一种小尺寸硫化镉单晶片超声清洗架的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种小尺寸硫化镉单晶片超声清洗架。本设计包括提取杆、固定架以及安装在固定架上的两排晶片夹持结构，每排夹持结构由三根等径的横杆组成，两根为夹持杆，一根为支撑杆，夹持杆和支撑杆两端水平嵌入固定架下部圆孔中，固定架外侧采用密封板粘合密封，提取杆两端水平嵌入密封板上部圆孔中，两排的夹持杆分别向内侧对称开有若干个晶片夹持卡槽，支撑杆的上端面开有相应若干个晶片支持卡槽，晶片支持卡槽与两侧的晶片夹持卡槽在同一圆弧面上，即形成一排固定晶片的夹持结构。采用本发明的清洗架对CMP之后的硫化镉单晶片进行清洗，可缓解超声清洗时晶片振动，与夹持卡槽接触时产生的应力集中，有效的降低晶片在清洗过程中碎裂的概率。
【专利说明】一种小尺寸硫化镉单晶片超声清洗架
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于单晶片加工装置，尤其涉及一种小尺寸硫化镉单晶片超声清洗架。
【背景技术】
[0002]硫化镉(CdS)晶体是带宽2.4eV的直接跃迁型II 一 IV族化合物半导体。单晶硫化镉的优异光电性质使其在探测器、太阳能电池，成像和半导体澈光器等方面有广泛的应用。衬底表面的质量将直接影响在其上生长器件的性能，目前硫化镉单晶片的表面加工通常经过研磨，化学机械抛光(CMP)，及清洗几个步骤。在CMP过程中，通常将晶片粘贴在陶瓷盘上进行抛光，使硫化镉晶片表面达到纳米级平整，但在CMP结束后，将晶片粘贴在陶瓷盘上的石蜡，残留的抛光液及其与晶片化学反应所产生的反应产物依然附着在抛光片表面，需要通过清洗将其除去，原有的清洗工艺一般将晶片置于石英材质的清洗架中，并且卡槽未经过平滑处理，抛光片在清洗过程中容易与石英清洗架卡槽互相撞击，发生碎裂，因此改进晶片抛光后的清洗工艺，除去CMP后晶片粘贴使所使用的蜡，以及其它反应产物和附着在晶片表面的其它杂质，使平整的晶片保持清洁，并且确保单晶片在清洗过程中完整无碎裂，在硫化镉单晶片的加工中非常关键。
【发明内容】
[0003]鉴于上述现有工艺存在的问题，本发明设计一种小尺寸硫化镉单晶片超声清洗架。硫化镉单晶片在超声清洗中采用本发明的清洗架，能够防止抛光片在清洗过程中发生碎裂。
[0004]为了达到上述目的，本发明采取的技术方案是:一种小尺寸硫化镉单晶片超声清洗架，其特征在于:包括提取杆、两个固定架以及安装在两个固定架上的两排相同的晶片夹持结构，每排晶片夹持结构由三根等径的圆柱形横杆组成，其中两根水平高度相同的为晶片夹持杆，另外一根为晶片支撑杆且位于两根晶片夹持杆中部正下方，两排的晶片夹持杆和晶片支撑杆的两端分别水平嵌入左右两个固定架下部预留的圆孔中，固定架的外侧采用两个端面密封板粘合密封，提取杆位于两排晶片夹持结构正中间位置之上，且两端水平嵌入左右两个端面密封板上部预留的圆孔中，两排的晶片夹持杆分别向内侧对称开有若干个椭圆弧形的晶片夹持卡槽，晶片支撑杆的上端面开有相应若干个晶片支持卡槽，晶片支持卡槽与两侧的晶片夹持卡槽在同一圆弧面上，即形成一排固定晶片的夹持结构。
[0005]本发明具有以下有益效果:采用本发明的清洗架对CMP之后的硫化镉单晶片进行清洗，可缓解超声清洗时晶片振动，与夹持卡槽接触时产生的应力集中，有效的降低晶片在清洗过程中碎裂的概率。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]图1为清洗架水平放置时的主视图； 图2为图1的左视图；
图3为图1的俯视图；
图4为图1中晶片夹持结构的局部放大图。
【具体实施方式】
[0007]以下结合附图和实施例对本发明作进一步说明:
参照图1至图4，一种小尺寸硫化镉单晶片超声清洗架包括提取杆6、两个固定架5以及安装在两个固定架5上的两排相同的晶片夹持结构，每排晶片夹持结构由三根等径的圆柱形横杆组成，其中两根水平高度相同的为晶片夹持杆1，另外一根为晶片支撑杆4且位于两根晶片夹持杆1中部正下方，两排的晶片夹持杆1和晶片支撑杆4的两端分别水平嵌入左右两个固定架5下部预留的圆孔中，固定架5的外侧采用两个端面密封板7粘合密封，提取杆6位于两排晶片夹持结构正中间位置之上，且两端水平嵌入左右两个端面密封板7上部预留的圆孔中，两排的晶片夹持杆1分别向内侧对称开有若干个椭圆弧形的晶片夹持卡槽3，晶片支撑杆4的上端面开有相应若干个晶片支持卡槽2，晶片支持卡槽2与两侧的晶片夹持卡槽3在同一圆弧面上，即形成一排固定晶片的夹持结构。
[0008]实施例:本发明的清洗架用于lOmmX1mmX0.260mm硫化镉单晶片的清洗，清洗架设有两排固定晶片的夹持结构，每排开有八组卡槽，可放置8片硫化镉单晶片，两排共放置16片硫化镉单晶片进行清洗。清洗架整体均采用聚四氟乙烯材料制成，此材料化学性质稳定，不与酸碱及其它化学试剂反应。支撑晶片的位置通过开槽的方式将晶片嵌入固定，卡槽为开放的半椭圆弧形结构，减小了后续超声清洗时晶片振动与卡槽接触时的应力集中，从而有效的避免软脆的CdS抛光片边缘崩裂。晶片支持卡槽2和晶片夹持卡槽3的设计，将晶片插入可以使被夹持的晶片稳定，不向下掉落，其中卡槽的深度均为1_，晶片支持卡槽2的长轴半径为10.2_，短轴半径可根据抛光片的厚度进行改变。提取杆6的设计可方便手持清洗架进行移动。
[0009]采用本清洗架进行清洗工艺的【具体实施方式】如下:
将CMP后需要超声清洗的lOmmX 10 mm X0.260mm的CdS单晶抛光片置于洁净的清洗架上，将清洗架置于装有无水乙醇的容器中，并将容器置于超声清洗机中。调节超声温度和超声时间后开启超声机，在超声清洗结束后将清洗架取出，使晶片在清洗架上干燥后封装。
【权利要求】
1.一种小尺寸硫化镉单晶片超声清洗架，其特征在于:包括提取杆“)、两个固定架(5)以及安装在两个固定架(5)上的两排相同的晶片夹持结构，每排晶片夹持结构由三根等径的圆柱形横杆组成，其中两根水平高度相同的为晶片夹持杆(1),另外一根为晶片支撑杆(4)且位于两根晶片夹持杆(1)中部正下方，两排的晶片夹持杆(1)和晶片支撑杆(4)的两端分别水平嵌入左右两个固定架(5)下部预留的圆孔中，固定架(5)的外侧采用两个端面密封板(7)粘合密封，提取杆(6)位于两排晶片夹持结构正中间位置之上，且两端水平嵌入左右两个端面密封板(7)上部预留的圆孔中，两排的晶片夹持杆(1)分别向内侧对称开有若干个椭圆弧形的晶片夹持卡槽(3),晶片支撑杆(4)的上端面开有相应若干个晶片支持卡槽(2),晶片支持卡槽(2)与两侧的晶片夹持卡槽(3)在同一圆弧面上，即形成一排固定晶片的夹持结构。
2.根据权利要求1或权利要求2所述的一种小尺寸硫化镉单晶片超声清洗架，其特征在于:所述的清洗架整体均采用聚四氟乙烯材料制成。
【文档编号】H01L21/02GK104465464SQ201410775386
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月16日 优先权日:2014年12月16日
【发明者】徐世海, 张弛, 李晖, 徐永宽 申请人:中国电子科技集团公司第四十六研究所