1.一种残留物的清除方法，其特征在于，包括：
提供一残留物去除对象，所述残留物去除对象的表面上具有残留物；
在所述残留物去除对象的表面上形成抗反射涂层以吸附所述残留物；
去除所述抗反射涂层。
2.如权利要求1所述的残留物的清除方法，其特征在于，所述抗反射涂层完全覆盖所述残留物清除对象的表面。
3.如权利要求1所述的残留物的清除方法，其特征在于，所述抗反射涂层的厚度在1000埃米以上。
4.如权利要求3所述的残留物的清除方法，其特征在于，所述抗反射涂层的厚度在1500埃米到2000埃米之间。
5.如权利要求1所述的残留物的清除方法，其特征在于，所述残留物去除对象是晶圆。
6.如权利要求1所述的残留物的清除方法，其特征在于，所述残留物是通孔刻蚀工艺所产生的聚合物。
7.如权利要求1所述的残留物的清除方法，其特征在于，所述残留物是光刻胶移除工艺的残留物。
8.如权利要求1所述的晶圆表面残留物的清除方法，其特征在于，所述残留物是辛酸ST250自带的聚合物。
9.如权利要求1所述的残留物的清除方法，其特征在于，形成所述抗反射涂层的工艺为涂布工艺。
10.如权利要求1所述的残留物的清除方法，其特征在于，去除所述抗反射涂层的工艺为剥离工艺。