插片式igbt吸收电容器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种插片式IGBT吸收电容器，其包括有电容芯组，以及连接于电容芯组之上的插片端子；所述插片式IGBT吸收电容器中，电容芯组与插片端子之间通过金属片进行连接；采用上述技术方案的插片式IGBT吸收电容器，其采用铜箔在电容芯组与插片端子之间进行连接，从而使得其相较于传统的吸收电容器，过电流面积得以有效增加，进而使得电容器的过电流能力得以有效改善；同时，上述插片式IGBT吸收电容器中，其所采用的铜箔连接方式通过现有的加工技术即可实现，从而避免电容芯组与插片端子进行一体化连接而产生的高昂生产成本。
【专利说明】 插片式IGBT吸收电容器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电子元器件，尤其是一种插片式IGBT吸收电容器。
【背景技术】
[0002]绝缘栅双极型晶体管，即IGBT由于其出色的工作性能，在半导体领域得以广泛运用；然而，绝缘栅双极型晶体管在工作过程中会产生较大电流，为避免相关元器件损坏，必须对其配备电容器对其进行吸收。现有的IGBT吸收电容器中，其往往采用插片式电容器，即在电容芯组端部通过铜丝连接有插片端子。上述插片式IGBT吸收电容器中，由于其采用铜丝进行连接，导致其过电流能力低下，且不稳定，故而难以实现良好的吸收保护效果；部分插片式IGBT吸收电容器采用电容芯组与插片端子一体化的结构，但由于其工艺上的困难，导致其生产成本十分高昂。
实用新型内容
[0003]本实用新型要解决的技术问题是提供一种插片式IGBT吸收电容器，其过电能力得以有效改善，并可避免过高的生产成本。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型涉及一种插片式IGBT吸收电容器，其包括有电容芯组，以及连接于电容芯组之上的插片端子；所述插片式IGBT吸收电容器中，电容芯组与插片端子之间通过金属片进行连接。
[0005]作为本实用新型的一种改进，所述金属片中，其宽度方向所在侧边部分别固定于电容芯组与插片端子之上，且上述侧边部分别位于金属片与电容芯组，以及插片端子的连接端面所在平面之内。采用上述设计，其可通过沿长度方向在电容芯组与插片端子之间延伸的金属片，其不仅使得电流在电容芯组与插片端子之间流通过程中，过电流面积有效增力口，并使得其在相同的过电流面积下，避免电容芯组与插片端子之间因距离过短而出现电弧等现象，从而导致对电容器的性能造成影响。
[0006]作为本实用新型的一种改进，所述金属片中，其长度与宽度的比值为3至4;所述金属片的宽度至少为I厘米。采用上述设计，其可通过金属片的长宽设置，使得上述对电流的传输与保护能力得以进一步改善。
[0007]作为本实用新型的一种改进，所述金属片与电容芯组的重合部分面积，以及其与插片端子的重合部分面积，均至少为金属片总面积的1/5。采用上述设计，其通过金属片与电容芯组，以及插片端子的连接端的重合面积，使得金属片可通过较大的接触面积使得电流传输的效率得以改善。
[0008]作为本实用新型的一种改进，所述金属片与电容芯组，以及插片端子的连接位置分别设置有，宽度沿金属片的长度方向逐渐递增的连接部件；所述连接部件的端部宽度至少为金属片宽度方向侧边部的2/3 ;所述连接部件中，其相对于电容芯组，以及插片端子均采用内嵌式安装。采用上述设计，其可通过宽度递增的连接部件的设置，使得其在避免因连接部件过大导致难以实现电流保护的前提下，使得电流的传输效率得以进一步改善；连接部件的内嵌式结构可使得连接部件在完成电流的传输过程中，可避免电流对电容意以外的电器元件造成影响。
[0009]作为本实用新型的一种改进，所述金属片与连接部件均由铜箔构成，其可通过铜箔的高导电率改善的电容器的性能。
[0010]采用上述技术方案的插片式IGBT吸收电容器，其采用铜箔在电容芯组与插片端子之间进行连接，从而使得其相较于传统的吸收电容器，过电流面积得以有效增加，进而使得电容器的过电流能力得以有效改善；同时，上述插片式IGBT吸收电容器中，其所采用的铜箔连接方式通过现有的加工技术即可实现，从而避免电容芯组与插片端子进行一体化连接而产生的高昂生产成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1为本实用新型示意图；
[0012]图2为本实用新型中金属片与电容芯组的连接示意图；
[0013]附图标记列表:
[0014]I—电容芯组、2—插片端子、3—金属片、4 一连接部件。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图和【具体实施方式】，进一步阐明本实用新型，应理解下述【具体实施方式】仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
[0016]实施例1
[0017]如图1所示的一种插片式IGBT吸收电容器，其包括有电容芯组1，以及连接于电容芯组I之上的插片端子2 ;所述插片式IGBT吸收电容器中，电容芯组I与插片端子2之间通过金属片3进行连接。
[0018]作为本实用新型的一种改进，所述金属片3中，其宽度方向所在侧边部分别固定于电容芯组I与插片端子2之上，且上述侧边部分别位于金属片与电容芯组，以及插片端子的连接端面所在平面之内。采用上述设计，其可通过沿长度方向在电容芯组与插片端子之间延伸的金属片，其不仅使得电流在电容芯组与插片端子之间流通过程中，过电流面积有效增加，并使得其在相同的过电流面积下，避免电容芯组与插片端子之间因距离过短而出现电弧等现象，从而导致对电容器的性能造成影响。
[0019]作为本实用新型的一种改进，所述金属片3中，其长度与宽度的比值为3.5 ;所述金属片的宽度为1.5厘米。采用上述设计，其可通过金属片的长宽设置，使得上述对电流的传输与保护能力得以进一步改善。
[0020]作为本实用新型的一种改进，所述金属片3与电容芯组I的重合部分面积为金属片3总面积的1/5，金属片3与插片式端2子的重合部分面积为金属片3总面积的1/4。采用上述设计，其通过金属片与电容芯组，以及插片端子的连接端的重合面积，使得金属片可通过较大的接触面积使得电流传输的效率得以改善。
[0021]采用上述技术方案的插片式IGBT吸收电容器，其采用铜箔在电容芯组与插片端子之间进行连接，从而使得其相较于传统的吸收电容器，过电流面积得以有效增加，进而使得电容器的过电流能力得以有效改善；同时，上述插片式IGBT吸收电容器中，其所采用的铜箔连接方式通过现有的加工技术即可实现，从而避免电容芯组与插片端子进行一体化连接而产生的高昂生产成本。
[0022]实施例2
[0023]作为本实用新型的一种改进，所述金属片3与电容芯组1，以及插片端子2的连接位置分别设置有，宽度沿金属片3的长度方向逐渐递增的连接部件4 ;所述连接部件4的端部宽度为金属片宽度方向侧边部的2/3 ;如图2所示，所述连接部件4中，其相对于电容芯组1，以及插片端子2均采用内嵌式安装。采用上述设计，其可通过宽度递增的连接部件的设置，使得其在避免因连接部件过大导致难以实现电流保护的前提下，使得电流的传输效率得以进一步改善；连接部件的内嵌式结构可使得连接部件在完成电流的传输过程中，可避免电流对电容意以外的电器元件造成影响。
[0024]作为本实用新型的一种改进，所述金属片3与连接部件4均由铜箔构成，其可通过铜箔的高导电率改善的电容器的性能。
【权利要求】
1.一种插片式IGBT吸收电容器，其包括有电容芯组，以及连接于电容芯组之上的插片端子；其特征在于，所述插片式IGBT吸收电容器中，电容芯组与插片端子之间通过金属片进行连接。
2.按照权利要求1所述的插片式IGBT吸收电容器，其特征在于，所述金属片中，其宽度方向所在侧边部分别固定于电容芯组与插片端子之上，且上述侧边部分别位于金属片与电容的芯组，以及插片端子的连接端面所在平面之内。
3.按照权利要求2所述的插片式IGBT吸收电容器，其特征在于，所述金属片中，其长度与宽度的比值为3至4 ;所述金属片的宽度至少为I厘米。
4.按照权利要求3所述的插片式IGBT吸收电容器，其特征在于，所述金属片与电容芯组的重合部分面积，以及其与插片端子的重合部分面积，均至少为金属片总面积的1/5。
5.按照权利要求4所述的插片式IGBT吸收电容器，其特征在于，所述金属片与电容芯组，以及插片端子的连接位置分别设置有，宽度沿金属片的长度方向逐渐递增的连接部件；所述连接部件的端部宽度至少为金属片宽度方向侧边部的2/3 ;所述连接部件中，其相对于电容芯组，以及插片端子均采用内嵌式安装。
6.按照权利要求5所述的插片式IGBT吸收电容器，其特征在于，所述金属片与连接部件均由铜箔构成。
【文档编号】H01G2/00GK204189615SQ201420506819
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2014年9月4日 优先权日:2014年9月4日
【发明者】石宝宏, 朱承彪, 王超 申请人:南京天正容光达电子（集团）有限公司