1.一种混合整流二极管，该二极管的有源区由若干个单胞并联构成，所述单胞包括依次层叠设置的背面金属层、N+衬底区、N-外延层、位于N-外延层内的P+有源区结、位于N-外延层上的正面金属层；其特征在于，所述单胞还包括一绝缘层，所述绝缘层在所述N-外延层之上且在所述正面金属层之下，并依次分段设置在所述P+有源区结的两侧且至少有一侧与所述P+有源区结不相连接，位于所述绝缘层与所述P+有源区结不相连接处的的所述正面金属层与所述N-外延层接触形成肖特基势垒。
2.如权利要求1所述的混合整流二极管，其特征在于，所述绝缘层在所述N-外延层之上且在所述正面金属层之下，并依次分段设置在所述P+有源区结的两侧，包括：
所述P+有源区结的两侧均不与所述绝缘层相连接。
3.如权利要求1或2任一权项所述的混合整流二极管，其特征在于，所述绝缘层是二氧化硅层。
4.如权利要求1所述的混合整流二极管，其特征在于，所述正面金属层包括能够形成肖特基势垒的第一金属层和位于所述第一金属层之上的用于封装的第二金属层。
5.如权利要求4所述的混合整流二极管，其特征在于，所述第一金属层是钛，或者是镍，或者是鉬，或者是钛镍鉬合金。
6.一种混合整流二极管的制作方法，其特征在于：
提供硅材料的N+半导体衬底；
在所述N+半导体衬底上形成N-外延层；
在N-外延层上淀积形成绝缘层；
对所述绝缘层进行光刻工艺，形成与所述绝缘层不相连接的有源区结窗口；
对所述有源区结窗口进行离子注入，形成P+有源区结；
在所述P+有源区结和绝缘层之上淀积形成正面金属层；
对所述N+半导体衬底的底部淀积形成背面金属层。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对该绝缘层进行光刻工艺，形成与绝缘层不相连接的有源区结窗口，包括:
在所述绝缘层之上涂敷光刻胶，通过第一掩膜版刻蚀形成有源区结初始窗口之后再涂敷光刻胶，通过第二掩膜版形成有源区结窗口，所述有源区结窗口与所述绝缘层至少有一侧不相连接。
8.如权利要求6或7任一权项所述的方法，其特征在于，所述绝缘层是二氧化硅层，是通过先生长一层硅酸乙酯后再进行低温热解工艺形成。
9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述有源区结和绝缘层之上淀积形成正面金属层，具体为：
在所述有源区结和绝缘层之上通过金属溅射方法形成具有肖特基势垒接触的第一金属层；
在所述第一金属层上通过金属溅射方法形成一层用于封装的第二金属层。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一金属层是将钛，或者是镍，或者是鉬，或者是钛镍鉬合金与所述钛、镍、鉬的氮化物淀积后高温快速退火形成。