一种高频线屏蔽材料结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种高频线屏蔽材料结构，包括导电箔本体，所述导电箔本体的正端面包括一绝缘边、导电面和双面导电边，导电面位于绝缘边与双面导电边的中间，所述导电箔本体的背面包括一绝缘边、绝缘面和双面导电边，所述绝缘面位于绝缘边与双面导电边的中间；本实用新型采用一种一体式单面导电一边单面绝缘另一边双面导电的新型屏蔽材料的结构来实现屏蔽生产时产生的无法克服的讯号屏蔽干扰，实现全屏蔽功能，生产加工方便。
【专利说明】一种高频线屏蔽材料结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种高频线屏蔽材料结构。
【背景技术】
[0002]目前高频线的屏蔽采用导电箔加绝缘透明带5(图1、图2、图3)和一体式单面导电双边绝缘铝箔两种材料(附图4、图5)。包带方式采用绕包和直包两种方式(图6和图7)。屏蔽是由屏蔽箔包覆(屏蔽箔相互重合而实现)。
[0003]在直包或绕包时屏蔽箔相接合处，两层导电箔被绝缘层分开(图6和图7)，从而形成了一个讯号漏洞。当有屏蔽讯号通过时(由于屏蔽箔上下两层没有导通一金属箔和绝缘带的一面)屏蔽箔上下两层之间没有导通。是屏蔽讯号传递到线材内外部对相邻的讯号对产生干扰。
【发明内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种采用一种一体式单面导电一边单面绝缘另一边双面导电的高频线屏蔽材料结构。
[0005]本实用新型是通过以下技术方案来实现的:一种高频线屏蔽材料结构，其特征在于:包括导电箔本体，所述导电箔本体的正端面包括一绝缘边、导电面和双面导电边，导电面位于绝缘边与双面导电边的中间，所述导电箔本体的的背面包括一绝缘边、绝缘面和双面导电边，所述绝缘面位于绝缘边与双面导电边的中间。
[0006]本实用新型的有益效果是:本实用新型采用一种一体式单面导电一边单面绝缘另一边双面导电的新型屏蔽材料的结构来实现屏蔽生产时产生的无法克服的讯号屏蔽干扰，实现全屏蔽功能，生产加工方便。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]为了易于说明，本实用新型由下述的具体实施例及附图作以详细描述。
[0008]图1为导电箔导电箔正面结构示意图；
[0009]图2为导电箔背面结构示意图；
[0010]图3为透明绝缘带结构示意图；
[0011]图4为单面导电双边绝缘铝箔的正面结构示意图；
[0012]图5为单面导电双边绝缘铝箔的背面结构示意图；
[0013]图6为传统直包的结构示意图；
[0014]图7为传统绕包的结构示意图；
[0015]图8为本实用新型的导电箔的正面结构示意图；
[0016]图9为本实用新型导电箔的反面背部结构示意图；
[0017]图10为改进后的绕包的结构示意图；
[0018]图11为改进后的直包结构示意图。【具体实施方式】
[0019]实施例1
[0020]如图8和图9所示，一种一体式单面导电一边单面绝缘另一边双面导电的新型屏蔽材料结构，包括导电箔本体，所述导电箔本体的正端面包括一绝缘边1、导电面2和双面导电边3，导电面2位于绝缘边I与双面导电边3的中间，所述导电箔本体的的背面包括一绝缘边1、绝缘面4和双面导电边3,所述绝缘面4位于绝缘边I与双面导电边3的中间。
[0021]实施例二
[0022]如图10和图11所示，绕包方式中，包括相邻间的导电面，两导电面之间设有双面导电边3 ；
[0023]直包方式中，包括上下面间的导电面，两导电面间设有双面导电边。
[0024]本实用新型采用一种一体式单面导电一边单面绝缘另一边双面导电的新型屏蔽材料的结构来实现屏蔽生产时产生的无法克服的讯号屏蔽干扰，实现全屏蔽功能，生产加工方便。
[0025]以上所述，仅为本实用新型的【具体实施方式】，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种高频线屏蔽材料结构，其特征在于:包括导电箔本体，所述导电箔本体的正端面包括一绝缘边、导电面和双面导电边,导电面位于绝缘边与双面导电边的中间,所述导电箔本体的的背面包括一绝缘边、绝缘面和双面导电边，所述绝缘面位于绝缘边与双面导电边的中间。
【文档编号】H01B7/17GK203733502SQ201420125937
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2014年3月19日 优先权日:2014年3月19日
【发明者】王建彬 申请人:深圳市鹏毅实业有限公司