一种双极型晶体管的制作方法

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种新型的双极型晶体管。

背景技术：

自美国贝尔实验室发明的第一个晶体管问世以来，半导体得到了飞速的发展，晶体管具有可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，目前已逐渐渗透到生活的各个领域，上到航空航天领域，下到医疗通讯领域，很多精密的器件都离不开基于半导体材料所制备出的晶体管。

三极管，全称为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

随着人们对半导体器件的要求越来越高，半导体芯片尺寸显得尤为重要。半导体芯片尺寸越小意味着器件的集成化程度越高，同时器件尺寸越小也意味着能够在相同面积下放置更多的晶体管，进而带来更加优异的器件性能。

因此，如何不断减小芯片面积一直为本领域技术人员所致力研究的方向。

技术实现要素：

本发明提供了一种双极型晶体管，能够很好的减小芯片面积，为了实现该技术效果，本发明采用了如下技术方案：

一种双极晶体管，其中，包括基板；

所述基板中形成具有第一导电类型的第一区域、具有第二导电类型的第二区域以及具有第一导电类型的第三区域，所述第二区域环绕设于所述第一区域的外围，所述第三区域环绕设于所述第二区域的外围；其中，

一绝缘区域从所述第三区域的一侧向另一侧延伸，以将所述第一区域和所述第二区域均隔离为两个相对独立的部分；

分别将所述第一区域和所述第二区域被隔离的两个部分进行引出作为电极，以及将所述第三区域引出作为电极。

上述的双极型晶体管，其中，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

上述的双极型晶体管，其中，所述基板为硅基板。

上述的双极型晶体管，其中，采用本征硅作为所述硅基板。

上述的双极型晶体管，其中，所述第一区域被隔离的两个部分进行引出作为第一发射极和第二发射极；

所述第二区域被隔离的两个部分进行引出作为第一基级和第二基级；

所述第三区域作为集电极；

所述第一发射极、第一基级以及所述第二发射极、第二基级共用所述集电极。

上述的双极型晶体管，其中，所述绝缘区域为条状的间隙和/或绝缘材料组成。

上述的双极型晶体管，其中，所述第一区域和所述第二区域均为重掺杂，所述第三区域为轻掺杂。

上述的双极型晶体管，其中，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的底部与所述基板的底面具有一定距离。

上述的双极型晶体管，其中，所述第一区域的形状为圆形，所述第二区域和所述第三区域的形状均为环状。

上述的双极型晶体管，其中，通过引线将所述所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域进行引出。

本发明基于上述技术方案，可有效的减小芯片面积。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1为本发明在一种实施例中提供的一种双极型晶体管示意图；

图2为本发明对应图1在另一方向上的示意图；

图3为对应图1的电路图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

本发明提供了一种新型的双极型晶体管设计，相比较现有技术而言能够极大减小芯片面积，进而为进一步提升器件的精密性提供依据。

本发明提供了一种双极晶体管，参照图1和图2所示，包括基板1；

在基板1中形成具有第一导电类型的第一区域11、具有第二导电类型的第二区域12以及具有第一导电类型的第三区域13。其中，第二区域12环绕设于第一区域11的外围，第三区域13环绕设于第二区域12的外围。其中，第二区域12和第一区域11、第三区域均形成接触。进一步的，在基板1中还设置有一绝缘区域14，该绝缘区域14从第三区域13的一侧向另一侧延伸，以将第一区域11和第二区域12均隔离为两个相对独立的部分；

分别将第一区域和第二区域被隔离的两个部分进行引出作为电极，以及将第三区域引出作为电极。

在本发明一可选的实施例中，上述的第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

在本发明一可选的实施例中，上述的基板可以为硅基板。进一步可选的，例如可采用本征硅材料作为硅基板。

在本发明一可选的实施例中，上述的第一区域11被绝缘区域14隔离的两个部分进行引出作为第一发射极(e1)11a和第二发射极(e2)11b；

上述的第二区域12被绝缘区域14隔离的两个部分进行引出作为第一基级(b1)12a和第二基级(b2)12b；

而上述的第三区域13则可作为集电极(c)；

第一发射极11a、第一基级12a以及第二发射极11b、第二基级12b共用第三区域13所作为的集电极，如图3所示。

在本发明一可选的实施例中，上述的绝缘区域14为条状的间隙和/或绝缘材料组成。例如，在图2中，通过条状的间隙和绝缘材料来将第一区域11和第二区域12完全分隔为两个独立的部分，同时绝缘区域14的一端终止在第三区域13中。同时，第一区域11的两个部分会在中间形成一扩散区域，这对本发明并不会造成任何实质性的影响。

在本发明一可选的实施例中，上述的第一区域11和第二区域12均为重掺杂，第三区域13为轻掺杂。其中，第一区域11和第二区域12的重掺杂是相对于第三区域13的轻掺杂而言的，也即第一区域11和第二区域12的离子掺杂浓度大于第三区域13的离子掺杂浓度。

在本发明一可选的实施例中，上述的第一区域11、第二区域12和第三区域13的底部与基板10的底面具有一定距离，也即各区域需要保证整体位于基板10之中，进而避免基板10底部的焊球影响到各电极的电性接触。

在本发明一可选的实施例中，上述的第一区域11的形状可以为圆形，那么环绕在第一区域11外围的第二区域12和第三区域13的形状均为环状。但是本领域技术人员应当理解，采用圆形的第一区域11和环形的第二区域12、第三区域13仅仅是一种较佳的实施例，而在另一些可选的实施例中，第一区域11并不仅仅局限于圆形，例如为多边形或者不规则图形即可，仅保证第二区域12环绕在第一区域11，第三区域13环绕于第二区域12外围即可，在此不予赘述。

在本发明一可选的实施例中，通过引线将第一区域11、第二区域12被分隔的两个部分分别进行引出，以及通过引线将将第三区域13进行引出。

综上所述，由于本发明采用了如上技术方案，通过将基级环绕发射极设置，而集电极又环绕基级设置，同时将基级和发射极划分为两个区域并共用集电极，这种结构能够极大减小芯片占用的面积，进而在同一基板上可放置更多的器件，有利于提升器件性能。本发明结构变动小，便于实施。

以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。