改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法
【专利摘要】本发明提供了一种改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法，包括依次执行下述步骤：第一步骤，用于对将要进行硅片背面晶圆热点测试的待测试晶圆进行后道烘烤，其中后道烘烤的温度介于150-200℃之间；第二步骤，用于将经过后道烘烤的待测试晶圆布置在良率测试机台上；第三步骤，用于对良率测试机台上的待测试晶圆进行晶圆热点测试。根据本发明的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法通过增加后道烘烤而有效地改善了硅片背面晶圆热点测试的颜色异常情况，而且本发明可进一步通过控制Ag层的厚度来进一步有效改善颜色异常情况。
【专利说明】改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种改善硅片背面晶圆热 点测试颜色异常的方法。
【背景技术】
[0002] 对于功率M0S晶体管，一般背面金属膜叠层是Ti层/Ni层/Ag层的叠层。对于 一些客户针对汽车电子产品的特殊请求，希望进行背面高温测试（也称为晶圆热点测试， wafer pass hot test)〇
[0003] 在进行背面晶圆热点测试时，一般将晶圆布置在良率测试机台（EWS tester)上， 随后使得晶圆在125°C下保持2小时的晶圆热点测试。在2小时的晶圆热点测试之后即可 查看晶圆背面是否存在颜色异常。颜色异常一般包括白点（White dots)和环状的颜色异 常。这种颜色异常可能有两种原因，即"Ni扩散"或者"Ag颗粒尺寸变化"。
[0004] 对于颜色异常的原因判断，可以采取下述措施：
[0005] 1.对晶圆切片以观察截面时，和"Ni扩散"的样品作对比，如果进行晶圆热点测试 后的Ni比较完整，则可以佐证不是"Ni扩散"。
[0006] 2.工程晶圆片仅仅生长1. 5k厚的Ag而不生长Ni (这样就没有Ni元素的干扰）， 此时如果进行晶圆热点测试的结果和生长Ni的情况类似，则确认不是"Ni扩散"的原因。
[0007] 3.同样对晶圆进行切片，利用扫描电镜（SEM)观察表面Ag颗粒大小的对比，可以 确认颜色异常主要来源于晶圆热点测试后Ag的颗粒大小变化的情况。
[0008] 由此，在本领域中，希望能够提供一种能够改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常 的方法。
【发明内容】
[0009] 本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够改善 硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法。
[0010] 为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种改善硅片背面晶圆热点测试颜 色异常的方法，包括依次执行下述步骤：第一步骤，用于对将要进行硅片背面晶圆热点测试 的待测试晶圆进行后道烘烤，其中后道烘烤的温度介于150-200°c之间；第二步骤，用于将 经过后道烘烤的待测试晶圆布置在良率测试机台上；第三步骤，用于对良率测试机台上的 待测试晶圆进行晶圆热点测试。
[0011] 优选地，后道烘烤的温度介于170-180°c之间。
[0012] 优选地，后道烘烤的温度介于175-180°C之间。
[0013] 优选地，后道烘烤的烘烤时间介于1至3小时之间。
[0014] 优选地，后道烘烤的烘烤时间为2小时。
[0015] 优选地，待测试晶圆背面的叠层为Ti层/Ni层/Ag层的叠层。
[0016] 优选地，Ag层的厚度不小于1〇kA,。
[0017] 优选地，待测试晶圆背面的叠层为1k Al的Ti层/2kAi的Ni层/1〇kAj的Ag层。
[0018] 优选地，第三步骤对良率测试机台上的待测试晶圆在75_125°C下保持2小时的晶 圆热点测试。
[0019] 优选地，第三步骤对良率测试机台上的待测试晶圆在100-1KTC下保持2小时的 晶圆热点测试。
[0020] 根据本发明的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法通过增加后道烘烤而 有效地改善了硅片背面晶圆热点测试的颜色异常情况，而且本发明可进一步通过控制Ag 层的厚度来进一步有效改善颜色异常情况。
【专利附图】
【附图说明】
[0021] 结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解 并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
[0022] 图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的改善硅片背面晶圆热点测试颜色 异常的方法的流程图。
[0023] 需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可 能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0024] 为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内 容进行详细描述。
[0025] 图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的改善硅片背面晶圆热点测试颜色 异常的方法的流程图。
[0026] 具体地说，如图1所示，根据本发明优选实施例的改善硅片背面晶圆热点测试颜 色异常的方法包括依次执行下述步骤：
[0027] 第一步骤S1，用于对将要进行硅片背面晶圆热点测试的待测试晶圆进行后道烘 烤，其中后道烘烤的温度介于150-200°C之间；通过后道烘烤，使Ag的颗粒尺寸已经被稳 固，所以在进行后续的晶圆热点测试时，Ag的颗粒尺寸变化变小，能有效改善颜色异常。
[0028] 具体地说，后道烘烤的温度如果低于150°C则效果不好，后道烘烤的温度如果超过 200 C则各易引起背面金属剥落。
[0029] 优选地，后道烘烤的温度介于170_180°C之间。进一步优选地，后道烘烤的温度介 于 175_180°C 之间。
[0030] 优选地，后道烘烤的烘烤时间介于1至3小时之间，进一步优选地，后道烘烤的烘 烤时间为2小时。
[0031] 虽然在说明书中例举了后道烘烤的烘烤时间的具体示例，但是本领域普通技术人 员可以理解的是，上述示例仅仅是优选数值或者数值范围，实际上可以采取其它适当的时 间来实现本发明。同样地，虽然在说明书中例举了后道烘烤的烘烤时间的具体温度示例，但 是本领域普通技术人员可以理解的是，上述示例仅仅是优选数值或者数值范围，实际上可 以采取其它适当的温度来实现本发明。
[0032] 进一步优选地，第三步骤对良率测试机台上的待测试晶圆在100-1KTC下保持2 小时的晶圆热点测试。
[0033] 而且，可以增加Ag层的厚度来有效配合后道烘烤，进一步改善颜色异常。例如，待 测试晶圆背面的叠层为Ti层/Ni层/Ag层的叠层，其中Ag层的厚度不小于1〇kA;例如， 优选地，待测试晶圆背面的叠层为1 k A'的Ti层./2kA的Ni层OkA做Ag层。
[0034] 虽然在说明书中例举了 Ti层/N i层/Ag层的叠层的厚度示例，但是本领域普通 技术人员可以理解的是，上述示例仅仅是优选数值或者数值范围，实际上可以采取其它适 当的厚度数值来实现本发明。
[0035] 第二步骤S2,用于将经过后道烘烤的待测试晶圆布置在良率测试机台上；
[0036] 第三步骤S3,用于使得良率测试机台上的待测试晶圆经历晶圆热点测试，例如在 75_125°C下保持2小时的晶圆热点测试。
[0037] 由此，根据本发明优选实施例的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法通过 增加后道烘烤而有效地改善了硅片背面晶圆热点测试的颜色异常情况，而且本发明可进一 步通过控制Ag层的厚度来进一步有效改善颜色异常情况。
[0038] 此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语"第一"、"第 二"、"第三"等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个 组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
[0039] 可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以 限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下， 都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等 同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对 以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围 内。
【权利要求】
1. 一种改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法，其特征在于包括依次执行下述步 骤： 第一步骤，用于对将要进行硅片背面晶圆热点测试的待测试晶圆进行后道烘烤，其中 后道烘烤的温度介于150-200°C之间； 第二步骤，用于将经过后道烘烤的待测试晶圆布置在良率测试机台上； 第三步骤，用于对良率测试机台上的待测试晶圆进行晶圆热点测试。
2. 根据权利要求1所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法，其特征在于， 后道烘烤的温度介于170-180°C之间。
3. 根据权利要求2所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法，其特征在于， 后道烘烤的温度介于175-180°C之间。
4. 根据权利要求1或2所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法，其特征在 于，后道烘烤的烘烤时间介于1至3小时之间。
5. 根据权利要求4所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法，其特征在于， 后道烘烤的烘烤时间为2小时。
6. 根据权利要求1或2所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法，其特征在 于，待测试晶圆背面的叠层为Ti层/Ni层/Ag层的叠层。
7. 根据权利要求6所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法，其特征在于， Ag层的厚度不小于1〇kA。
8. 根据权利要求1或2所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法，其特征在 于，待测试晶圆背面的叠层为1kA的Ti层/ 2k人的Ni层/ 10kA的Ag层。
9. 根据权利要求1或2所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法，其特征在 于，第三步骤对良率测试机台上的待测试晶圆在75-125°C下保持2小时的晶圆热点测试。
10. 根据权利要求1或2所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法，其特征在 于，第三步骤对良率测试机台上的待测试晶圆在100-1KTC下保持2小时的晶圆热点测试。
【文档编号】H01L21/66GK104409379SQ201410668058
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年11月20日 优先权日:2014年11月20日
【发明者】王鹏, 刘宇, 李秀莹 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司