晶圆清洗的制造方法
【专利摘要】一种晶圆清洗机，包括主壳体、固定在主壳体上的清洗部和伺服系统，其技术要点是：所述主壳体内设有由伺服系统控制的伺服电机，伺服电机的输出轴上设有贯穿主壳体和清洗部连接处的真空轴，真空轴上设有真空发生器，真空轴末端设有吸盘；清洗部内设有步进电机，步进电机的输出端上设有摆杆，摆杆上设有喷头。从根本上解决了现有硅片清洗难度大的问题。其结构设计巧妙，具有结构简单、使用方便、维护成本低、清洗质量高等优点。
【专利说明】晶圆清洗机
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种清洗机装置，具体地说一种晶圆清洗机。
【背景技术】
[0002]早在50年代初期，硅片清洗对半导体工业的重要性就已经引起人们的高度重视，这是由于硅片表面的污染物会严重影响器件的性能、可靠性和成品率。为此，需要一种晶圆清洗机。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的是提供一种高温硬密封球阀用晶圆清洗机。从根本上解决了现有硅片清洗难度大的问题。其结构设计巧妙，具有结构简单、使用方便、维护成本低、清洗质量闻等优点。
[0004]本实用新型的目的是这样实现的:该晶圆清洗机，包括主壳体、固定在主壳体上的清洗部和伺服系统，其技术要点是:所述主壳体内设有由伺服系统控制的伺服电机，伺服电机的输出轴上设有贯穿主壳体和清洗部连接处的真空轴，真空轴上设有真空发生器，真空轴末端设有吸盘；清洗部内设有步进电机，步进电机的输出端上设有摆杆，摆杆上设有喷头。
[0005]本实用新型的有益效果是:利用机械方法使硅片以较高的速度旋转，在硅片旋转过程中向硅片表面喷淋清洗液，达到清洁硅片的目的。清洗液与硅片表面的沾污发生化学反应将沾污溶解，同时利用硅片高速旋转的离心作用，使溶有杂质的清洗液不断脱离硅片表面，因此硅片表面的液体可保持高纯度，从而达到最佳清洗效果。此外，清洗液与旋转的硅片之间具有较高的相对速度，以会产生较大的冲击力，从而可进一步清除硅片表面的杂质。综上所述，本实用新型将化学清洗、流体力学清洗、高压擦洗及硅片甩干工序的优点相结合，实现了高品质的硅片自动清洗。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]以下结合附图对本实用新型作进一步描述。
[0007]图1是本实用新型气密性试验装置结构示意简图；
[0008]图2是本实用新型气压气密性试验示意简图。
[0009]附图标记说明:1喷头、2吸盘、3摆杆、4真空轴、5真空发生器、6步进电机、7伺服电机、8主壳体、9清洗部。
【具体实施方式】
[0010]以下结合图f 4详细阐述本实用新型的结构。该晶圆清洗机，包括主壳体8、固定在主壳体8上的清洗部9和伺服系统等部分。其中，主壳体8内设有由伺服系统控制的伺服电机7，伺服电机7的输出轴上设有贯穿主壳体8和清洗部连接处的真空轴4，真空轴4上设有真空发生器5，真空轴4末端设有吸盘2。清洗部9内设有步进电机6，步进电机6的输出端上设有摆杆3，摆杆3上设有喷头I。
[0011]控制部分采用伺服系统、PLC、触摸屏组成，可实现摆臂和工作台精确定位和速度控制。触摸屏采用人机交互接口，操作者可通过触摸屏进行参数设置、工作模式切换、系统状态监控及手动操作。伺服系统又称随动系统，可按控制命令的要求、对功率进行放大、变换与调控等处理，使驱动装置输出的力矩、速度和位置控制非常灵活方便。清洗机的摆臂及吸盘分别由步进电机、伺服电机驱动，因此可保证控制的精确度，清洗机摆臂摆动距离，摆动速度，及旋转盘转速都可以通过触摸屏进行精确设定。清洗机的核心控制单元PLC，控制清洗机各部件运动和报警输出。
[0012]步进电机6接收到伺服系统的脉冲信号后驱动摆杆3转动一定角度。步进电机6带动摆杆3摆动，喷头I固定在摆杆3上随着摆杆3摆动，摆动的同时喷出水和气，真空发生器5产生真空，通过真空轴4把将吸盘3上的硅片负压固定，伺服电机7带动真空轴5和吸盘3高速旋转，硅片进行脱水，喷淋清洗一段时间后，喷水停止，采用喷惰性气体，同时还可以通过提高旋转速度，增大离心力，使硅片表面很快脱水。
[0013]本实用新型主要针对切割后的6英寸、8英寸、12英寸硅片，采用旋转喷淋技术，利用机械方法将硅片以较高的速度旋转起来，在旋转过程中通过不断向硅片表面喷淋液体，从而达到清洁硅片的目的。
【权利要求】
1.一种晶圆清洗机，包括主壳体、固定在主壳体上的清洗部和伺服系统，其特征在于:所述主壳体内设有由伺服系统控制的伺服电机，伺服电机的输出轴上设有贯穿主壳体和清洗部连接处的真空轴，真空轴上设有真空发生器，真空轴末端设有吸盘；清洗部内设有步进电机，步进电机的输出端上设有摆杆，摆杆上设有喷头。
【文档编号】H01L21/67GK203760441SQ201420146111
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年3月28日 优先权日:2014年3月28日
【发明者】马岩, 白雪峰, 荣宇, 郝鑫 申请人:沈阳仪表科学研究院有限公司