技术总结
本发明揭露一种硅控整流器，包含基板、井区、深掺杂区、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第四掺杂区。井区设置于基板上，并设置于元件区域下方。深掺杂区设置于井区内。第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区与第三掺杂区具有第一导电型，并位于深掺杂区上。第四掺杂区具有第二导电型，位于第二掺杂区与第三掺杂区之间，并位于深掺杂区上。第四掺杂区经由深掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区而与井区电性绝缘。本发明所提出的硅控整流器可制作于同一井区，以降低布局面积，并同时维持一定的电路效能。
技术研发人员：林群祐;柯明道;王文泰
受保护的技术使用者：创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201510232109
技术研发日：2015.05.08
技术公布日：2016.12.07