技术特征：
技术总结
半桥功率半导体模块1具有绝缘配线基板15，绝缘配线基板15包括在一张绝缘板16之上或其上方相互电绝缘地配置的正极配线导体12H、桥接配线导体12B及负极配线导体21L。在正极配线导体12H及桥接配线导体12B之上接合有高侧功率半导体装置13HT及低侧功率半导体装置13LT的背面电极。高侧功率半导体装置13HT及低侧功率半导体装置13LT的表面电极经由多个接合线18BT及多个接合线18LT与桥接配线导体12B及负极配线导体21L连接。
技术研发人员：谷本智
受保护的技术使用者：日产自动车株式会社
技术研发日：2014.11.28
技术公布日：2017.09.12