技术总结
本申请提供了一种光刻方法及其应用工艺。该光刻方法包括：步骤S1，在晶片表面的介质层上设置主光刻胶层，介质层至少包括SiOX层，且SiOX层直接设置在晶片的硅衬底的表面上；步骤S2，对主光刻胶层进行曝光；步骤S3，在曝光后的主光刻胶层的边缘区域设置副光刻胶层；步骤S4，对曝光后的主光刻胶层和副光刻胶层进行显影，形成光刻胶掩膜层；以及步骤S5，在光刻胶掩膜层的保护下，对介质层进行刻蚀。该光刻方法使得刻蚀后晶片边缘区域的与硅衬底直接接触的SiOX层得以保留下来，进而使后续设置的结构层未与晶片的衬底硅直接接触，进而避免了热处理过程中二者之间的较大应力导致的剥落缺陷的产生，提高了器件的良率。
技术研发人员：赵书文
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201510181033
技术研发日：2015.04.16
技术公布日：2016.11.23