发光二极管的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种发光二极管，包括衬底，以及设置在衬底上的发光二极管芯片组件；其中，发光二极管芯片组件包括第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片分隔且反向并联设置。第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片互为反向保护，从而提高发光二极管的反向耐压性能，降低发光二极管的失效率。
【专利说明】发光二极管
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体技术，尤其涉及一种发光二极管。
【背景技术】
[0002]发光二极管(Light Emitting Diode,简称:LED)是一种通过电子和空穴进行复合，释放出光子的半导体器件。由于发光二极管具有体积小、寿命长、驱动电压低、反应速度快、耐震性能好的优点，被广泛应用于通用照明领域以及交通指示、舞台灯等特殊照明应用领域。
[0003]在实际应用中，发光二极管一般被串联一个50ΚΩ?200ΚΩ的电阻直接接在IlOV或220V的交流电源上。但在使用中，二极管的反向耐压性能较差，容易被击穿导致失效。因此，亟需提出一种耐反向击穿的发光二极管。
实用新型内容
[0004]本实用新型提供一种发光二极管，以提高发光二极管的反向耐压性能，降低发光二极管的失效率。
[0005]本实用新型提供一种发光二极管，包括衬底，以及设置在所述衬底上的发光二极管芯片组件；
[0006]其中，所述发光二极管芯片组件包括第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；所述第一发光二极管芯片与所述第二发光二极管芯片分隔且反向并联设置。
[0007]如上所述的发光二极管，其中，所述第一发光二极管芯片及所述第二发光二极管芯片均包括缓冲层、发光区；所述缓冲层设置在所述衬底上；所述发光区设置在所述缓冲层上。
[0008]如上所述的发光二极管，其中，还包括钝化层；所述钝化层覆盖所述第一发光二极管芯片的表面、所述第二发光二极管芯片的表面、以及所述第一发光二极管芯片与所述第二发光二极管芯片之间的区域。
[0009]如上所述的发光二极管，其中，还包括焊线电极；所述焊线电极通过所述钝化层上开设的窗口，将所述第一发光二极管芯片的所述缓冲层与所述第二发光二极管芯片的所述发光区连接，将所述第一发光二极管芯片的所述发光区与所述第二发光二极管芯片的所述缓冲层连接，使所述第一发光二极管芯片与所述第二发光二极管芯片反向并联设置。
[0010]本实用新型提供的发光二极管，包括衬底，以及设置在衬底上的发光二极管芯片组件；其中，发光二极管芯片组件包括第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片分隔且反向并联设置。通过将第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片分隔且反向并联设置，使第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片互为反向保护，从而提高发光二极管的反向耐压性能，降低发光二极管的失效率。
【专利附图】
【附图说明】[0011]图1为本实用新型发光二极管实施例一的结构示意图；
[0012]图2为本实用新型发光二极管实施例一的侧视图。
【具体实施方式】
[0013]图1为本实用新型发光二极管实施例一的结构示意图，图2为本实用新型发光二极管实施例一的侧视图。参照图1及图2，本实施例提供的发光二极管具体可以包括衬底100，以及设置在衬底100上的发光二极管芯片组件200。
[0014]其中，发光二极管芯片组件200包括第一发光二极管芯片210和第二发光二极管芯片220 ;第一发光二极管芯片210与第二发光二极管芯片220分隔且反向并联设置。
[0015]如图2所示，本实施例中，第一发光二极管芯片210与第二发光二极管芯片220具有相同的芯片结构，具体的，可以包括缓冲层211、缓冲层221，和发光，212、发光区222 ;其中，缓冲层211及缓冲层221均设置在衬底100上；发光区212设置在缓冲层211上，发光区222设置在缓冲层221上。
[0016]进一步地，本实施例提供的发光二极管还包括钝化层230，钝化层230具体可以为绝缘材料，钝化层230覆盖第一发光二极管芯片210的表面、第二发光二极管芯片220的表面、以及第一发光二极管芯片210与第二发光二极管芯片220之间的区域，从而保证第一发光二极管芯片210和第二发光二极管芯片220的良好绝缘。
[0017]可以理解的是，为了实现第一发光二极管芯片210与第二发光二极管芯片220的电气连接，本实施例提供的发光二极管还包括焊线电极240，具体的，可以在钝化层230上开设窗口，焊线电极240可以通过钝化层230上开设的窗口，将第一发光二极管芯片210的缓冲层与第二发光二极管芯片220的发光区连接，将第一发光二极管芯片210的发光区与第二发光二极管芯片220的缓冲层连接，形成PN结，使第一发光二极管芯片210与第二发光二极管芯片220反向并联设置。
[0018]可选的，在实际应用中，本实施例中的衬底100的材料可以为蓝宝石，缓冲层211和缓冲层221的材料可以为N型氮化镓，发光区212和发光区222的材料可以为P型氮化镓，钝化层230的材料可以为氧化硅，本实施例不对此进行限制。
[0019]需要说明的是，当本实施例提供的发光二极管接入交流电路时，当工作电流为正半波电流时，第一发光二极管芯片210导通，发光二极管正常工作；当工作电流为负半波电流时，第二发光二极管芯片220导通，发光二极管正常工作；并通过电压钳制效应，确保发光二极管受到的反向电压在3V左右，完全在氮化物PN结能够承受的范围内。
[0020]本实施例的技术方案，通过将第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片分隔且反向并联设置在衬底上，使第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片互为反向保护，确保发光二极管能够承受的反向电压在发光二极管芯片可以接受的范围内，从而提高发光二极管的反向耐压性能，降低了发光二极管的失效率。
[0021]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。
【权利要求】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括衬底，以及设置在所述衬底上的发光二极管芯片组件； 其中，所述发光二极管芯片组件包括第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；所述第一发光二极管芯片与所述第二发光二极管芯片分隔且反向并联设置。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一发光二极管芯片及所述第二发光二极管芯片均包括缓冲层、发光区；所述缓冲层设置在所述衬底上；所述发光区设置在所述缓冲层上。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，还包括钝化层；所述钝化层覆盖所述第一发光二极管芯片的表面、所述第二发光二极管芯片的表面、以及所述第一发光二极管芯片与所述第二发光二极管芯片之间的区域。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，还包括焊线电极；所述焊线电极通过所述钝化层上开设的窗口，将所述第一发光二极管芯片的所述缓冲层与所述第二发光二极管芯片的所述发光区连接，将所述第一发光二极管芯片的所述发光区与所述第二发光二极管芯片的所述缓冲层连接，使所述第一发光二极管芯片与所述第二发光二极管芯片反向并联设置。
【文档编号】H01L33/36GK203674215SQ201420009173
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2014年1月7日 优先权日:2014年1月7日
【发明者】郑远志, 盛成功, 陈向东, 康建, 梁旭东 申请人:圆融光电科技有限公司