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相关申请的交叉引用本申请要求于2013年10月30日向美国专利商标局提交的美国非临时专利申请No.14/067,677的优先权和权益，其全部内容通过援引纳入于此。领域各个特征涉及基板中的嵌入式桥接结构。背景图1解说了一种半导体器件配置，该半导体器件配置包括第一管芯100、第二管芯102、中介体104、和封装基板106。如图1所示，第一管芯100通过第一组焊球108耦合至中介体104。第二管芯102通过第二组焊球110耦合到中介体104。中介体104包括第一组互连112和第二组互连114。第一组互连112被配置成在第一管芯100与第二管芯102之间提供电连接。具体地，第一管芯100通过第一组焊球108、第一组互连112、和第二组焊球110电耦合至第二管芯102。中介体104通过第三组焊球116耦合到封装基板106。第二组互连114被配置成在第一管芯100和封装基板106之间提供电连接。如图1所示，第一管芯100通过第一组焊球108、第二组互连114和第三组焊球116电耦合至封装基板106。图2解说了一种半导体器件配置，该半导体器件配置包括第一管芯200、第二管芯202、桥接结构204、和封装基板206。如图2所示，第一管芯200通过第一组凸块及焊球208耦合至桥接结构204。第二管芯202通过第二组凸块及焊球210耦合到桥接结构204。桥接结构204包括第一组互连212和介电层214。第一组互连212是金属层(例如，铜)。桥接结构204被置于封装基板206上。桥接结构204被配置成提供第一管芯200与第二管芯202之间的电连接。具体地，桥接结构204的第一组互连212被配置成提供第一管芯200与第二管芯202之间的电连接。具体地，第一管芯200通过第一组凸块及焊球208、第一组互连212、和第二组凸块及焊球210电耦合至第二管芯202。图3解说了一种半导体器件配置，该半导体器件配置包括第一管芯300、第二管芯302、桥接结构304、和封装基板306。如图3所示，第一管芯300通过第一组凸块及焊球308耦合至桥接结构304。第二管芯302通过第二组凸块及焊球310耦合到桥接结构304。桥接结构304包括第一组互连312以及介电层314。第一组互连312是金属层(例如，铜)。桥接结构304被部分地嵌入封装基板306中。具体地，该桥接结构的介电层314被嵌入封装基板306的介电层320中。如图3进一步示出的，桥接结构304的第一组互连312在封装基板的介电层320上方。桥接结构304被配置成提供第一管芯300与第二管芯302之间的电连接。具体地，桥接结构304的第一组互连312被配置成提供第一管芯300与第二管芯302之间的电连接。具体地，第一管芯300通过第一组凸块及焊球308、第一组互连312、和第二组凸块及焊球310电耦合至第二管芯302。图1-3的半导体器件配置存在若干缺点。例如，图1-2的配置产生较高的半导体器件，而制造更小半导体器件的需求一直存在。图3中示出的半导体器件配置的缺点之一是它难以制造。因此，存在对提供管芯之间的电连接的创新器件(例如，桥接结构)的需要。理想地，此类创新的半导体器件将容易制造。概述各个特征涉及基板中的嵌入式桥接结构。第一示例提供一种包括第一介电层和桥接结构的基板。该桥接结构被嵌入在第一介电层中。该桥接结构被配置成提供第一管芯与第二管芯之间的电连接。第一管芯和第二管芯被配置成耦合至基板。桥接结构包括第一组互连和第二介电层。第一组互连被嵌入在第一介电层中。根据一方面，该桥接结构进一步包括第二组互连。根据一方面，第二介电层被嵌入在第一介电层中。根据一方面，第一介电层包括该桥接结构的第一组互连、该桥接结构中的第二组互连、以及该桥接结构中的一组焊盘。根据一方面，该桥接结构进一步包括一组焊盘。在一些实现中，该组焊盘被配置成耦合至第一管芯的第一组凸块及互连。该组焊盘还被配置成耦合至第二管芯的第二组凸块及互连。根据一方面，该基板是被配置成耦合至印刷电路板的封装基板。根据一个方面，该基板被纳入以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。第二示例提供了一种包括第一介电层以及嵌入在第一介电层中的桥接装置的装备。该桥接装置被配置成提供第一管芯与第二管芯之间的电连接。第一管芯和第二管芯被配置成耦合至基板。该桥接装置包括第一组互连和第二介电层。第一组互连被嵌入在第一介电层中。根据一方面，该桥接装置进一步包括第二组互连。根据一方面，第二介电层被嵌入在第一介电层中。根据一方面，第一介电层包括该桥接装置的第一组互连、该桥接结构中的第二组互连、以及该桥接装置中的一组焊盘。根据一方面，该桥接装置进一步包括一组焊盘。根据一方面，该组焊盘被配置成耦合至第一管芯的第一组凸块及互连。该组焊盘还被配置成耦合至第二管芯的第二组凸块及互连。根据一方面，该基板是被配置成耦合至印刷电路板(PCB)的封装基板。根据一个方面，该装备被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。第三示例提供了一种用于提供基板的方法。该方法提供第一介电层。该方法提供嵌入在第一介电层中的第一组互连，从而使得第一组互连经由第一介电层来耦合。第一组互连被配置为第一介电层中的桥接结构。桥接结构被配置成提供第一管芯与第二管芯之间的电连接。该方法在第一组互连上提供第二介电层。根据一方面，该方法进一步在第一介电层中提供第二组互连。根据一方面，第二介电层被嵌入在第一介电层中。根据一方面，第一介电层包括该桥接结构的第一组互连、该桥接结构中的第二组互连、以及该桥接结构中的一组焊盘。根据一方面，该方法进一步包括耦合至第一组互连的一组焊盘。在一些实现中，该组焊盘被配置成耦合至第一管芯的第一组凸块及互连。该组焊盘还被配置成耦合至第二管芯的第二组凸块及互连。根据一方面，该基板是被配置成耦合至印刷电路板(PCB)的封装基板。根据一个方面，该基板被纳入以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。附图在结合附图理解下面阐述的详细描述时，各种特征、本质和优点会变得明显，在附图中，相像的附图标记贯穿始终作相应标识。图1解说被配置成提供两个管芯之间的电连接的中介体。图2解说基板上被配置成提供两个管芯之间的电连接的桥接结构。图3解说基板上被配置成提供两个管芯之间的电连接的另一桥接结构。图4解说嵌入在基板中的被配置成提供两个管芯之间的电连接的桥接结构。图5A解说嵌入式桥接结构的侧视图。图5B解说嵌入式桥接结构的俯视图。图5C解说嵌入式桥接结构的仰视图。图6解说嵌入在基板中的被配置成提供两个管芯之间的电连接的另一桥接结构。图7A解说嵌入式桥接结构的侧视图。图7B解说嵌入式桥接结构的俯视图。图7C解说嵌入式桥接结构的仰视图。图8解说嵌入在基板中的被配置成提供两个管芯之间的电连接的另一桥接结构。图9A解说用于提供包括嵌入式桥接结构的基板的序列的一部分。图9B解说用于提供包括嵌入式桥接结构的基板的序列的一部分。图9C解说用于提供包括嵌入式桥接结构的基板的序列的一部分。图9D解说用于提供包括嵌入式桥接结构的基板的序列的一部分。图9E解说用于提供包括嵌入式桥接结构的基板的序列的一部分。图9F解说用于提供包括嵌入式桥接结构的基板的序列的一部分。图9G解说用于提供包括嵌入式桥接结构的基板的序列的一部分。图9H解说用于提供包括嵌入式桥接结构的基板的序列的一部分。图9I解说用于提供包括嵌入式桥接结构的基板的序列的一部分。图9K解说用于提供包括嵌入式桥接结构的基板的序列的一部分。图10解说用于提供包括嵌入式桥接结构的基板的方法的示例性流程图。图11解说用于提供包括嵌入式桥接结构的基板的方法的示例性流程图。图12解说了可集成本文所描述的基板、集成电路和/或PCB的各种电子设备。详细描述在以下描述中，给出了具体细节以提供对本公开的各方面的透彻理解。然而，本领域普通技术人员将理解，没有这些具体细节也可实践这些方面。例如，电路可能用框图示出以避免使这些方面湮没在不必要的细节中。在其他实例中，公知的电路、结构和技术可能不被详细示出以免模糊本公开的这些方面。总览一些创新特征涉及包括第一介电层和桥接结构的基板。该桥接结构被嵌入在第一介电层中。该桥接结构被配置成提供第一管芯与第二管芯之间的电连接。第一管芯和第二管芯被配置成耦合至该基板。该桥接结构包括第一组互连和第二介电层。第一组互连被嵌入在第一介电层中。在一些实现中，该桥接结构进一步包括第二组互连。在一些实现中，第二介电层被嵌入在第一介电层中。在一些实现中，第一介电层包括该桥接结构的第一组互连、该桥接结构中的第二组互连、以及该桥接结构中的一组焊盘。在一些实现中，该桥接结构进一步包括一组焊盘。在一些实现中，该组焊盘被配置成耦合至第一管芯的第一组凸块及互连。该组焊盘还被配置成耦合至第二管芯的第二组凸块及互连。在一些实现中，该基板是被配置成耦合至印刷电路板(PCB)的封装基板。基板中的示例性嵌入式桥接结构图4解说了一种器件配置(例如，半导体器件配置)，该器件配置包括第一管芯400、第二管芯402、桥接结构404、和基板406。在一些实现中，基板406是封装基板。基板406包括第一介电层430、第二介电层432、和第三介电层434。在一些实现中，第一、第二、和第三介电层430、432和434可以是基板406的单个介电层。如图4所示，第一管芯400通过第一组互连408耦合至桥接结构404。在一些实现中，第一组互连包括一组凸块及焊球。第二管芯402通过第二组互连410耦合到桥接结构404。在一些实现中，第二组互连410包括一组凸块及焊球。桥接结构404包括第三组互连412、介电层414、第一组焊盘416、第二组焊盘418、第一组通孔420、和第二组通孔422。第三组互连412是桥接结构404的第一金属层(例如，铜)。第一组焊盘和第二组焊盘420和422是桥接结构404的第二金属层(例如，铜)。在一些实现中，桥接结构404是嵌入式桥接结构。如图4进一步示出的，桥接结构404被嵌入在基板406中。具体地，桥接结构404的第三组互连412被嵌入在基板406的介电层430中。介电层414在第三组互连412上方。在一些实现中，桥接结构404被配置成提供第一管芯400与第二管芯402之间的电连接。具体地，桥接结构404的第三组互连412被配置成提供第一管芯400与第二管芯402之间的电连接。具体地，第一管芯400通过第一组互连408(例如，凸块和/或焊球)、第一组焊盘416、第一组通孔420、第三组互连412、第二组通孔422、第二组焊盘418、和第二组互连410(例如，凸块和/或焊球)被电耦合至第二管芯402。在一些实现中，桥接结构404的介电层414被嵌入在基板406的第一介电层430中。如图4进一步示出的，基板406的介电层430被配置成包括至少两个金属层，即第一金属层(例如，第三组互连412)和第二金属层(例如，一组焊盘416和/或418)。图5A-5C解说图4的桥接结构的侧视图、俯视图和侧视图。图5A解说了图4的桥接结构404的侧视图。如图5A所示，桥接结构404包括第三组互连412、介电层414、第一组焊盘416、第二组焊盘418、第一组通孔420、和第二组通孔422。第三组互连412是桥接结构404的第一金属层(例如，铜)。第一组焊盘和第二组焊盘420和422是桥接结构404的第二金属层(例如，铜)。图5B解说了图4的桥接结构404的俯视图。图5C解说了图4的桥接结构404的仰视图。在一些实现中，桥接结构404是基板中(例如，封装基板的介电层)的嵌入式桥接结构。将桥接结构404嵌入在基板406中从而第三组互连412被嵌入在基板406中的一个优点在于介电层414提供第三组互连412的绝缘。在此类实例中，基板406上可以不再需要阻焊层。然而，应当注意的是，在一些实现中，阻焊层可以提供在基板406的表面之上。基板中的带有互连层的示例性嵌入式桥接结构在一些实现中，嵌入式桥接结构可包括若干互连层。图6解说此类嵌入式桥接结构的示例。具体地，图6解说了一种器件配置(例如，半导体器件配置)，该器件配置包括第一管芯600、第二管芯602、桥接结构604和基板606。在一些实现中，基板606是封装基板。基板606包括第一介电层630、第二介电层632、和第三介电层634。在一些实现中，第一、第二和第三介电层630、632和634可以是基板606的单个介电层。如图6所示，第一管芯600通过第一组互连608耦合至桥接结构604。在一些实现中，第一组互连包括一组凸块及焊球。第二管芯602通过第二组互连610耦合到桥接结构604。在一些实现中，第二组互连610包括一组凸块及焊球。桥接结构604包括第三组互连612、介电层614、第一组焊盘616、第二组焊盘618、第一组通孔620、和第二组通孔622。第三组互连612是桥接结构604的第一金属层(例如，铜)。第一组通孔和第二组通孔620和622是桥接结构604的第二金属层(例如，铜)。在一些实现中，桥接结构604是嵌入式桥接结构。如图6进一步示出的，桥接结构604被嵌入在基板606中。具体地，桥接结构604的第三组互连612被嵌入在基板606的介电层630中。介电层614在第三组互连612上方。在一些实现中，桥接结构604被配置成提供第一管芯600与第二管芯602之间的电连接。具体地，桥接结构604的第三组互连612被配置成提供第一管芯600与第二管芯602之间的电连接。具体地，第一管芯600通过第一组互连608(例如，凸块和/或焊球)、第一组焊盘616、第一组通孔620、第三组互连612、第二组通孔622、第二组焊盘618、和第二组互连610(例如，凸块和/或焊球)电耦合至第二管芯602。在一些实现中，桥接结构604的介电层614被嵌入在基板606的第一介电层630中。如图6进一步示出的，基板606的介电层630被配置成包括至少两个金属层，即第一金属层(例如，第三组互连612)、和第二金属层(例如，一组焊盘616和/或618)。图7A-7C解说图6的桥接结构的侧视图、俯视图和侧视图。图7A解说了图6的桥接结构604的侧视图。如图7A所示，桥接结构604包括第三组互连612、介电层614、第一组焊盘616、第二组焊盘618、第一组通孔620和第二组通孔622、以及第四组互连626。第三组互连612是桥接结构604的第一金属层(例如，铜)。第一组通孔和第二组通孔620和622是桥接结构604的第二金属层(例如，铜)。第四组互连626是桥接结构604的第三金属层(例如，铜)。图7B解说了图6的桥接结构604的俯视图。图7C解说了图6的桥接结构604的仰视图。在图7C中，第三组互连612以点划线示出以表示第三组互连被介电层628覆盖的事实。在一些实现中，桥接结构604是基板中的嵌入式桥接结构(例如，封装基板的介电层)。在一些实现中，嵌入式桥接结构的介电层(例如，介电层614)可以延伸超过嵌入式桥接结构的长度和/或宽度。例如，在一些实现中，介电层可以覆盖基板的部分或全部。图8解说包括嵌入式桥接结构的基板的一个示例，其中覆盖桥接结构的介电层还覆盖基板的其它部分。具体地，图8解说了一种器件配置(例如，半导体器件配置)，该器件配置包括第一管芯800、第二管芯802、桥接结构804、和基板806。在一些实现中，基板806是封装基板。基板806包括第一介电层830、第二介电层832、和第三介电层834。在一些实现中，第一、第二和第三介电层830、832和834可以是基板806的单个介电层。如图8所示，第一管芯800通过第一组互连808耦合至桥接结构804。在一些实现中，第一组互连包括一组凸块及焊球。第二管芯802通过第二组互连810耦合到桥接结构804。在一些实现中，第二组互连810包括一组凸块及焊球。桥接结构804包括第三组互连812、介电层814、第一组焊盘816、第二组焊盘818、第一组通孔820和第二组通孔822。第三组互连812是桥接结构804的第一金属层(例如，铜)。第一组通孔和第二组通孔820和822是桥接结构804的第二金属层(例如，铜)。在一些实现中，桥接结构804是嵌入式桥接结构。如图8进一步示出的，桥接结构804被嵌入在基板806中。具体地，桥接结构804的第三组互连812被嵌入在基板806的介电层830中。介电层814在第三组互连812上方。具体地，介电层814覆盖不止第三组互连812，而包括基板806的其它部分。在一些实现中，桥接结构804被配置成提供第一管芯800与第二管芯802之间的电连接。具体地，桥接结构804的第三组互连812被配置成提供第一管芯800与第二管芯802之间的电连接。具体地，第一管芯800通过第一组互连808(例如，凸块和/或焊球)、第一组焊盘816、第一组通孔820、第三组互连812、第二组通孔822、第二组焊盘818、和第二组互连810(例如，凸块和/或焊球)被电耦合至第二管芯802。应当注意，本公开中描述的嵌入式桥接结构并非显而易见的，因为提供/制造包括了嵌入式桥接结构(例如，桥接结构404、604、804)的基板的过程对于本领域普通技术人员而言并非是显而易见的。描述了若干种嵌入在基板中的桥接结构，现在在下文中将描述用于提供和/或制造包括了嵌入式桥接结构的基板的序列。以下描述的序列和方法提供了用于提供和/或制造包括了嵌入式桥接结构的基板的高效且具有成本效能的过程。用于提供/制造包括了嵌入式桥接结构的基板的示例性序列图9A-9K解说了用于提供/制造包括了嵌入式桥接结构的基板(例如，封装基板)的示例性序列。应注意，为了清楚和简化目的，图9A-9K的序列未必包括提供/制造包括了一个或多个嵌入式桥接结构的基板的所有步骤和/或阶段。此外，在一些实例中，若干步骤和/或阶段可以已被组合成单个步骤和/或阶段以便简化这些序列的描述。在一些实现中，图9A-9K的工艺是经修改的半加成工艺(mSAP)。在一些实现中，图9A-9K的工艺是半加成工艺(SAP)。如图9A中所示，(在阶段1)提供载体基板900。载体基板900可以包括载体核901、第一载体金属层902、第二载体金属层904、第一晶种层906、以及第二晶种层908。在一些实现中，载体核901是介电层(例如，经固化的介电层)。第一载体金属层902在载体核901的第一表面(例如，顶表面)上。第二载体金属层904在载体核901的第二表面(例如，底表面)上。在一些实现中，第一载体金属层902和第二载体金属层904是铜层。第一晶种层906在第一载体金属902上。第二晶种层908在第二载体金属904上。在一些实现中，第一和第二晶种层906-908是铜层。(在阶段2)在载体基板900上提供第一光阻层910和第二光阻层912。具体地，第一光阻层910被提供在第一晶种层906上，并且第二光阻层912被提供在第二晶种层908上。(在阶段3)可选择性地蚀刻第一和第二光阻层910-912以选择性地移除光阻层910-912的一些部分。不同实现可使用不同工艺来蚀刻第一和第二光阻层910-912。在一些实现中，蚀刻第一和第二光阻层910-912可以在第一和第二光阻层910-912中创建一个或多个空腔(例如，第一空腔913、第二空腔915)。例如，蚀刻第一光阻层910在第一光阻层910中创建第一空腔913，并且蚀刻第二光阻层912在第二光阻层912中创建第二空腔915。如图9B中所示，(在阶段4)在载体基板900上提供第一金属层和第二金属层。在一些实现中，第一金属层被提供在第一光阻层910的空腔中。例如，第一金属层914被提供在第一空腔913中。在一些实现中，第一金属层是金属镀敷层(例如，铜镀敷层)。在一些实现中，第二金属层被提供在第二光阻层912的空腔中。例如，第二金属层916被提供在第二空腔915中。在一些实现中，第二金属层是金属镀敷层(例如，铜镀敷层)。(在阶段5)移除第一和第二光阻层910-912。不同实现可使用不同工艺来移除第一和第二光阻层910-912。如阶段5处所示，移除第一和第二光阻层910-912留下了载体基板900上的第一金属层914和第二金属层916。(在阶段6)在基板900上选择性地提供第一介电层920和第二介电层922。在一些实现中，第一介电层920仅被提供在基板900的第一表面(例如顶表面)的一部分上。在一些实现中，第二介电层922仅被提供在基板900的第二表面(例如底表面)的一部分上。在一些实现中，提供第一和第二介电层920和922可包括选择性地蚀刻第一和第二介电层920和922的一些部分。(在阶段7)提供第一金属层和第二金属层。具体地，第一晶种层921被提供在第一介电层920上，而第二晶种层923被提供在第二介电层922上。在一些实现中，第一和第二晶种层921和923是铜金属层。(在阶段8)选择性地提供第一光阻层924和第二光阻层926。具体地，第一光阻层924被提供在基板900的第一表面上，而第二光阻层926被提供在基板900的第二表面上。在一些实现中，选择性地提供第一光阻层924包括用第一光阻层924涂覆基板900的第一表面和/或曝光第一光阻层924和/或使第一光阻层924显影。在一些实现中，提供第一光阻层924可包括蚀刻第一光阻层924的一些部分。在一些实现中，选择性地提供第二光阻层926包括用第二光阻层926涂覆基板900的第二表面和/或曝光第二光阻层926和/或使第二光阻层926显影。在一些实现中，提供第二光阻层926可包括蚀刻第二光阻层926的一些部分。(在阶段9)选择性地提供第一金属层927和第二金属层929。第一金属层927被选择性地提供在第一晶种层921之上。第二金属层929被选择性地提供在第二晶种层923之上。(在阶段10)移除第一和第二光阻层924和926。不同实现可使用不同工艺来移除第一和第二光阻层924和926。在一些实现中，第一桥接结构918(例如，第一嵌入式桥接结构)可以由第一介电层920、第一晶种层921和第一金属层927来定义。在一些实现中，第二桥接结构919(例如，第二嵌入式桥接结构)可以由第二介电层922、第二晶种层923和第二金属层929来定义。(在阶段11)在载体基板900的第一表面(例如，顶表面)上提供第一介电层930以及金属层932。在一些实现中，第一介电层930覆盖第一金属层914的一些或全部。在一些实现中，第一介电层930覆盖一些或整个第一晶种层906。(在阶段11)还在载体基板900的第二表面(例如，底表面)上提供第二介电层934以及金属层936。在一些实现中，第二介电层934覆盖第二金属层916的一些或全部。在一些实现中，第二介电层934覆盖一些或整个第二晶种层908。如图9D中所示，可以(在阶段12)选择性地蚀刻第一介电层930以及金属层932以选择性地移除第一介电层930和金属层932的一些部分。不同实现可使用不同工艺来蚀刻第一介电层930以及金属层932。在一些实现中，蚀刻第一介电层930以及金属层932可以在第一介电层930和金属层932中创建一个或多个空腔(例如，空腔931)。在一些实现中，所创建的空腔是通孔空腔。例如，蚀刻第一介电层930和金属层932在第一介电层930和金属层932中创建空腔931。如图9D中进一步示出，可以(在阶段12)选择性地蚀刻第二介电层934和金属层936以选择性地移除第二介电层934和金属层936的一些。不同实现可使用不同工艺来蚀刻第二介电层934以及金属层936。在一些实现中，蚀刻第二介电层934和金属层936可以在第二介电层934和金属层936中创建一个或多个空腔(例如，空腔933)。在一些实现中，所创建的空腔是通孔空腔。例如，蚀刻第二介电层934和金属层936在第二介电层934和金属层936中创建空腔933。在一些实现中，附加金属层(未示出)可以被添加在金属层932和金属层936的顶上。在此类实例中，金属层932和936可以是铜晶种层。在阶段13，在载体基板900上提供图案化工艺。在一些实现中，图案化包括在可以定义一个或多个通孔空腔的空腔(例如，第一空腔931、第二空腔933)中提供金属层。例如，用金属层(例如，铜层)来填充通孔空腔931提供了第一介电层930中的第一通孔937，并且用金属层(例如，铜层)来填充通孔空腔933提供了第二介电层934中的第二通孔939。另外，(阶段13处的)图案化可以包括通过选择性地蚀刻金属层932和936来创建一个或多个通孔焊盘。例如，选择性地蚀刻金属层932可以创建第一通孔焊盘938。第一通孔焊盘938耦合至第一通孔934。在一些实现中，选择性地蚀刻金属层936可以创建第二通孔焊盘940。第二通孔焊盘940耦合至第二通孔939。在一些实现中，阶段12和13可以被重复若干次(例如，不止一次)以在载体基板900中创建若干介电层、通孔、和/或焊盘。图9F的阶段14解说了在载体基板900上提供的附加介电层、通孔、和/或焊盘。图9F的阶段14解说了在一些实现中再次应用阶段7和8的工艺之后的载体基板900。如阶段14中所示，提供了第三介电层942和第四介电层944。(在阶段15)在载体基板900的第一表面(例如，顶表面)上提供第五介电层946和金属层948。(在阶段15)还在载体基板900的第二表面(例如，底表面)上提供第六介电层950和金属层952。在一些实现中，附加金属层(未示出)可以被添加在金属层948和金属层952的顶上。在此类实例中，金属层948和952可以是铜晶种层。如图9G中所示，可以(在阶段16)选择性地蚀刻第五介电层946和金属层948以选择性地移除第五介电层946和金属层948的一些部分。不同实现可使用不同工艺来蚀刻第五介电层946和金属层948。在一些实现中，蚀刻第五介电层946和金属层948可以在第五介电层946和金属层948中创建一个或多个空腔(例如，空腔951)。在一些实现中，所创建的空腔是通孔空腔。例如，蚀刻第五介电层946和金属层948在第五介电层946和金属层948中创建空腔951。图9G还解说了可以(在阶段16)选择性地蚀刻第六介电层950和金属层952以选择性地移除第六介电层950和金属层952的一些部分。不同实现可使用不同工艺来蚀刻第六介电层950和金属层952。在一些实现中，蚀刻第六介电层950和金属层952可以在第六介电层950和金属层952中创建一个或多个空腔(例如，空腔953)。在一些实现中，所创建的空腔是通孔空腔。例如，蚀刻第六介电层950和金属层952在第六介电层950和金属层952中创建空腔953。图9G的阶段17解说了第一光阻层970和第二光阻层972已被应用(例如，提供)在基板上并且已被选择性地蚀刻之后的基板。在一些实现中，蚀刻第一和第二光阻层970和972包括使光阻层970和972曝光并且使第一和第二光阻层970和972显影。然而，不同实现可以选择性地蚀刻光阻层970和972。在一些实现中，选择性地蚀刻第一和第二光阻层970和972可以在第一和第二光阻层970和972中创建一个或多个空腔(例如，空腔972、空腔973)。如图9H所示，在阶段18，在基板(例如，基板900)上提供图案化工艺。在一些实现中，图案化包括在可以定义一个或多个互连(例如，迹线)、通孔和/或通孔焊盘的空腔(例如，空腔951、空腔953、空腔971、空腔971)中提供金属层。在一些实现中，图案化工艺可以包括图案化镀敷工艺。在一些实现中，金属层可以是铜金属层。例如，在一些实现中，用金属层(例如，铜层)来填充通孔空腔951提供了通孔974，用金属层(例如，铜层)来填充空腔971提供了互连977(例如，迹线、焊盘)，并且用金属层(例如，铜层)来填充空腔953和973提供了通孔976和互连978(例如，迹线、焊盘)。(在阶段19)移除第一和第二光阻层970和972。不同实现可以不同地移除光阻层970和972。如图9I所示，在阶段20，选择性地蚀刻和/或移除金属层(例如，金属层948和952)。在一些实现中，金属层948和952是晶种层。在一些实现中，选择性地蚀刻晶种层(例如，层948和952)在基板(例如，基板900)上提供了若干表面互连(例如，第一表面互连977、第二表面互连978)。在一些实现中，载体基板900(在阶段21)被分成两个或更多个部分。例如，在一些实现中，载体基板900被分成三个部分，即，第一基板960、第二基板962和第三基板964。第三基板964包括载体核901、以及第一和第二载体层902-904。第一基板960包括介电层934、944和950。第一基板960还包括若干通孔(例如，通孔937)、若干通孔焊盘(例如，焊盘940)以及互连978(例如，迹线、焊盘)。第二基板962包括介电层930、942和946。第二基板962还包括若干通孔(例如，通孔939)、若干通孔焊盘(例如，焊盘938)以及互连977(例如，迹线、焊盘)。在一些实现中，第一和/或第二基板960和962可被用于提供包括嵌入式互连(例如，嵌入式迹线)和/或表面互连(例如，表面迹线)的基板。在一些实现中，第一和/或第二基板960和962可以被用于提供包括了嵌入式桥接结构的基板。应当注意，尽管互连(例如，互连938、940、977、978)被示为具有一个金属层，但在一些实现中，这些互连可包括不止一个金属层。例如，这些互连可包括晶种层以及另一金属层。阶段22解说基板与载体基板分开之后。如阶段22所示，基板960与基板964分开。在一些实现中，提供基板的工艺可结束于阶段22。在一些实现中，提供基板的工艺可进一步继续至阶段23。图9J的阶段23解说了第一光阻层980已被应用(例如，提供)在基板上并且已被选择性地蚀刻之后的基板(例如，第一基板960、第二基板962)。在一些实现中，蚀刻第一光阻层980包括曝光第一光阻层980并且使第一光阻层980显影。然而，不同实现可以选择性地蚀刻光阻层980。在一些实现中，选择性地蚀刻第一光阻层980可以在第一光阻层980中创建一个或多个空腔(例如，空腔981、空腔982)。在阶段24，在基板(例如，基板960)上提供图案化工艺。在一些实现中，图案化包括在空腔(例如，空腔981、空腔982)中提供金属层，其可以定义一个或多个互连(例如，迹线)、通孔和/或通孔焊盘。在一些实现中，图案化工艺可以包括图案化镀敷工艺。在一些实现中，金属层可以是铜金属层。例如，在一些实现中，用金属层(例如，铜层)填充空腔981提供了互连983(例如，迹线)，而用金属层(例如，铜层)填充空腔982提供了互连984(例如，迹线、焊盘)。如图9K中所示，(在阶段25)移除第一光阻层980。不同实现可以不同地移除光阻层980。在阶段26，选择性地蚀刻和/或移除晶种层(例如，晶种层906)。在一些实现中，选择性地蚀刻晶种层(例如，晶种层906)在基板(例如，基板960)上提供了若干表面互连(例如，第一表面互连990、第二表面互连992、和第三表面互连993)。阶段26还解说了在一些实现中，选择性地蚀刻晶种层(例如，晶种层906)可以暴露基板中的桥接结构的部分或全部。如阶段26所示，基板可以包括一个或多个介电层。不同实现可以在基板中提供不同数目的介电层。如图9K进一步示出的，(在阶段27)阻焊层998被提供在基板上。在一些实现中，阻焊层998被提供在基板的第一表面(例如，底表面)上。阻焊层998可以覆盖基板的整个第二表面或者仅覆盖基板的第二表面的一部分。在一些实现中，阻焊层998可以覆盖互连(例如，表面互连、嵌入式互连)和/或焊盘的一些部分或全部。在一些实现中，第二阻焊层(未示出)可以被提供在基板的第二表面(例如，顶表面)上。第二阻焊层可以覆盖第二表面的一部分。用于提供/制造包括嵌入式桥接结构的基板的方法的示例性流程图图10解说了用于提供/制造包括嵌入式桥接结构的基板(例如，封装基板)的高级方法的示例性流程图。应注意，为了清楚和简化目的，图10的流程图未必包括提供/制造包括了一个或多个嵌入式桥接结构的基板的所有步骤。此外，在一些实例中，若干步骤可以已被组合成单个步骤以便简化各序列的描述。如图10中所示，该方法(在步骤1005)提供第一介电层。不同的实现可不同地提供电介质层。图9D解说了提供介电层的示例。例如，图9D的阶段11解说了提供介电层(例如，介电层930和934)。该方法接着(在步骤1010)提供嵌入在第一介电层中的桥接结构。该桥接结构被配置成提供第一管芯与第二管芯之间的电连接。第一管芯和第二管芯被配置成耦合至基板。该桥接结构包括第一组互连和第二介电层。第一组互连被嵌入在第一介电层中。图9B-9D的阶段6-10解说了在一些实现中提供桥接结构的示例。然而，不同实现可以使用不同序列和/或工艺来提供嵌入在基板中的桥接结构。该方法(在步骤1015)还在基板上提供阻焊层。在一些实现中，提供阻焊层包括在介电层的第一表面和/或第二表面上提供阻焊层。在一些实现中，当(在1015)提供阻焊层时，该阻焊层可以覆盖介电层的第一表面的一些或全部。在一些实现中，阻焊层可以覆盖互连和/或焊盘的一些部分或全部。用于提供/制造包括了嵌入式桥接结构的基板的方法的示例性流程图图11解说了用于提供/制造包括了嵌入式桥接结构的基板(例如，封装基板)的高级方法的另一示例性流程图。应注意，为了清楚和简化目的，图11的流程图未必包括提供/制造包括了一个或多个嵌入式桥接结构的基板的所有步骤。此外，在一些实例中，若干步骤可以已被组合成单个步骤以便简化各序列的描述。如图11中所示，该方法(在步骤1105)提供第一介电层。不同的实现可不同地提供电介质层。图9D解说了提供电介质层的示例。例如，图9D的阶段11解说了提供介电层(例如，介电层930和934)。该方法接着(在步骤1110)提供嵌入在第一介电层中的第一组互连，从而使得第一组互连经由第一介电层来耦合。第一组互连被配置为第一介电中的桥接结构。该桥接结构被配置成提供第一管芯与第二管芯之间的电连接。该方法接着(在步骤1115)在第一组互连上提供第二介电层。图9B-9D的阶段6-11解说了在一些实现中提供桥接结构的示例。具体地，图9B-9D的阶段6-11解说了在基板中提供第一组互连和第二介电层的示例。然而，不同实现可以使用不同序列和/或工艺来提供嵌入在基板(例如，介电层)中的桥接结构。该方法(在步骤1120)还在基板上提供阻焊层。在一些实现中，提供阻焊层包括在介电层的第一表面和/或第二表面上提供阻焊层。在一些实现中，当(在1120)提供阻焊层时，该阻焊层可以覆盖介电层的第一表面的一些或全部。在一些实现中，阻焊层可以覆盖互连和/或焊盘的一些部分或全部。示例性电子设备图12解说了可集成有前述基板、半导体器件、集成电路、管芯、中介体或封装中的任一者的各种电子设备。例如，移动电话1202、膝上型计算机1204以及固定位置终端1206可包括如本文所述的集成电路(IC)1200。IC1200可以是例如本文所述的集成电路、管芯或封装件中的任何一种。图12中所解说的设备1202、1204、1206仅是示例性的。其它电子设备也可以IC1200为特征，包括但不限于移动设备、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元(诸如个人数字助理)、启用GPS的设备、导航设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、固定位置数据单位(诸如仪表读取装备)、通信设备、智能电话、平板计算机、或者存储或检索数据或计算机指令的任何其它设备，或者其任何组合。图4、5A-5C、6、7A-7C、8、9A-9K、10、11和/或12中解说的组件、步骤、特征和/或功能中的一个或多个可以被重新安排和/或组合成单个组件、步骤、特征或功能，或可以实施在数个组件、步骤、或功能中。也可添加附加的元件、组件、步骤、和/或功能而不会脱离本发明。措辞“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何实现或方面不必被解释为优于或胜过本公开的其他方面。同样，术语“方面”不要求本公开的所有方面都包括所讨论的特征、优点或操作模式。术语“耦合”在本文中被用于指两个对象之间的直接或间接耦合。例如，如果对象A物理地接触对象B，且对象B接触对象C，则对象A和C可仍被认为是彼此耦合的——即便它们并非彼此直接物理接触。还应注意，这些实施例可能是作为被描绘为流程图、流图、结构图、或框图的过程来描述的。尽管流程图可能会把诸操作描述为顺序过程，但是这些操作中有许多操作能够并行或并发地执行。另外，这些操作的次序可以被重新安排。过程在其操作完成时终止。本文所述的本发明的各种特征可实现于不同系统中而不脱离本发明。应注意，本公开的以上各方面仅是示例，且不应被解释成限定本发明。对本公开的各方面的描述旨在是解说性的，而非限定所附权利要求的范围。由此，本发明的教导可以现成地应用于其他类型的装置，并且许多替换、修改和变形对于本领域技术人员将是显而易见的。