1.一种光刻方法，其特征在于，所述光刻方法包括：
步骤S1，在晶片表面的介质层上设置主光刻胶层，所述介质层至少包括SiOX层，且所述SiOX层直接设置在所述晶片的硅衬底的表面上；
步骤S2，对所述主光刻胶层进行曝光；
步骤S3，在曝光后的所述主光刻胶层的边缘区域设置副光刻胶层；
步骤S4，对曝光后的所述主光刻胶层和所述副光刻胶层进行显影，形成光刻胶掩膜层；以及
步骤S5，在所述光刻胶掩膜层的保护下，对所述介质层进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述边缘区域为从晶圆外边缘向内延伸1～3mm的区域。
3.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述副光刻胶的厚度为所述主光刻胶层的厚度的0.5～1倍。
4.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，设置所述副光刻胶层时光刻机的转速为设置所述主光刻胶层时所述光刻机转速的0.25～0.5倍。
5.根据权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻机设置所述副光刻胶层的时间为设置所述主光刻胶层的时间的0.5～2倍。
6.一种自对准硅化物工艺，包括光刻过程，其特征在于，所述光刻过程采用权利要求1～5中任一项所述的光刻方法实施。
7.根据权利要求6所述的自对准硅化物工艺，其特征在于，所述自对准硅化物工艺包括：
步骤S10，实施所述光刻过程在晶片上形成凹槽；
步骤S20，在所述晶片的表面上与所述凹槽内设置金属层；以及
步骤S30，对具有所述金属层的晶片进行热处理，形成金属硅化物。
8.一种接触孔制备工艺，包括光刻过程，其特征在于，所述光刻过程采用权利要求1～5中任一项所述的光刻方法实施。
9.根据权利要求8所述的接触孔制备工艺，其特征在于，所述接触孔制备工艺包括：
步骤S10’，实施所述光刻过程在晶片上形成凹槽；
步骤S20’，在所述介质层上、所述凹槽中依次设置粘合层和金属层；以及
步骤S30’，去除所述介质层表面以上的所述粘合层和所述金属层，形成接触孔。
10.一种有源区反刻工艺，包括光刻过程，其特征在于，所述光刻过程采用权利要求1～5中任一项所述的光刻方法实施。