技术总结
本发明公开了一种混合整流二极管及其制作方法，该二极管的有源区由若干个单胞并联构成，所述单胞包括依次层叠设置的背面金属层、N+衬底区、N-外延层、位于N-外延层内的P+有源区结、位于N-外延层上的正面金属层；其特征在于，所述单胞还包括一绝缘层，所述绝缘层在所述N-外延层之上且在所述正面金属层之下，并依次分段设置在所述P+有源区结的两侧且至少有一侧与所述P+有源区结不相连接，位于所述绝缘层与所述P+有源区结不相连接处的所述正面金属层与所述N-外延层接触形成肖特基势垒，用以实现使反向漏电流减小的作用。
技术研发人员：姜春亮;蔡远飞;何昌
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
文档号码：201510259943
技术研发日：2015.05.20
技术公布日：2017.01.04