述，上述壳体层20覆盖上述核也部10的至少一部分，至少含有氧化物层 21。进一步还可W含有含碳材料层22。
[0066] 壳体层中的氧化物层21与含碳材料层22的形态没有特别的规定，但是优选为氧 化物层21密合于核也部10的结构。另外，优选与核也部10相比，氧化物层21中的第二组 金属元素相对于第一组磁性金属的比例高。换言之，氧化物层21中的属于第二组的元素相 对于属于第一组的元素的原子数比比核也部10中的属于第二组的元素相对于属于第一组 的元素的原子数比大。原因在于粒子的耐氧化性更高。
[0067] (壳体层/氧化物层）
[0068] 上述氧化物层21含有作为上述核也部10的构成成分的第二组元素中的至少一种 元素。目P，核也部10与氧化物层21具有共同的第二组元素。在氧化物层21中，与该核也 部10共同的元素形成为氧化物。上述氧化物层21优选为使核也部10的第二组元素氧化 而得到的层。
[0069] 上述氧化物层21的厚度优选为0. 01?5皿的范围。超过该范围时，有磁性金属 的构成比减少、粒子的饱和磁化降低的可能性。另外，低于该范围时，不能期待由氧化物层 21得到的耐氧化性的稳定化效果。
[0070] 氧化物层21中的氧量没有特别规定，优选作为核也-壳体型粒子1测定氧量时， 相对于粒子整体，优选含有0. 5质量％ W上且10质量％ W下的氧，进一步优选为1质量％ W上且10质量％ ^下，更进一步优选为2质量％ W上且7质量％ ^下。超过该范围时，有 磁性金属的构成比减少、粒子的饱和磁化降低的可能性。另外，低于该范围时，不能期待由 氧化物层21带来的耐氧化性的稳定化效果。
[0071] 关于氧量的定量方法，例如在含碳材料层22被覆核也部表面时，使用Sn胶囊作为 助燃剂，在化气等惰性气氛下在碳容器内将称量为2?3mg的测定样品通过高频加热加热 到200(TC左右来进行。氧测定通过利用高温加热使样品中的氧与碳容器反应，检测生成的 二氧化碳，从而能够计算出氧量。另外，利用主链由姪形成的有机化合物来覆盖磁性粒子 时，通过变更温度控制器和燃烧气氛，从而仅对来自氧化物层21的氧量进行分离定量。核 也-壳体型粒子中所占的氧量为0. 5质量％ W下时，壳体层中所占的氧化物层21的比例变 小，其结果是，耐热性和热可靠性差。核也-壳体型粒子1中所占的氧量为10质量％ ^上 时，氧化物层21的剥离性增加。
[0072] (壳体层/含碳材料层）
[0073] 作为构成壳体层20的一部分的含碳材料层22,可W采用姪气反应产物、金属碳化 物、或者有机化合物等。由于该层的存在，能够更有效地抑制核也部10的金属材料的氧化， 提局耐氧化性。
[0074] 含碳材料层22的平均厚度优选为0. 1皿W上且10皿W下，进一步优选具有1皿 W上且5nm W下的厚度。此外，在此所说的"厚度"是指，沿着将核也-壳体型粒子1的中 也与外缘连接的直线的长度。含碳材料层22的厚度不足Inm时，耐氧化性不充分。而且， 有复合部件的电阻显著降低、易发生润流损耗、磁导率的高频特性变差的可能性。
[0075] 另一方面，若含碳材料层22的厚度超过lOnm，则在使由含碳材料层被覆的核 也-壳体型粒子一体化来制作所希望的部件时，与壳体层20的厚度相应，部件中所含的核 也部10的填充率降低，所得到的电波吸收体100的饱和磁化降低，由此有可能导致磁导率 降低。
[0076] 另外，含碳材料层22的膜厚可W通过TEM观察而求出。
[0077] 上述"姪气反应产物"是指，在核也部10表面，将使姪气分解而生成的材料用作被 膜。作为上述姪气，例如可W列举出己快气体、丙焼气体、甲焼气体等。该反应产物不确定， 但是认为其含有碳薄膜。作为该含碳材料层22,优选具有适度的结晶性。
[0078] 含碳材料层22的结晶性的评价具体有在姪气化温度下评价含碳材料层的结晶性 的方法。使用TG-MS (热天平-质量分析）等装置，通过在大气压下的氨气流下的分析来监 视姪（例如质量数为16)的产生，由产量成为峰值的温度进行评价。上述的姪气化温度优 选为30(TC?65(TC的范围，进一步优选为450?55(TC的范围。原因在于，姪气化温度高 于65(TC时，含碳材料层22过于致密，妨碍氧化物层21的生成。另外，在30(TC W下时，含 碳材料层22的缺陷过多，进行过度氧化。
[0079] 上述含碳材料层22也可W为金属碳化物材料。此时的碳化物可W举出形成核也 部10的第一、或第二元素组的碳化物。其中，碳化娃、碳化铁为稳定的碳化物，因此，具有适 度的热可靠性，故而优选。
[0080] 上述含碳材料层22还可W为有机化合物。另外，该有机化合物层也可W形成于上 述姪气反应产物的表面。有机化合物优选为主链含有碳、氨、氧、氮中的任一种的有机聚合 物类或低聚物类。
[0081] 上述有机化合物材料在常温常压下为固体材料。该有机化合物例如不管是天然化 合物或是合成化合物，可W选自有机聚合物类或低聚物类。实施方式的聚合物类或低聚物 类可W通过公知的自由基聚合或缩聚而得到。
[0082] 上述有机化合物例如可W选自聚帰姪类、聚己帰基类、聚己帰醇类、聚醋类、聚乳 酸类、聚轻基己酸类、聚苯己帰类、聚（甲基）丙帰酸甲醋类、聚醜胺类、W及聚氨醋类、聚纤 维素类、W及环氧化合物的均聚物、或它们的共聚物。另外，该有机化合物可W选自包括明 胶、果胶、或卡拉胶等天然高分子的多糖。
[0083] 由有机化合物形成的壳体层20优选具有2nm W上的厚度。
[0084] 上述有机化合物优选使用透氧系数在常温常压的状态下为 lXl(T"[cm3(ST巧? cm/cm2 ? S ? Pa] W上的有机化合物。目P，优选透氧系数 > 1 X 1(T" [cm3 (ST巧? cm/cm2 ? S ? Pa]。低于该透氧系数时，在氧化物-碳-金属粒子集合 体、即核也-壳体型粒子1的形成中，有不进行氧化物层21的形成、引起特性的劣化的可能 性，因而不优选。
[0085] 在透氧系数的测定中，可W利用公知的技术进行测定，例如可W利用W JISK7126-U差压法）为基准的差压式的气相色谱法进行。目P，可W准备有机化合物的薄 膜，W此为界，通过一边进行加压、另一边的透过侧进行减压的方法进行测定，从而进行评 价。此时，可W利用气相色谱法将透过的气体分离，利用热导检测器（TCD) W及氨火焰离子 化检测器（FID)，求出单位时间的透气量，从而计算出透氧系数。
[0086] 在实施方式中，在电波吸收体100的制造过程中，壳体层20的氧化物层21和含碳 材料层22显示W下的作用。
[0087] 壳体层20仅由含碳材料层22构成时，因含碳材料层22的裂缝等，核也部10的氧 化急剧进行，部分伴随着放热，因此，卷入周围的粒子，连锁地进行氧化，成为核也-壳体型 粒子1的凝集和晶粒生长的原因。
[0088] 另外，壳体层20仅由氧化物层21构成时，有氧化物组成中产生不均匀的部分、不 含第二组金属元素的氧化物、W第一组元素为主体的氧化物层存在的部位增加的可能性。 第二组元素的氧化物抑制元素扩散，对核也部的保护性高，但是，第一组元素的氧化物的元 素扩散比第二组元素的氧化物大，对核也部10的保护性差。因此，氧化物层21中第一组元 素的氧化物多时，核也部10进行过度氧化。
[0089] 壳体层20由氧化物层21和含碳材料层22适当地构成，由此，能够良好地维持核 也-壳体型粒子1的耐氧化性。另外，壳体层20存在于核也-壳体型粒子1的表面，因此， 核也-壳体型粒子彼此通过壳体层20而接触。因此，核也部10的金属彼此直接形成界面的 概率低，因此，难W进行伴随着金属元素的扩散的凝集和晶粒生长。另外，能够抑制氧化物 层21的剥离性，耐热性良好，能够实现长时间的磁特性的热稳定性良好的电波吸收体100。
[0090] 关于氧化物层21与含碳材料层22的比例，优选氧化物层21与含碳材料层22的 质量比例为1 : 20?1 : 1的范围。
[0091] (核也-壳体型磁性粒子的制造方法）
[0092] 对实施方式的核也-壳体型磁性粒子1的制造方法进行说明。除去了碳被覆的核 也-壳体型粒子1的制造方法包括W下各工序。
[009引 （1)将选自由化、Co、Ni组成的第一组中的至少一种磁性金属元素和选自由Mg、 Al、Si、Ca、Z;r、Ti、Hf、Zn、Mn、稀±类元素、BaW及S;r组成的第二组中的至少一种金属元素 投入等离子体中，形成含金属粒子的工序（合金粒子形成工序）。
[0094] (2)在上述含金属粒子表面被覆含碳材料层的工序（碳被覆工序）。
[0095] (3)在含氧气氛下将上述用碳被覆了的含金属合金粒子氧化的工序（氧化工序）。
[0096] (4)进一步根据需要采用的将在上述（2)的碳被覆工序中形成的含碳材料层除去 的工序（脱碳工序）。
[0097] W下对各个工序（1)?（4)进行说明。
[009引 （（1);合金粒子形成工序）
[0099] 在成为核也部10的合金粒子的制造中，优选利用热等离子体法等。W下，说明利 用了热等离子体法的核也部的制造方法。
[0100] 首先，向高频感应热等离子体装置中流入作为等离子体产生用的气体的例如W氮 (Ar)为主要成分的气体，产生等离子体。接着，在等离子体内对磁性金属粉末（属于第一组 的金属）W及属于第二组的金属粉末进行喷雾。
[0101] 制造核也部10的工序并不限于热等离子体法，但是利用热等离子体法进行时，易 将材料组织控制在纳米水平，并且，能大量合成，因此优选。
[0102] 此外，作为向氮气中喷雾的金属粉末，可W使用固溶有第一组磁性金属和第二组 金属的平均粒径为1 y m W上且10 y m W下的磁性金属粉末。平均粒径为1 y m W上且10 y m W下的固溶粉末利用雾化法等合成。通过使用固溶粉末，利用热等离子体法，能够合成均匀 组成的核也部。
[0103] 此外，在核也部10中固溶有氮的合金粒子在具有高磁各向异性的方面是优选的。 为了固溶氮，可W考虑与氮一同导入氮作为等离子体产生用气体等的方法，但是并不限定 于此。
[0104] 此外，W生成的成为核也部10的合金粒子的线膨胀系数成为1X1(T7K W上且 10X1(T6/k W下的方式调整合金粒子的组成。
[010引（似；碳被覆工序）
[0106] 接着，对利用含碳材料层22被覆核也部10的工序进行说明。
[0107] 作为该工序，可W列举出（a)在核也部10表面使姪气反应的方法；化）在核也部 10表面使构成核也部10的金属元素与碳反应，成为碳化物的方法；（C)使用具有由姪形成 的主链的有机化合物被覆核也部表面的方法等。
[010引作为上述第一的（a)的方法的姪气反应方法是将载气与姪气一同导入核也部材 料表面，使之反应，利用其反应产物被覆核也部10的表面。所使用的姪气没有特别的限定， 例如可W列举出己快气体、丙焼气体、甲焼气体等。
[0109] W Fe、Co、Ni为主要成分的合金作为将姪气分解而使碳析出的催化剂是已知的。 通过该反应，能形成良好的含碳材料层22。目P，在显示催化作用的适当的温度范围，使W Fe、Co、Ni为主要成分的合金粒子与姪气接触，得到防止核也部10彼此接触的碳层。
[0110] 上述W Fe、Co、Ni为主要成分的合金粒子与姪气的反应温度因姪气种类而异，一 般优选为20(TCW上且lOOOCW下。在低于该温度的温度下，碳的析出量过少，作为覆膜不 充分。另外，在高于该温度的温度下，碳的电势过高，析出过度进行。
[0111] 另外，形成壳体层20的金属与姪气的反应温度对含碳材料层22的稳定性、即结晶 性有影响。在高反应温度下形成的含碳材料层22在高温下姪气化，在低反应温度下形成的 含碳材料层22在低温下姪气化。
[0112] 该样，含碳材料层22的稳定性可W利用在氨中的加热实验进行评价。姪气化温度 可W利用TG-MS法等装置，通过测定气体化浓度成为峰值的温度来评价。例如将质量编号 为16的姪气产生成为峰值的温度作为热分解峰值温度，该峰值温度越高，含碳材料层的稳 定性越高；该峰值温度越低，含碳材料层的稳定性越低。
[0113] 另外，还可W考虑将含碳的原料与成为壳体层20的原料同时喷雾的方法。在该方 法中使用的含碳的原料可W为纯粹的碳等，但是并不特别限定于此。
[0114] 从能够将均匀的碳被覆于核也部10该一点考虑，优选上述第二种的化）方法，但 是，用碳来被覆核也部10的表面的工序不一定限定于上述两种方法。
[0115] 作为将核也部10的材料表面的金属元素碳化的方法，可W采用公知的方法。例 女口，有利用CVD并通过与己快气体或甲焼气体反应而形成的方法。根据该方法，能够形成碳 化娃或碳化铁等热稳定的含碳材料层22。
[0116] 接着，作为上述（C)的被覆有机化合物的方法，可W采用各种公知的方法。例如， 已知有物理化学纳米胶囊化法W及化学纳米胶囊化法。物理化学方法可W选自相分离或凝 聚法（coacervation)、^及其它已知的用于纳米胶囊化的物理化学方法。化学方法可W选 自界面缩聚、界面聚合、分散介质中的聚合、原位缩聚、乳液聚合、W及其它已知的用于纳米 胶囊化的化学方法。有机化合物的含碳材料层22不利用共价键，通过物理结合与核也部10 或氧化物层21结合。
[0117] 通过上述方法，能够得到磁性金属的核也（由利用保护胶体进行了稳定化的金属 粒子形成）10、W及被覆了比2nm厚的聚合物的核也-壳体系。
[0118] 另外，除上述方法W外，还可W在成为壳体的聚合物溶液中投入磁性金属纳米粒 子，通过进行均质化，构成由有机化合物形成的壳体。在产业上，使用该方法的情况简便而 优选。
[0119] 在该方法中，各个粒子不一定W单体存在，还可W作为在由磁性金属形成的核也 粒子间形成有所希望的厚度的有机化合物层的凝集体而存在。
[0120] (做；氧化工序）
[0121] 对在氧存在下将在上述工序中得到的用碳被覆了的核也部10氧化的工序进行说 明。氧化物层21在核也部10与含碳材料层22的界面形成，或者含碳材料层22部分氧化 分解，形成氧化物层21。
[0122] 通过该处理，核也部10被氧化，但是，特别优选将核也部中所含的属于第二组的 金属氧化。目P，选自Mg、A1、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、]\1]1、稀±类元素、Ba W及Sr中的至少一 种非磁性金属被氧化，在核也部10的表面形成氧化物层21。
[0123] 氧化气氛为大气、或氧、CA等氧化性气氛、含有水蒸气的气体等即可，没有特别的 限定。使用氧时，氧浓度高时，氧化瞬时进行，有因过度放热等导致粒子凝集的可能性。因 此，优选为Ar、N2等不活泼性气体中含有5% W下的氧的气体，更优选为0.001%?3%的范 围，但是，并不特别限定于此。
[0124] 在上述气氛下的氧化也可W在加热环境下进行。此时的温度没有特别的限定，但 是，优选为从室温至30(TC左右的温度。原因在于，在此W下的温度下难W进行氧化，另外， 在此W上的温度下，氧化急剧进行，同时会引起粒子的凝集。
[0125] 上述在氧化工序中使用的气氛气体和温度，优选根据上述含碳材料层22的结晶 性、即稳定性与膜厚的平衡来选择。目P，使用稳定性高的含碳材料层22时，优选在氧势高的 状态下进行氧化；另外，使用稳定性低的含碳材料层22时，优选在氧势低的状态下进行氧 化。
[0126] 另外，使用厚度厚的含碳材料层22时，优选在氧势高的状态下进行氧化；使用薄 的含碳材料层22时，优选在氧势低的状态下进行氧化。另外，氧化在短时间内进行时，氧气 浓度可W为10%左右的浓度。通过W上的制造方法，可W制造壳体层20由含碳材料层22 含碳材料层22和氧化物层21形成的核也-壳体型粒子。
[0127] ((4);脱碳工序）
[012引例如在氨气氛中，在数百度下对通过至上述工序为止而得到的核也-壳体型粒子 1进行加热时，核也-壳体型粒子的含碳材料层22的全部或一部分被除去。因此，能够得到 氧化物层21被覆核也部的至少一部分的表面的核也-壳体型粒子1。通过该工序，能够提 高电波吸收体100的粒子的填充率。另外，除去上述的有机聚合物类或低聚物类等有机化 合物时，还可W在氧或氨存在下进行热分解，进行分解除去。
[0129] 热处理的气氛没有特别规定，可W考虑使碳进行姪气体化的还原气氛、和使碳进 行氧化碳气体化的氧化性气氛。
[0130] 一般由第二组元素构成的氧化物层21在还原性和氧化性的任一种气氛气体中， 在直至接近l〇〇(TC的高温下稳定，难W进行分解和气体化。另一方面，碳或碳化物层可W 在氨中数百度的加热中，成为姪气而气体化。同样地，可W在氧化性气氛中在数百度的加热 中，成为氧化碳气体而气体化。因此，通过选择加热气氛，能够使氧化物层21残留，仅选择 性地除去含碳材料层22。
[0131] 作为还原气氛，例如可W列举出含有氨或甲焼等还原性气体的氮或氮的气氛。更 优选的是浓度为50% W上的氨气气氛。该是因为含碳材料层22的除去效率得W提高。
[0132] 氧化性气氛可W列举出氧、二氧化碳、水蒸气等含有氧原子的气体和上述含有氧 原子的气体与氮、IS的混合气体。
[0133] 另外，含有还原性气体的氮或氮的气氛优选为气流，该气流的流速优选为lOmL/ 分钟W上。
[0134] 在还原气氛中的加热温度没有特别的规定，优选在locrc?80(TC的温度下进行。 其中，优选为30(TC W上且80(TC W下。加热温度不足10(TC时，有还原反应的进行变慢的可 能性。另一方面，超过80(TC时，有析出的金属微粒的凝集和晶粒生长在短时间内进行的可 能性。
[0135] 另外，进一步优选W含碳材料层22的结晶性、即含碳材料层22的稳定性为基准进 行选择。目P，具有高稳定性的含碳材料层22的情况下，优选为较高的温度；具有低稳定性的 含碳材料层22的情况下，优选为较低的温度。
[0136] 热处理温度和时间只要为至少能够还原含碳材料层22的条件，没有特别的限定。
[0137] 利用还原性气体进行碳除去处理后的核也-壳体型粒子1中所含有的碳量优选为 1质量％^下。原因在于电的影响减少。
[013引利用氧化性气氛进行的碳除去可W列举出空气、氧-氮、氧-氮等混合气体、控制 露点的加湿氮、或加湿氮等。
[0139] 利用氧化性气氛进行的碳除去法优选在尽可能低的氧分压下实施。与上述方法不 同，可W采用利用氨和含有氧原子的混合气体进行含碳材料层22的除去的方法。此时，还 可W同时进行碳除去和氧化，因此，能形成更稳定的氧化物层21。
[0140] 作为混合气体，没有特别的限定，可W列举出氨和氮-氧的混合气体、控制了露点 的氨气等。
[0141] 该样得到的核也-壳体型粒子的表面被氧化膜被覆，难W凝集。
[0142] 另外，进行该脱碳工序前，通过在含氧气氛或不活泼性气氛下，对核也-壳体型粒 子1进行等离子体照射或能量射线照射，对含碳材料层22的结晶性造成损伤，能够控制含 碳材料层22的氧透过性，能够在含碳材料层下形成适度的厚度的氧化物层。作为优选的能 量射线，选自电子束、离子束等。能使用的含氧气氛的氧分压优选为10化W上且l〇 3pa W 下。超过该范围时，难W激发或产生等离子体、电子束、离子束；低于该范围时，不能期待等 离子体或能量射线照射的效果。
[0143] (结合层（粘合剂））
[0144] 如图1A、图1B所示，通过上述实施方式制作的核也-壳体型粒子1与树脂或无机 材料等粘合剂（结合层）30混合并成形，作为所需要的形状、例如片状的电波吸收体100而 使用。
[0145] 电波吸收体100的形状根据用途可W采用大块（颗粒状、环状、矩形状等）、包括片 的膜状等形态。
[0146] 在该实施方式的核也-壳体型粒子1 W及电波吸收体100中，材料组织可利 用沈M、TEM进行判别或分析，衍射图（包括固溶的确认）可利用TEM衍射、XRD进行判 别或分析，构成元素的鉴定W及定量分析可利用通过ICP发光分析、英光X射线分析、 EPMA 巧lectron Probe Micro-Analysis,电子探针微区分析）、邸X、SIMS、TG-MS、红外线吸 收法进行的氧和碳分析等进行判别或分析。
[0147] 在将树脂用作粘合剂（结合层）30时，没有特别的限定，可W使用聚醋系树脂、聚 己帰系树脂、聚苯己帰系树脂、聚氯化己帰系树脂、聚己帰醇缩下酵树脂、聚氨醋树脂、纤维 素系树脂、ABS树脂、下膳橡胶、苯己帰-下二帰系橡胶、环氧树脂、酷酵树脂、醜胺系树脂、 醜亚胺系树脂、或者它们的共聚物。
[0148] 另外，还可W使用氧化物、氮化物、碳化物等无机材料作为粘合剂来代替树脂。无 机材料具体地可W列举出含有选自由Mg、A1、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、111、稀±类元素、Ba W 及Sr组成的组中的至少一种金属的氧化物、AIN、SisN4、SiC等。
[0149] 磁性片的制作方法没有特别的限定，例如可W将核也-壳体型粒子1与树脂和溶 剂混合，成为浆料，通过涂布、干燥来制作。另外，也可W将核也-壳体型粒子与树脂的混合 物进行压制而成型成片状或者颗粒状。进一步，也可W使核也-壳体型粒子1分散于溶剂 中，利用电泳等方法进行堆积。
[0150] 磁性片还可W为层叠结构。通过形成层叠结构，不仅能够容易地进行厚膜化，而且 通过与非磁性绝缘性层互相层叠，能够提高高频磁特性。目p，使包含核也-壳体型粒子的磁 性层形成为厚度为100 y m W下的片状，将该片状磁性层与厚度为100 y m W下的非磁性绝 缘性氧化物层互相层叠。通过该样的层叠结构，高频磁特性得W提高。通过使磁性层单层 的厚度为lOOym W下，在面内方向施加高频磁场时，不仅能够减小退磁磁场的影响，增大 磁导率，而且磁导率的高频特性得W提高。层叠方法没有特别的限定，可W利用将多个磁性 片重叠并进行压制等的方法进行压接，或者通过加热、烧结进行层叠。
[0151] 实施例
[015引 W下，对比实施例和比较例，进行更详细的说明。
[0153] (实施例1)
[0154] W 40L/分钟向高频感应热等离子体装置的腔内导入作为等离子体产生用气体的 氮，产生等离子体。按化：Ni : A1 W相对于总量的质量比计为65 : 35 : 5的方式，将作 为原料的平均粒径为10 y m的化粉末、平均粒径为10 y m的Ni粉末、W及平均粒径为3 y m 的A1粉末与氮（载气）一同按3L/分钟向该腔内的等离子体中喷射。
[0155] 同时，与Ar载气一同向腔内导入作为碳被覆的原料的甲焼气体，控制气体温度和 粉末温度，得到用碳被覆了化NiAl合金粒子的磁性金属粒子。核也部的化：Ni : A1W 质量比计为65 : 35 : 5。
[0156] 将该碳覆盖磁性金属粒子氧化约5分钟，得到用含碳材料层22和氧化物层21被 覆了的核也-壳体型粒子的集合体。
[0157] 通过TEM在化NiAl核也表面观察含碳材料层22和氧化物层21。核也-壳体型 粒子1的平均粒径为19nm，氧量为3. 6质量％。氧分析使用LEC0公司制的气体分析装置 (TC-600)，使用Sn胶囊作为助燃剂，利用高频加热在化气气氛下在碳容器内将称量为2? 3mg的测定样品加热到200(TC左右而进行。氧测定通过利用高温加热使样品中的氧与碳容 器反应，检测生成的二氧化碳，从而计算出氧量。
[0158] 另外，本样品的含碳材料层22的热稳定性使用TG-MS，W 200mL/分钟的流量流入 大气压、纯度为99% W上的氨气，W 2(TC /分钟升温时，检测出来自姪气的质量数为16的 峰，该峰（姪气化温度）在499C附近出现。
[0159] 将该样的核也-壳体型粒子1与树脂按W质量比计为100 : 70及100 : 10的比 例进行混合，进行厚膜化而成为评价用材料。核也-壳体型粒子1的体积填充率为10%及 50%。
[0160] (实施例2)
[0161] 用与实施例1同样的方法，制作核也部的化：Ni : A1 W质量比计为58 = 42 : 5、 体积填充率为30%的评价用材料。
[0162] (实施例3)
[0163] 用与实施例1同样的方法，制作核也部的化：Ni : A1 W质量比计为 50 : 50 : 10、体积填充率为10%、50%的评价用材料。
[0164] (实施例4)
[0165] 用与实施例1同样的方法，制作核也部的化：Ni : Co : Si W质量比计为 54 : 29 : 17 : 5、体积填充率为30%的评价用材料。
[0166] (实施例5)
[0167] 用与实施例1同样的方法，制作核也部的化：Ni : Co : Si W质量比计为 64 : 32 : 4 : 5、体积填充率为30%的评价用材料。
[016引（实施例6)
[016引用与实施例1同样的方法，制作核也部的化：Ni : Co :化：Si W质量比计为 37 : 52 : 11 : 1 : 10、体积填充率为30%的评价用材料。
[0170] (比较例1)
[0171] 用与实施例1同样的方法，制作核也部的化：Ni : A1 W质量比计为65 : 35 : 5、 体积填充率为55%的评价用材料。
[0172] (比较例2)
[017引用与实施例1同样的方法，制作核也部的化：A1W质量比计为100 : 5、体积填 充率为40%的评价用材料。
[0174] (比较例3)
[0175] 用与实施例1同样的方法，制作核也部的化：Co : A1 W质量比计为70 : 30 : 5、 体积填充率为30%的评价用材料。
[0176] 将上述实施例、比较例的核也-壳体型粒子的组成、线膨胀系数、粒子饱和磁化、 体积填充率记载于表1。另外，将在2(TC及8(TC下测定的介电常数的比作为介电常数增加 率记载于表1。
[0177] 介电常数测定中，将设于恒温槽内的夹入电极和网络分析仪（Agilent Technologies株式会社4294A10化-llOMHz)用导线连接，测定平行平板样品的静电容，根 据该值计算介电常数。在高频频带下发现共振影响，因此，测定在10曲z-lOMHz的范围内实 施，介电常数采用5MHz的值。测定温度设为8(TC、2(rC。
[017引判定中，将介电常数增加率为5% W下记为双圆圈（◎)、将10% W下记为圆圈 (0 )、将大于10%的情况记为叉（X)。
[0179]
【权利要求】
1. 一种电波吸收体，其特征在于，具备： 多个金属粒子，其含有选自由化、Co、Ni构成的第一组中的至少一种磁性金属元素，线 膨胀系数为lXl〇-e/K W上且lOXlO-e/K W下； 结合层，其将所述金属粒子结合，电阻比所述金属粒子高， 所述电波吸收体中的所述金属粒子的体积填充率为10% W上且50% W下。
2. 根据权利要求1所述的电波吸收体，其特征在于， 所述金属粒子为具有核也部和壳体层的核也-壳体型粒子，所述核也部含有选自由 化、Co、Ni构成的第一组中的至少一种磁性金属元素、和选自由Mg、A1、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、 211、111、稀±类元素、83及51'构成的第二组中的至少一种金属元素，所述壳体层被覆所述核 也部的至少一部分，且具有含有在所述核也部中所含的至少一种所述第二组的金属元素的 氧化物层。
3. 根据权利要求2所述的电波吸收体，其特征在于，所述壳体层具有含碳材料层。
4. 根据权利要求1所述的电波吸收体，其特征在于，电阻为10MQ ? cm W上。
5. 根据权利要求2所述的电波吸收体，其特征在于，所述核也-壳体型粒子中含有的氧 相对于所述核也-壳体型粒子为0. 5质量％ W上且10质量％ W下。
6. 根据权利要求3所述的电波吸收体，其特征在于，所述含碳材料层为姪气的分解产 物。
7. 根据权利要求3所述的电波吸收体，其特征在于，在氨中加热时的所述含碳材料层 的姪气化温度为30(TC W上且65(TC W下。
8. 根据权利要求3所述的电波吸收体，其特征在于，所述含碳材料层为有机化合物。
9. 根据权利要求8所述的电波吸收体，其特征在于，所述有机化合物为包含含有碳、 氨、氧、氮中的任一种的主链的有机聚合物类或有机低聚物类。
10. 根据权利要求8所述的电波吸收体，其特征在于，由所述有机化合物形成的含碳材 料层的透氧系数为透氧系数> lXl〇-"[cm3(STP) . cm/cm2 . S .化]。
11. 根据权利要求2所述的电波吸收体，其特征在于，所述电波吸收体还具有氧化物粒 子，所述氧化物粒子包含在所述核也部中所含的至少一种属于所述第二组的元素。
12. 根据权利要求2所述的电波吸收体，其特征在于，所述核也部的平均粒径为lOnm W 上且50nm W下。
【文档编号】H01F1/24GK104465006SQ201410534495
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年9月12日 优先权日:2013年9月20日
【发明者】高桥利英, 末纲伦浩, 原田耕一, 江口朋子, 末永诚一 申请人:株式会社东芝
【专利摘要】本发明的电波吸收体具备：多个金属粒子，其含有选自由Fe、Co、Ni构成的第一组中的至少一种磁性金属元素，线膨胀系数为1×10-6/K以上且10×10-6/K以下；结合层，其将金属粒子结合，电阻比金属粒子高。而且，电波吸收体中的金属粒子的体积填充率为10％以上且50％以下。
【专利说明】电波吸收体
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请基于并主张2013年9月20日申请的日本专利申请No. 2013-194768的优 先权，将其全部内容引用于此。
【技术领域】
[0003] 本发明涉及电波吸收体。
【背景技术】
[0004] 使用了磁性材料的磁损耗型电波吸收体一般与介质损耗型或导电损耗型电波吸 收体相比具有宽频带的电波吸收特性。但是，在8?18GHz的频带狂频带、Ku频带）下， 未必能实现特性良好的磁损耗型电波吸收体。
[0005] 另外，对于在宽的温度范围内使用的电波吸收体，期望抑制伴随温度变化的电波 吸收特性的变化。
【发明内容】
[0006] 本发明要解決的课题在于，提供抑制了伴随温度变化的电波吸收特性的变化的电 波吸收体。
[0007] 本发明一个方式的电波吸收体具备；多个金属粒子，其含有选自由化、Co、Ni构成 的第一组中的至少一种磁性金属元素，线膨胀系数为1X1(T 6/K W上且10X1(T6/K W下；结 合层，其将金属粒子结合，且电阻比金属粒子高。而且，电波吸收体中的金属粒子的体积填 充率为10%W上且50%W下。
[000引根据上述构成，提供抑制了伴随温度变化的电波吸收特性的变化的电波吸收体。
【专利附图】
【附图说明】
[0009] 图1A、图1B是实施方式的电波吸收体的示意剖面图。
[0010] 图2是表示实施方式的电波吸收体的电波吸收特性的图。
[0011] 图3A、图3B是说明实施方式的作用的图。
[0012] 图4是表示电波吸收体的介电常数的温度依赖性的图。
[0013] 图5是表示化Ni合金的线膨胀系数的图。
[0014] 图6是表示化CoNi合金的H角图。
【具体实施方式】
[0015] 实施方式的电波吸收体具备；多个金属粒子，其含有选自由化、Co、Ni构成的第一 组中的至少一种磁性金属元素，线膨胀系数为1 X 1(T6/K W上且10X 1(T7K W下；结合层， 其将金属粒子结合，且电阻比金属粒子高。而且，电波吸收体中的金属粒子的体积填充率为 10%W上且50%W下。
[0016] 下面，使用【专利附图】
【附图说明】本发明的实施方式。
[0017] 实施方式的电波吸收体具备；多个金属粒子，其含有选自由化、Co、Ni构成的第一 组中的至少一种磁性金属元素，线膨胀系数为1X i(t6/k W上且10X i(t7k W下；结合层， 其将金属粒子结合，且电阻比金属粒子高。而且，电波吸收体中的金属粒子的体积填充率为 10%W上且50%w下。
[0018] 实施方式的电波吸收体具备上述构成，由此，抑制介电常数的温度依赖性，且抑制 电波吸收特性的温度依赖性。
[0019] 图1A、图1B是实施方式的电波吸收体的示意剖面图。实施方式的金属粒子是核 也-壳体型粒子。图1A、图1B分别表示核也-壳体型粒子的壳体层的方式不同的电波吸收 体。
[0020] 电波吸收体100具备多个核也-壳体型粒子1和将核也-壳体型粒子1结合的结 合层30。结合层30的电阻比核也-壳体型粒子1高，例如结合层30由树脂形成。
[0021] 核也-壳体型粒子1具备核也部10和被覆核也部10的至少一部分的壳体层20。 核也部10含有选自由Fe (铁）、Co (钻）、Ni (媒）构成的第一组中的至少一种磁性金属元 素。另外，包含选自由Mg (镇）、A1 (铅）、Si (娃）、Ca (巧）、Zr (铅）、Ti (铁）、Hf (給）、 Zn (锋）、Mn (猛）、稀±类元素、Ba(顿）及Sr (餓）构成的第二组中的至少一种金属元素。
[0022] 壳体层20由氧化物层21和含碳材料层22形成。氧化物层21含有核也部10中 所含的至少一种第二组的金属元素。图1A的情况下，W覆盖核也部10的方式设置氧化物 层21，且W覆盖氧化物层21的方式设置含碳材料层22。另外，图1B的情况下，覆盖核也部 10的壳体层20成为氧化物层21和含碳材料层22的混合层。
[0023] 核也-壳体型粒子1的方式不限于此，可W采用各种各样的方式。另外，上述含碳 材料层22在W核也部10彼此不接触的方式形成了氧化物层21的情况下，也可W省略其一 部分。
[0024] 另外，核也-壳体型粒子1的线膨胀系数为1 X 1(T7K W上且10 X 1(T7K W下。优 选该线膨胀系数的范围至少在25C (相当于室温）充足。线膨胀系数优选为8X1(T6/K W 下，更优选为6X1(T6/K W下。
[00巧]如果核也-壳体型粒子1的线膨胀系数超过上述范围，则有可能介电常数的温度 依赖性过大，电波吸收特性的温度依赖性过大。另外，难W实现低于上述范围的核也-壳体 型粒子1。
[0026] 此外，本说明书中，核也-壳体型粒子1的线膨胀系数W核也-壳体型粒子1的 核也部的金属的线膨胀系数为代表。金属的线膨胀系数根据JISZ2285 "金属材料的线膨 胀系数的测定方法"，使用热机械分析装置及光扫描式测定装置测定。例如，通过使用德国 Linseis公司制的激光膨胀仪（laser dilatometer)，能得到长度为10mm、直径为5mm的圆 柱型的试验片的25°C ±10(TC的温度范围内的线膨胀系数。
[0027] 核也-壳体型粒子1因包含于核也部10中的磁性金属元素而具备强磁性。核也 部10例如为化Ni合金、化NiCo合金。核也部10例如为因瓦合金、42合金、科瓦（注册商 标）合金。
[0028] 此外，电波吸收体100中，除核也-壳体型粒子1之外，有时还含有氧化物粒子25。 该氧化物粒子25例如为核也-壳体型粒子1的氧化物层21剥离而成的粒子。氧化物粒子 25含有与核也部10及氧化物层21共通的属于第二组的元素。氧化物粒子25例如包含于 结合层30。
[0029] 另外，氧化物粒子25与氧化物层21相比，第二组的金属元素相对于第一组的磁性 金属的比例高。换而言之，优选氧化物粒子25中的属于第二组的元素相对于属于第一组的 元素的原子数比大于氧化物层21中的属于第二组的元素相对于属于第一组的元素的原子 数比。该是因为金属粒子的耐氧化性进一步提高。
[0030] 在氧化物层21未从核也-壳体型粒子1剥离的情况下，有时电波吸收体100中不 含氧化物粒子25。在存在氧化物粒子25的情况下，电波吸收体100的热稳定性提高。
[0031] 而且，电波吸收体中的核也-壳体型粒子1的体积填充率为10% W上且50% W 下。体积填充率更优选为15% W上且30% W下。
[0032] 如果超过上述范围，则金属的性质出现，从而反射率变高，电波吸收特性劣化。另 夕F，电波吸收特性的温度依赖性增大。另外，如果低于上述范围，则饱和磁化降低，由此，源 自磁特性的电波吸收特性可能降低。另外，实现实用的电波吸收特性所需的厚度可能变得 过厚。
[0033] 核也-壳体型粒子（金属粒子）1的体积填充率例如可通过对TEM(Transmission Electron Microscope,透射电子显微镜）照片进行图像处理，求出各金属粒子的截面积和 其W外的构成部面积的比率而算出。此外，在核也-壳体型粒子（金属粒子）1的情况下， 壳体层20不包含于金属粒子的体积中，仅将核也部10作为金属粒子的体积进行处理。
[0034] 图2是表示实施方式的电波吸收体的电波吸收特性的图。横轴表示电波的频率， 纵轴表示回程损耗。实施方式的电波吸收体在8?18GHz该样的频带狂频带、Ku频带）中 显示良好的电波吸收特性。通过将金属粒子的体积填充率设为20?30%，使样品厚度在 1?2mm之间变化，能使电波吸收频带变化。
[00巧]图3A、图3B是说明实施方式的作用的图。图3A是金属粒子的体积填充率及温度 与金属粒子间的距离的关系的说明图。图3B是表示金属粒子间的距离与介电常数的关系 的图。
[0036] 如图3A所示，在低温时和高温时，金属粒子热收缩或热膨胀，由此金属粒子间的 距离变化。关于金属粒子间的距离的变化量，在金属粒子的体积填充率低的情况下还是高 的情况下都相同。但是，金属粒子间的距离的绝对值在金属粒子的体积填充率低的情况下 大，在高的情况下小。
[0037] 如图3B所示，金属粒子间的距离的绝对值越小，电波吸收体的介电常数越高。而 且，金属粒子间的距离的绝对值越小，电波吸收体的介电常数越急剧变化。因此，就电波吸 收体的介电常数的变化量（图中粗黑箭头）而言，金属粒子的体积填充率高的情况比低的 情况大。
[003引图4是表示电波吸收体的介电常数的温度依赖性的图。在由金属粒子和树脂的结 合层构成的电波吸收体中，示出高体积填充率（28体积％ )的情况和低体积填充率（22体 积％)的情况。另外，为了进行比较，也示出陶瓷电介质的情况的评价结果。可知与高体积 填充率（28体积％ )的情况、低体积填充率（22体积％ )的情况相比，温度依赖性大。
[0039] 电波吸收体的电波吸收特性由电波吸收体的磁导率或介电常数决定。因此，如果 电波吸收体的介电常数变化，则电波吸收特性变动。为了抑制电波吸收特性的变化，需要抑 制电波吸收体的介电常数的由温度变化引起的变化。
[0040] 介电常数的由温度引起的变化优选在25C (相当于室温）±5(TC、更优选在 25C (相当于室温）±10(TC的温度范围内控制在±10%的范围内。因此，在实施方式的 电波吸收体中，如上述那样将体积填充率设为50% W下，将金属粒子的线膨胀系数设为 10X1(T6/K W下。从抑制介电常数的由温度变化引起的变化的观点出发，金属粒子的线膨 胀系数优选为8X 1(T6/k W下，更优选为6X 1(T6/K W下。
[0041] 图5是表示化Ni合金的线膨胀系数的图。例如，可知如果Ni/(化+Ni)为30质 量％ W上且50质量％ ^下，则25C (相当于室温）的线膨胀系数（图中粗线）为1 X 1(T6/ KW上且10X1(T6/KW下。36质量％的情况为因瓦合金，42质量％的情况为42合金。从 降低线膨胀系数的观点出发，优选Ni/ (化+Ni)为35质量％ W上且50质量％ W下。
[0042] 图6是化NiCo合金的H角图。图中的数值是室温下的饱和磁化（单位T(特斯 拉））。在将化CoNi合金中各自的元素的质量比表述为aFe-bNi-cCo (a+b+c = 100)的情况 下，从使上述线膨胀系数的范围充足的观点出发，优选为35《a《70、25《b《55(图中 斜线部）。此外，54Fe-29Ni-17Co是科瓦（注册商标）合金。
[0043] 另外，电波吸收体的电阻为10MQ . cm W上，优选为100MQ . cm W上，更优选为 1000M Q ? cm。如果为该范围，则可抑制电波的反射，能够W高损耗得到高的电波吸收特性。 此外，关于电阻，通过姗射处理在直径为15mm、厚度为1mm的盘形状的电波吸收体的表背面 形成直径为5mm的Au电极，通过读取电极间施加10V的电压时的电流值而导出电阻。电流 值具有时间依赖性，因此，W施加电压后经过2分钟时的值为测定值。
[0044] W下，对电波吸收体的构成进行详述。
[0045] (核也-壳体型粒子）
[0046] 对核也-壳体型粒子的形状进行描述。核也-壳体型粒子可W为球状，但是优选为 具有大的纵横尺寸比（例如为10 W上）的扁平状、棒状。棒状也包括旋转楠圆体。在此， "纵横尺寸比"是指高度与直径之比（高度/直径）。在球状的情况下，高度和直径相等，因 此，纵横尺寸比为1。扁平状粒子的纵横尺寸比为（直径/高度）。棒状的纵横尺寸比为 (棒的长度/棒的底面的直径）。其中，旋转楠圆体的纵横尺寸比为（长轴/短轴）。
[0047] 如果增大纵横尺寸比，则能够赋予由形状带来的磁各向异性，能够提高磁导率的 高频特性。并且，在使核也-壳体型粒子一体化而制作所希望的部件时，通过磁场能容易地 使核也-壳体型粒子取向，而且能够提高磁导率的高频特性。另外，通过增大纵横尺寸比， 能够增大成为单磁畴结构的核也部的界限粒径，例如能够形成超过50nm的粒径。在球状的 核也部的情况下，成为单磁畴结构的界限粒径为50nm左右。
[0048] 在纵横尺寸比大的扁平状的核也-壳体型粒子的情况下，能够增大界限粒径，磁 导率的高频特性不会劣化。通常，粒径大的粒子容易合成，因此，从制造上的观点考虑，纵横 尺寸比大的核也-壳体型粒子有利。而且，通过增大纵横尺寸比，使用核也-壳体型粒子1 制作电波吸收体时，能够增大核也-壳体型粒子的体积填充率，因此，能够增大电波吸收体 的单位体积、单位质量的饱和磁化。因此，其结果是，还能够增大电波吸收体的磁导率。
[0049] 此外，核也-壳体型粒子1的平均粒径可W通过TEM观察，W各粒子的最长对角线 和最短对角线的平均值作为其粒径，可由多个粒径的平均值求出。
[0050] (核也部）
[0051] 上述核也-壳体型粒子1的核也部含有选自由化、Co、Ni组成的第一组中的至少 一种磁性金属兀素（第一组金属兀素）和选自由Mg、A1、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、]\1]1、稀±类 元素、Ba及Sr组成的第二组中的至少一种金属元素（第二组金属元素）。
[0052] 通过使上述核也部10含有第一组磁性金属元素，能够将电波吸收体100高磁导率 化。另外，第二组金属元素的氧化物的标准生成吉布斯能小，易氧化。因此，核也部10的表 面附近的第二组元素易形成氧化物层21。另外，通过使氧化物层21含有第二组元素，电波 吸收体100的电绝缘性稳定。
[0053] 作为核也部10所含的磁性金属（第一组金属元素），可W为金属元素单质，也可W 为合金。尤其是核也部10优选使用化Ni基合金、FeCo基合金、FeNiCo基合金。该是因为 能实现低的线膨胀系数。
[0054] 作为属于第二组的元素，其中，A1、Si容易与作为核也部的主成分的化、Co、Ni固 溶，有助于核也-壳体型粒子1的热稳定性提高，故而优选。特别是在使用A1的情况下，热 稳定性及耐氧化性增高，故而优选。此外，如果同时含有A1和Si,则可抑制核也-壳体型粒 子1的凝集、晶粒生长，所得的复合部件的高频磁导率和热稳定性、耐氧化性等诸特性进一 步提高，故而优选。
[00巧]另外，通过向属于第二组的元素中添加其它种类的属于第二组的元素，也能进一 步提高特性。作为添加元素，通过选择稀±类元素那样的活性金属元素，可W抑制核也-壳 体型粒子1的凝集、晶粒生长，能进一步提高所得的复合部件的高频磁导率及热稳定性、耐 氧化性等诸特性，故而优选。例如，优选在含有A1和Si中的至少一者的元素中添加Y等稀 ±类元素。
[0056] 或者，通过使其它种类的属于第二组的添加元素的价数与属于第二组的元素的价 数不同，也能期待同样的效果。而且，通过使其它种类的属于第二组的添加元素的原子半径 比属于第二组的元素的原子半径大，也能期待同样的效果。
[0057] 核也部材料中也可W固溶有碳原子或氮原子。
[0058] 核也部中所含的第一组、第二组的元素的组成分析例如可通过W下的方法进行。 例如，像A1那样的非磁性金属的分析可举出ICP(In化ctively coupled plasma,感应禪合 等离子体）发光分析、TEM-EDX巧ne;rgy Dispersive X-ray Fluorescence Spectrometer, 能量扩散X射线光谱仪）、XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy, X射线光电子能谱 法）、SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry,二次离子质谱法）等方法。根据ICP发光 分析，通过对用弱酸等溶解后的磁性金属粒子部分（核也部）、与用碱或强酸等溶解壳体层 得到的残留物、及粒子整体的分析结果进行比较，能确认核也部的组成，即能分离测定核也 部中的非磁性金属的量。另外，根据TEM-邸X，将电子束集中照射到核也部或壳体层，能将各 部位的构成元素比定量。而且，根据XPS，也能调查构成核也部或壳体层的各元素的结合状 态。
[0059] 关于核也-壳体型粒子1中所含的属于第二组的成分相对于属于第一组的成分的 固溶状态，可W由利用XRD狂-ray DifTraction，X射线衍射）测定的晶格常数来判断。例 女口，A1、碳固溶于化时，化的晶格常数根据固溶量而变化。完全未固溶的bcc-Fe的情况 下，晶格常数理想为2. 86左右，但是，A1固溶时，晶格常数变大，在5mass %左右的A1的固 溶的情况下，晶格常数增大0. 005?0. 01左右。在lOmass%左右的A1固溶的情况下，增 大0. 01?0. 02左右。另外，碳固溶于bcc-Fe，晶格常数也增大，在0. 02质量％左右的碳固 溶的情况下，增大0. 001左右。该样，通过进行核也部的XRD测定，求出磁性金属的晶格常 数，根据其大小能够容易判断是否固溶、W及W何种程度固溶。另外，是否固溶也可W由利 用TEM进行的粒子的衍射图来确认。
[0060] 核也部10可W为多晶、单晶的任一种方式，但是优选为单晶。将使用了含有单晶 核也部的核也-壳体型粒子的复合部件用于高频设备时，能够使易磁化轴一致，能够控制 磁各向异性。因此，与包含含有多晶核也部的核也-壳体型粒子的高频磁性材料相比，能够 提高高频特性。
[0061] 核也部10中所含的第二组的元素量相对于第一组的元素量，优选W 0. 001质量％ W上且20质量％ W下的量含有。第二组的元素的含量超过20质量％时，有降低核也-壳 体型粒子1的饱和磁化的可能性。从高饱和磁化和固溶性的观点考虑，更优选的量为1质 量％ W上且10质量％ W下的范围。
[006引核也部10在粒度分布中的平均粒径希望为Inm W上且lOOOnm W下，优选为Inm W上且100皿W下，进一步优选为10皿W上且50皿W下。平均粒径不足10皿时，有产生 超常磁性、所得到的复合部件的磁通量降低的可能性。另一方面，平均粒径超过lOOOnm时， 有所得到的复合部件的高频区域中润流损耗增大、在目标高频领域中的磁特性降低的可能 性。在核也-壳体型粒子1中，核也部10的粒径增大时，作为磁结构，与单磁畴结构相比， 多磁畴结构在能量上更稳定。此时，多磁畴结构的核也-壳体型粒子1与单磁畴结构的核 也-壳体型粒子相比，所得到的电波吸收体100的磁导率的高频特性降低。
[0063] 由此，将核也-壳体型粒子1用作电磁波吸收体时，优选作为具有单磁畴结构的核 也-壳体型粒子1存在。由于具有单磁畴结构的核也部10的界限粒径为50nm左右W下， 因此，其核也部的平均粒径优选为50nm W下。从W上方面考虑，核也部10的平均粒径希望 为1皿W上且1000皿W下，优选为1皿W上且100皿W下，进一步优选为10皿W上且50皿 W下。
[0064] (壳体层）
[0065] 如上所述，上述壳体层20覆盖上述核也部10的至少一部分，至少含有氧化物层 21。进一步还可W含有含碳材料层22。
[0066] 壳体层中的氧化物层21与含碳材料层22的形态没有特别的规定，但是优选为氧 化物层21密合于核也部10的结构。另外，优选与核也部10相比，氧化物层21中的第二组 金属元素相对于第一组磁性金属的比例高。换言之，氧化物层21中的属于第二组的元素相 对于属于第一组的元素的原子数比比核也部10中的属于第二组的元素相对于属于第一组 的元素的原子数比大。原因在于粒子的耐氧化性更高。
[0067] (壳体层/氧化物层）
[0068] 上述氧化物层21含有作为上述核也部10的构成成分的第二组元素中的至少一种 元素。目P，核也部10与氧化物层21具有共同的第二组元素。在氧化物层21中，与该核也 部10共同的元素形成为氧化物。上述氧化物层21优选为使核也部10的第二组元素氧化 而得到的层。
[0069] 上述氧化物层21的厚度优选为0. 01?5皿的范围。超过该范围时，有磁性金属 的构成比减少、粒子的饱和磁化降低的可能性。另外，低于该范围时，不能期待由氧化物层 21得到的耐氧化性的稳定化效果。
[0070] 氧化物层21中的氧量没有特别规定，优选作为核也-壳体型粒子1测定氧量时， 相对于粒子整体，优选含有0. 5质量％ W上且10质量％ W下的氧，进一步优选为1质量％ W上且10质量％ ^下，更进一步优选为2质量％ W上且7质量％ ^下。超过该范围时，有 磁性金属的构成比减少、粒子的饱和磁化降低的可能性。另外，低于该范围时，不能期待由 氧化物层21带来的耐氧化性的稳定化效果。
[0071] 关于氧量的定量方法，例如在含碳材料层22被覆核也部表面时，使用Sn胶囊作为 助燃剂，在化气等惰性气氛下在碳容器内将称量为2?3mg的测定样品通过高频加热加热 到200(TC左右来进行。氧测定通过利用高温加热使样品中的氧与碳容器反应，检测生成的 二氧化碳，从而能够计算出氧量。另外，利用主链由姪形成的有机化合物来覆盖磁性粒子 时，通过变更温度控制器和燃烧气氛，从而仅对来自氧化物层21的氧量进行分离定量。核 也-壳体型粒子中所占的氧量为0. 5质量％ W下时，壳体层中所占的氧化物层21的比例变 小，其结果是，耐热性和热可靠性差。核也-壳体型粒子1中所占的氧量为10质量％ ^上 时，氧化物层21的剥离性增加。
[0072] (壳体层/含碳材料层）
[0073] 作为构成壳体层20的一部分的含碳材料层22,可W采用姪气反应产物、金属碳化 物、或者有机化合物等。由于该层的存在，能够更有效地抑制核也部10的金属材料的氧化， 提局耐氧化性。
[0074] 含碳材料层22的平均厚度优选为0. 1皿W上且10皿W下，进一步优选具有1皿 W上且5nm W下的厚度。此外，在此所说的"厚度"是指，沿着将核也-壳体型粒子1的中 也与外缘连接的直线的长度。含碳材料层22的厚度不足Inm时，耐氧化性不充分。而且， 有复合部件的电阻显著降低、易发生润流损耗、磁导率的高频特性变差的可能性。
[0075] 另一方面，若含碳材料层22的厚度超过lOnm，则在使由含碳材料层被覆的核 也-壳体型粒子一体化来制作所希望的部件时，与壳体层20的厚度相应，部件中所含的核 也部10的填充率降低，所得到的电波吸收体100的饱和磁化降低，由此有可能导致磁导率 降低。
[0076] 另外，含碳材料层22的膜厚可W通过TEM观察而求出。
[0077] 上述"姪气反应产物"是指，在核也部10表面，将使姪气分解而生成的材料用作被 膜。作为上述姪气，例如可W列举出己快气体、丙焼气体、甲焼气体等。该反应产物不确定， 但是认为其含有碳薄膜。作为该含碳材料层22,优选具有适度的结晶性。
[0078] 含碳材料层22的结晶性的评价具体有在姪气化温度下评价含碳材料层的结晶性 的方法。使用TG-MS (热天平-质量分析）等装置，通过在大气压下的氨气流下的分析来监 视姪（例如质量数为16)的产生，由产量成为峰值的温度进行评价。上述的姪气化温度优 选为30(TC?65(TC的范围，进一步优选为450?55(TC的范围。原因在于，姪气化温度高 于65(TC时，含碳材料层22过于致密，妨碍氧化物层21的生成。另外，在30(TC W下时，含 碳材料层22的缺陷过多，进行过度氧化。
[0079] 上述含碳材料层22也可W为金属碳化物材料。此时的碳化物可W举出形成核也 部10的第一、或第二元素组的碳化物。其中，碳化娃、碳化铁为稳定的碳化物，因此，具有适 度的热可靠性，故而优选。
[0080] 上述含碳材料层22还可W为有机化合物。另外，该有机化合物层也可W形成于上 述姪气反应产物的表面。有机化合物优选为主链含有碳、氨、氧、氮中的任一种的有机聚合 物类或低聚物类。
[0081] 上述有机化合物材料在常温常压下为固体材料。该有机化合物例如不管是天然化 合物或是合成化合物，可W选自有机聚合物类或低聚物类。实施方式的聚合物类或低聚物 类可W通过公知的自由基聚合或缩聚而得到。
[0082] 上述有机化合物例如可W选自聚帰姪类、聚己帰基类、聚己帰醇类、聚醋类、聚乳 酸类、聚轻基己酸类、聚苯己帰类、聚（甲基）丙帰酸甲醋类、聚醜胺类、W及聚氨醋类、聚纤 维素类、W及环氧化合物的均聚物、或它们的共聚物。另外，该有机化合物可W选自包括明 胶、果胶、或卡拉胶等天然高分子的多糖。
[0083] 由有机化合物形成的壳体层20优选具有2nm W上的厚度。
[0084] 上述有机化合物优选使用透氧系数在常温常压的状态下为 lXl(T"[cm3(ST巧? cm/cm2 ? S ? Pa] W上的有机化合物。目P，优选透氧系数 > 1 X 1(T" [cm3 (ST巧? cm/cm2 ? S ? Pa]。低于该透氧系数时，在氧化物-碳-金属粒子集合 体、即核也-壳体型粒子1的形成中，有不进行氧化物层21的形成、引起特性的劣化的可能 性，因而不优选。
[0085] 在透氧系数的测定中，可W利用公知的技术进行测定，例如可W利用W JISK7126-U差压法）为基准的差压式的气相色谱法进行。目P，可W准备有机化合物的薄 膜，W此为界，通过一边进行加压、另一边的透过侧进行减压的方法进行测定，从而进行评 价。此时，可W利用气相色谱法将透过的气体分离，利用热导检测器（TCD) W及氨火焰离子 化检测器（FID)，求出单位时间的透气量，从而计算出透氧系数。
[0086] 在实施方式中，在电波吸收体100的制造过程中，壳体层20的氧化物层21和含碳 材料层22显示W下的作用。
[0087] 壳体层20仅由含碳材料层22构成时，因含碳材料层22的裂缝等，核也部10的氧 化急剧进行，部分伴随着放热，因此，卷入周围的粒子，连锁地进行氧化，成为核也-壳体型 粒子1的凝集和晶粒生长的原因。
[0088] 另外，壳体层20仅由氧化物层21构成时，有氧化物组成中产生不均匀的部分、不 含第二组金属元素的氧化物、W第一组元素为主体的氧化物层存在的部位增加的可能性。 第二组元素的氧化物抑制元素扩散，对核也部的保护性高，但是，第一组元素的氧化物的元 素扩散比第二组元素的氧化物大，对核也部10的保护性差。因此，氧化物层21中第一组元 素的氧化物多时，核也部10进行过度氧化。
[0089] 壳体层20由氧化物层21和含碳材料层22适当地构成，由此，能够良好地维持核 也-壳体型粒子1的耐氧化性。另外，壳体层20存在于核也-壳体型粒子1的表面，因此， 核也-壳体型粒子彼此通过壳体层20而接触。因此，核也部10的金属彼此直接形成界面的 概率低，因此，难W进行伴随着金属元素的扩散的凝集和晶粒生长。另外，能够抑制氧化物 层21的剥离性，耐热性良好，能够实现长时间的磁特性的热稳定性良好的电波吸收体100。
[0090] 关于氧化物层21与含碳材料层22的比例，优选氧化物层21与含碳材料层22的 质量比例为1 : 20?1 : 1的范围。
[0091] (核也-壳体型磁性粒子的制造方法）
[0092] 对实施方式的核也-壳体型磁性粒子1的制造方法进行说明。除去了碳被覆的核 也-壳体型粒子1的制造方法包括W下各工序。
[009引 （1)将选自由化、Co、Ni组成的第一组中的至少一种磁性金属元素和选自由Mg、 Al、Si、Ca、Z;r、Ti、Hf、Zn、Mn、稀±类元素、BaW及S;r组成的第二组中的至少一种金属元素 投入等离子体中，形成含金属粒子的工序（合金粒子形成工序）。
[0094] (2)在上述含金属粒子表面被覆含碳材料层的工序（碳被覆工序）。
[0095] (3)在含氧气氛下将上述用碳被覆了的含金属合金粒子氧化的工序（氧化工序）。
[0096] (4)进一步根据需要采用的将在上述（2)的碳被覆工序中形成的含碳材料层除去 的工序（脱碳工序）。
[0097] W下对各个工序（1)?（4)进行说明。
[009引 （（1);合金粒子形成工序）
[0099] 在成为核也部10的合金粒子的制造中，优选利用热等离子体法等。W下，说明利 用了热等离子体法的核也部的制造方法。
[0100] 首先，向高频感应热等离子体装置中流入作为等离子体产生用的气体的例如W氮 (Ar)为主要成分的气体，产生等离子体。接着，在等离子体内对磁性金属粉末（属于第一组 的金属）W及属于第二组的金属粉末进行喷雾。
[0101] 制造核也部10的工序并不限于热等离子体法，但是利用热等离子体法进行时，易 将材料组织控制在纳米水平，并且，能大量合成，因此优选。
[0102] 此外，作为向氮气中喷雾的金属粉末，可W使用固溶有第一组磁性金属和第二组 金属的平均粒径为1 y m W上且10 y m W下的磁性金属粉末。平均粒径为1 y m W上且10 y m W下的固溶粉末利用雾化法等合成。通过使用固溶粉末，利用热等离子体法，能够合成均匀 组成的核也部。
[0103] 此外，在核也部10中固溶有氮的合金粒子在具有高磁各向异性的方面是优选的。 为了固溶氮，可W考虑与氮一同导入氮作为等离子体产生用气体等的方法，但是并不限定 于此。
[0104] 此外，W生成的成为核也部10的合金粒子的线膨胀系数成为1X1(T7K W上且 10X1(T6/k W下的方式调整合金粒子的组成。
[010引（似；碳被覆工序）
[0106] 接着，对利用含碳材料层22被覆核也部10的工序进行说明。
[0107] 作为该工序，可W列举出（a)在核也部10表面使姪气反应的方法；化）在核也部 10表面使构成核也部10的金属元素与碳反应，成为碳化物的方法；（C)使用具有由姪形成 的主链的有机化合物被覆核也部表面的方法等。
[010引作为上述第一的（a)的方法的姪气反应方法是将载气与姪气一同导入核也部材 料表面，使之反应，利用其反应产物被覆核也部10的表面。所使用的姪气没有特别的限定， 例如可W列举出己快气体、丙焼气体、甲焼气体等。
[0109] W Fe、Co、Ni为主要成分的合金作为将姪气分解而使碳析出的催化剂是已知的。 通过该反应，能形成良好的含碳材料层22。目P，在显示催化作用的适当的温度范围，使W Fe、Co、Ni为主要成分的合金粒子与姪气接触，得到防止核也部10彼此接触的碳层。
[0110] 上述W Fe、Co、Ni为主要成分的合金粒子与姪气的反应温度因姪气种类而异，一 般优选为20(TCW上且lOOOCW下。在低于该温度的温度下，碳的析出量过少，作为覆膜不 充分。另外，在高于该温度的温度下，碳的电势过高，析出过度进行。
[0111] 另外，形成壳体层20的金属与姪气的反应温度对含碳材料层22的稳定性、即结晶 性有影响。在高反应温度下形成的含碳材料层22在高温下姪气化，在低反应温度下形成的 含碳材料层22在低温下姪气化。
[0112] 该样，含碳材料层22的稳定性可W利用在氨中的加热实验进行评价。姪气化温度 可W利用TG-MS法等装置，通过测定气体化浓度成为峰值的温度来评价。例如将质量编号 为16的姪气产生成为峰值的温度作为热分解峰值温度，该峰值温度越高，含碳材料层的稳 定性越高；该峰值温度越低，含碳材料层的稳定性越低。
[0113] 另外，还可W考虑将含碳的原料与成为壳体层20的原料同时喷雾的方法。在该方 法中使用的含碳的原料可W为纯粹的碳等，但是并不特别限定于此。
[0114] 从能够将均匀的碳被覆于核也部10该一点考虑，优选上述第二种的化）方法，但 是，用碳来被覆核也部10的表面的工序不一定限定于上述两种方法。
[0115] 作为将核也部10的材料表面的金属元素碳化的方法，可W采用公知的方法。例 女口，有利用CVD并通过与己快气体或甲焼气体反应而形成的方法。根据该方法，能够形成碳 化娃或碳化铁等热稳定的含碳材料层22。
[0116] 接着，作为上述（C)的被覆有机化合物的方法，可W采用各种公知的方法。例如， 已知有物理化学纳米胶囊化法W及化学纳米胶囊化法。物理化学方法可W选自相分离或凝 聚法（coacervation)、^及其它已知的用于纳米胶囊化的物理化学方法。化学方法可W选 自界面缩聚、界面聚合、分散介质中的聚合、原位缩聚、乳液聚合、W及其它已知的用于纳米 胶囊化的化学方法。有机化合物的含碳材料层22不利用共价键，通过物理结合与核也部10 或氧化物层21结合。
[0117] 通过上述方法，能够得到磁性金属的核也（由利用保护胶体进行了稳定化的金属 粒子形成）10、W及被覆了比2nm厚的聚合物的核也-壳体系。
[0118] 另外，除上述方法W外，还可W在成为壳体的聚合物溶液中投入磁性金属纳米粒 子，通过进行均质化，构成由有机化合物形成的壳体。在产业上，使用该方法的情况简便而 优选。
[0119] 在该方法中，各个粒子不一定W单体存在，还可W作为在由磁性金属形成的核也 粒子间形成有所希望的厚度的有机化合物层的凝集体而存在。
[0120] (做；氧化工序）
[0121] 对在氧存在下将在上述工序中得到的用碳被覆了的核也部10氧化的工序进行说 明。氧化物层21在核也部10与含碳材料层22的界面形成，或者含碳材料层22部分氧化 分解，形成氧化物层21。
[0122] 通过该处理，核也部10被氧化，但是，特别优选将核也部中所含的属于第二组的 金属氧化。目P，选自Mg、A1、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、]\1]1、稀±类元素、Ba W及Sr中的至少一 种非磁性金属被氧化，在核也部10的表面形成氧化物层21。
[0123] 氧化气氛为大气、或氧、CA等氧化性气氛、含有水蒸气的气体等即可，没有特别的 限定。使用氧时，氧浓度高时，氧化瞬时进行，有因过度放热等导致粒子凝集的可能性。因 此，优选为Ar、N2等不活泼性气体中含有5% W下的氧的气体，更优选为0.001%?3%的范 围，但是，并不特别限定于此。
[0124] 在上述气氛下的氧化也可W在加热环境下进行。此时的温度没有特别的限定，但 是，优选为从室温至30(TC左右的温度。原因在于，在此W下的温度下难W进行氧化，另外， 在此W上的温度下，氧化急剧进行，同时会引起粒子的凝集。
[0125] 上述在氧化工序中使用的气氛气体和温度，优选根据上述含碳材料层22的结晶 性、即稳定性与膜厚的平衡来选择。目P，使用稳定性高的含碳材料层22时，优选在氧势高的 状态下进行氧化；另外，使用稳定性低的含碳材料层22时，优选在氧势低的状态下进行氧 化。
[0126] 另外，使用厚度厚的含碳材料层22时，优选在氧势高的状态下进行氧化；使用薄 的含碳材料层22时，优选在氧势低的状态下进行氧化。另外，氧化在短时间内进行时，氧气 浓度可W为10%左右的浓度。通过W上的制造方法，可W制造壳体层20由含碳材料层22 含碳材料层22和氧化物层21形成的核也-壳体型粒子。
[0127] ((4);脱碳工序）
[012引例如在氨气氛中，在数百度下对通过至上述工序为止而得到的核也-壳体型粒子 1进行加热时，核也-壳体型粒子的含碳材料层22的全部或一部分被除去。因此，能够得到 氧化物层21被覆核也部的至少一部分的表面的核也-壳体型粒子1。通过该工序，能够提 高电波吸收体100的粒子的填充率。另外，除去上述的有机聚合物类或低聚物类等有机化 合物时，还可W在氧或氨存在下进行热分解，进行分解除去。
[0129] 热处理的气氛没有特别规定，可W考虑使碳进行姪气体化的还原气氛、和使碳进 行氧化碳气体化的氧化性气氛。
[0130] 一般由第二组元素构成的氧化物层21在还原性和氧化性的任一种气氛气体中， 在直至接近l〇〇(TC的高温下稳定，难W进行分解和气体化。另一方面，碳或碳化物层可W 在氨中数百度的加热中，成为姪气而气体化。同样地，可W在氧化性气氛中在数百度的加热 中，成为氧化碳气体而气体化。因此，通过选择加热气氛，能够使氧化物层21残留，仅选择 性地除去含碳材料层22。
[0131] 作为还原气氛，例如可W列举出含有氨或甲焼等还原性气体的氮或氮的气氛。更 优选的是浓度为50% W上的氨气气氛。该是因为含碳材料层22的除去效率得W提高。
[0132] 氧化性气氛可W列举出氧、二氧化碳、水蒸气等含有氧原子的气体和上述含有氧 原子的气体与氮、IS的混合气体。
[0133] 另外，含有还原性气体的氮或氮的气氛优选为气流，该气流的流速优选为lOmL/ 分钟W上。
[0134] 在还原气氛中的加热温度没有特别的规定，优选在locrc?80(TC的温度下进行。 其中，优选为30(TC W上且80(TC W下。加热温度不足10(TC时，有还原反应的进行变慢的可 能性。另一方面，超过80(TC时，有析出的金属微粒的凝集和晶粒生长在短时间内进行的可 能性。
[0135] 另外，进一步优选W含碳材料层22的结晶性、即含碳材料层22的稳定性为基准进 行选择。目P，具有高稳定性的含碳材料层22的情况下，优选为较高的温度；具有低稳定性的 含碳材料层22的情况下，优选为较低的温度。
[0136] 热处理温度和时间只要为至少能够还原含碳材料层22的条件，没有特别的限定。
[0137] 利用还原性气体进行碳除去处理后的核也-壳体型粒子1中所含有的碳量优选为 1质量％^下。原因在于电的影响减少。
[013引利用氧化性气氛进行的碳除去可W列举出空气、氧-氮、氧-氮等混合气体、控制 露点的加湿氮、或加湿氮等。
[0139] 利用氧化性气氛进行的碳除去法优选在尽可能低的氧分压下实施。与上述方法不 同，可W采用利用氨和含有氧原子的混合气体进行含碳材料层22的除去的方法。此时，还 可W同时进行碳除去和氧化，因此，能形成更稳定的氧化物层21。
[0140] 作为混合气体，没有特别的限定，可W列举出氨和氮-氧的混合气体、控制了露点 的氨气等。
[0141] 该样得到的核也-壳体型粒子的表面被氧化膜被覆，难W凝集。
[0142] 另外，进行该脱碳工序前，通过在含氧气氛或不活泼性气氛下，对核也-壳体型粒 子1进行等离子体照射或能量射线照射，对含碳材料层22的结晶性造成损伤，能够控制含 碳材料层22的氧透过性，能够在含碳材料层下形成适度的厚度的氧化物层。作为优选的能 量射线，选自电子束、离子束等。能使用的含氧气氛的氧分压优选为10化W上且l〇 3pa W 下。超过该范围时，难W激发或产生等离子体、电子束、离子束；低于该范围时，不能期待等 离子体或能量射线照射的效果。
[0143] (结合层（粘合剂））
[0144] 如图1A、图1B所示，通过上述实施方式制作的核也-壳体型粒子1与树脂或无机 材料等粘合剂（结合层）30混合并成形，作为所需要的形状、例如片状的电波吸收体100而 使用。
[0145] 电波吸收体100的形状根据用途可W采用大块（颗粒状、环状、矩形状等）、包括片 的膜状等形态。
[0146] 在该实施方式的核也-壳体型粒子1 W及电波吸收体100中，材料组织可利 用沈M、TEM进行判别或分析，衍射图（包括固溶的确认）可利用TEM衍射、XRD进行判 别或分析，构成元素的鉴定W及定量分析可利用通过ICP发光分析、英光X射线分析、 EPMA 巧lectron Probe Micro-Analysis,电子探针微区分析）、邸X、SIMS、TG-MS、红外线吸 收法进行的氧和碳分析等进行判别或分析。
[0147] 在将树脂用作粘合剂（结合层）30时，没有特别的限定，可W使用聚醋系树脂、聚 己帰系树脂、聚苯己帰系树脂、聚氯化己帰系树脂、聚己帰醇缩下酵树脂、聚氨醋树脂、纤维 素系树脂、ABS树脂、下膳橡胶、苯己帰-下二帰系橡胶、环氧树脂、酷酵树脂、醜胺系树脂、 醜亚胺系树脂、或者它们的共聚物。
[0148] 另外，还可W使用氧化物、氮化物、碳化物等无机材料作为粘合剂来代替树脂。无 机材料具体地可W列举出含有选自由Mg、A1、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、111、稀±类元素、Ba W 及Sr组成的组中的至少一种金属的氧化物、AIN、SisN4、SiC等。
[0149] 磁性片的制作方法没有特别的限定，例如可W将核也-壳体型粒子1与树脂和溶 剂混合，成为浆料，通过涂布、干燥来制作。另外，也可W将核也-壳体型粒子与树脂的混合 物进行压制而成型成片状或者颗粒状。进一步，也可W使核也-壳体型粒子1分散于溶剂 中，利用电泳等方法进行堆积。
[0150] 磁性片还可W为层叠结构。通过形成层叠结构，不仅能够容易地进行厚膜化，而且 通过与非磁性绝缘性层互相层叠，能够提高高频磁特性。目p，使包含核也-壳体型粒子的磁 性层形成为厚度为100 y m W下的片状，将该片状磁性层与厚度为100 y m W下的非磁性绝 缘性氧化物层互相层叠。通过该样的层叠结构，高频磁特性得W提高。通过使磁性层单层 的厚度为lOOym W下，在面内方向施加高频磁场时，不仅能够减小退磁磁场的影响，增大 磁导率，而且磁导率的高频特性得W提高。层叠方法没有特别的限定，可W利用将多个磁性 片重叠并进行压制等的方法进行压接，或者通过加热、烧结进行层叠。
[0151] 实施例
[015引 W下，对比实施例和比较例，进行更详细的说明。
[0153] (实施例1)
[0154] W 40L/分钟向高频感应热等离子体装置的腔内导入作为等离子体产生用气体的 氮，产生等离子体。按化：Ni : A1 W相对于总量的质量比计为65 : 35 : 5的方式，将作 为原料的平均粒径为10 y m的化粉末、平均粒径为10 y m的Ni粉末、W及平均粒径为3 y m 的A1粉末与氮（载气）一同按3L/分钟向该腔内的等离子体中喷射。
[0155] 同时，与Ar载气一同向腔内导入作为碳被覆的原料的甲焼气体，控制气体温度和 粉末温度，得到用碳被覆了化NiAl合金粒子的磁性金属粒子。核也部的化：Ni : A1W 质量比计为65 : 35 : 5。
[0156] 将该碳覆盖磁性金属粒子氧化约5分钟，得到用含碳材料层22和氧化物层21被 覆了的核也-壳体型粒子的集合体。
[0157] 通过TEM在化NiAl核也表面观察含碳材料层22和氧化物层21。核也-壳体型 粒子1的平均粒径为19nm，氧量为3. 6质量％。氧分析使用LEC0公司制的气体分析装置 (TC-600)，使用Sn胶囊作为助燃剂，利用高频加热在化气气氛下在碳容器内将称量为2? 3mg的测定样品加热到200(TC左右而进行。氧测定通过利用高温加热使样品中的氧与碳容 器反应，检测生成的二氧化碳，从而计算出氧量。
[0158] 另外，本样品的含碳材料层22的热稳定性使用TG-MS，W 200mL/分钟的流量流入 大气压、纯度为99% W上的氨气，W 2(TC /分钟升温时，检测出来自姪气的质量数为16的 峰，该峰（姪气化温度）在499C附近出现。
[0159] 将该样的核也-壳体型粒子1与树脂按W质量比计为100 : 70及100 : 10的比 例进行混合，进行厚膜化而成为评价用材料。核也-壳体型粒子1的体积填充率为10%及 50%。
[0160] (实施例2)
[0161] 用与实施例1同样的方法，制作核也部的化：Ni : A1 W质量比计为58 = 42 : 5、 体积填充率为30%的评价用材料。
[0162] (实施例3)
[0163] 用与实施例1同样的方法，制作核也部的化：Ni : A1 W质量比计为 50 : 50 : 10、体积填充率为10%、50%的评价用材料。
[0164] (实施例4)
[0165] 用与实施例1同样的方法，制作核也部的化：Ni : Co : Si W质量比计为 54 : 29 : 17 : 5、体积填充率为30%的评价用材料。
[0166] (实施例5)
[0167] 用与实施例1同样的方法，制作核也部的化：Ni : Co : Si W质量比计为 64 : 32 : 4 : 5、体积填充率为30%的评价用材料。
[016引（实施例6)
[016引用与实施例1同样的方法，制作核也部的化：Ni : Co :化：Si W质量比计为 37 : 52 : 11 : 1 : 10、体积填充率为30%的评价用材料。
[0170] (比较例1)
[0171] 用与实施例1同样的方法，制作核也部的化：Ni : A1 W质量比计为65 : 35 : 5、 体积填充率为55%的评价用材料。
[0172] (比较例2)
[017引用与实施例1同样的方法，制作核也部的化：A1W质量比计为100 : 5、体积填 充率为40%的评价用材料。
[0174] (比较例3)
[0175] 用与实施例1同样的方法，制作核也部的化：Co : A1 W质量比计为70 : 30 : 5、 体积填充率为30%的评价用材料。
[0176] 将上述实施例、比较例的核也-壳体型粒子的组成、线膨胀系数、粒子饱和磁化、 体积填充率记载于表1。另外，将在2(TC及8(TC下测定的介电常数的比作为介电常数增加 率记载于表1。
[0177] 介电常数测定中，将设于恒温槽内的夹入电极和网络分析仪（Agilent Technologies株式会社4294A10化-llOMHz)用导线连接，测定平行平板样品的静电容，根 据该值计算介电常数。在高频频带下发现共振影响，因此，测定在10曲z-lOMHz的范围内实 施，介电常数采用5MHz的值。测定温度设为8(TC、2(rC。
[017引判定中，将介电常数增加率为5% W下记为双圆圈（◎)、将10% W下记为圆圈 (0 )、将大于10%的情况记为叉（X)。
[0179]
【权利要求】
1. 一种电波吸收体，其特征在于，具备： 多个金属粒子，其含有选自由化、Co、Ni构成的第一组中的至少一种磁性金属元素，线 膨胀系数为lXl〇-e/K W上且lOXlO-e/K W下； 结合层，其将所述金属粒子结合，电阻比所述金属粒子高， 所述电波吸收体中的所述金属粒子的体积填充率为10% W上且50% W下。
2. 根据权利要求1所述的电波吸收体，其特征在于， 所述金属粒子为具有核也部和壳体层的核也-壳体型粒子，所述核也部含有选自由 化、Co、Ni构成的第一组中的至少一种磁性金属元素、和选自由Mg、A1、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、 211、111、稀±类元素、83及51'构成的第二组中的至少一种金属元素，所述壳体层被覆所述核 也部的至少一部分，且具有含有在所述核也部中所含的至少一种所述第二组的金属元素的 氧化物层。
3. 根据权利要求2所述的电波吸收体，其特征在于，所述壳体层具有含碳材料层。
4. 根据权利要求1所述的电波吸收体，其特征在于，电阻为10MQ ? cm W上。
5. 根据权利要求2所述的电波吸收体，其特征在于，所述核也-壳体型粒子中含有的氧 相对于所述核也-壳体型粒子为0. 5质量％ W上且10质量％ W下。
6. 根据权利要求3所述的电波吸收体，其特征在于，所述含碳材料层为姪气的分解产 物。
7. 根据权利要求3所述的电波吸收体，其特征在于，在氨中加热时的所述含碳材料层 的姪气化温度为30(TC W上且65(TC W下。
8. 根据权利要求3所述的电波吸收体，其特征在于，所述含碳材料层为有机化合物。
9. 根据权利要求8所述的电波吸收体，其特征在于，所述有机化合物为包含含有碳、 氨、氧、氮中的任一种的主链的有机聚合物类或有机低聚物类。
10. 根据权利要求8所述的电波吸收体，其特征在于，由所述有机化合物形成的含碳材 料层的透氧系数为透氧系数> lXl〇-"[cm3(STP) . cm/cm2 . S .化]。
11. 根据权利要求2所述的电波吸收体，其特征在于，所述电波吸收体还具有氧化物粒 子，所述氧化物粒子包含在所述核也部中所含的至少一种属于所述第二组的元素。
12. 根据权利要求2所述的电波吸收体，其特征在于，所述核也部的平均粒径为lOnm W 上且50nm W下。
【文档编号】H01F1/24GK104465006SQ201410534495
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年9月12日 优先权日:2013年9月20日
【发明者】高桥利英, 末纲伦浩, 原田耕一, 江口朋子, 末永诚一 申请人:株式会社东芝
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