残留物的清除方法与流程

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种残留物的清除方法。

背景技术：

在集成电路制造工艺中，刻蚀贯穿整个工艺流程，晶圆表面各种器件图形的形成均是通过刻蚀形成的。所谓刻蚀是指从晶圆表面的薄膜上移除部分材料以形成图形的过程。通过刻蚀，可以实现图形从掩膜版到晶圆的转移。

其中，通孔刻蚀(Via ETCH)是指在两层互联金属线之间的层间膜(通常是各种各样的氧化膜)内刻蚀出一系列通孔的过程，通孔里面填入用于两层金属线间的互联金属，通过这些金属线把成千上万的晶体管连成具有一定功能的器件回路。在通孔刻蚀过程中会产生聚合物(Polymer)，所述聚合物一般包含碳(C)、氟(F)、硅(Si)等元素。

所述聚合物(Polymer)是一种不必要而且难以清除的残留物，容易和环境中的微小颗粒(Particle)一起粘附在晶圆的表面上，形成球形缺陷(ball defect)。所述球形缺陷会堵塞通孔，使得通孔尺寸变小，从而影响通孔的电阻特性。严重的，甚至会造成金属布线间的开路，导致器件失效。因此，在通孔刻蚀工艺之后一般需要对晶圆进行清洗以去除其表面上的各种残留物。

目前，主要有三种清洗方法去除晶圆表面残留物：第一种清洗方法是毛刷清洗(Scrubber Clean)，即利用毛刷刷洗晶圆表面；第二种清洗方法是毛刷清洗的同时通入氮气(Scrubber+N2 Clean)，通过氮气吹扫以加强毛刷清洗的效果；第三种清洗方法是两次药液清洗(chemical double processed)，将晶圆依次放入化学药液(辛酸ST250)中清洗两次。

然而，第一种清洗方法和第二种清洗方法去除晶圆表面残留物的效果都非常差，清洗之后球形缺陷基本上都没有减少。第三种方法虽然能够去除部分晶圆表面残留物，但是由于辛酸ST250一般会自带聚合物(Polymer)，因此清洗 效果也不尽人意，通过检测设备观察晶圆仍发现有球形缺陷。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种残留物的清除方法，以解决现有技术中无法有效去除通孔刻蚀工艺残留物，造成通孔缺陷的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种残留物的清除方法，所述残留物的清除方法包括：

提供一残留物去除对象，所述残留物去除对象的表面上具有残留物；

在所述残留物去除对象的表面上形成抗反射涂层以吸附所述残留物；

去除所述抗反射涂层。

可选的，在所述的残留物的清除方法中，所述抗反射涂层完全覆盖所述残留物清除对象的表面。

可选的，在所述的残留物的清除方法中，所述抗反射涂层的厚度在1000埃米以上。

可选的，在所述的残留物的清除方法中，所述抗反射涂层的厚度在1500埃米到2000埃米之间。

可选的，在所述的残留物的清除方法中，所述残留物去除对象是晶圆。

可选的，在所述的残留物的清除方法中，所述残留物是通孔刻蚀工艺所产生的聚合物。

可选的，在所述的残留物的清除方法中，所述残留物是光刻胶移除工艺的残留物。

可选的，在所述的残留物的清除方法中，所述残留物是辛酸ST250自带的聚合物。

可选的，在所述的残留物的清除方法中，形成所述抗反射涂层的工艺为涂布工艺。

可选的，在所述的残留物的清除方法中，去除所述抗反射涂层的工艺为剥离工艺。

在本发明提供的残留物的清除方法中，通过在残留物去除对象的表面上涂布具有强烈粘附作用的抗反射涂层，使其表面上的残留物被粘在所述抗反射涂 层上，之后去除所述抗反射涂层，从而实现清除残留物的目的，由此解决了残留物所引起的各种问题，提高了器件的特性和良率。

附图说明

图1是本发明实施例的残留物的清除方法的流程图；

图2是本发明实施例的晶圆表面在形成抗反射涂层前的结构示意图；

图3是本发明实施例的晶圆表面形成抗反射涂层后的结构示意图；

图4是本发明实施例的晶圆表面去除抗反射涂层后的结构示意图；

图5是本发明实施例的残留物的清除方法去除球形缺陷与现有的清洗方法去除球形缺陷的效果对比图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的残留物的清除方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参考图1，其为本发明实施例的残留物的清除方法的流程图。如图1所示，所述残留物的清除方法包括：

步骤一：提供一残留物去除对象，所述残留物去除对象的表面上具有残留物；

步骤二：在所述残留物去除对象的表面上涂布抗反射涂层以吸附所述残留物；

步骤三：去除所述抗反射涂层。

具体的，首先，如图2所示，提供一残留物去除对象10，所述残留物去除对象10的表面上具有残留物11。所述残留物去除对象10可以是晶圆，也可以是其他半导体衬底或玻璃衬底。所述残留物11可以是通孔刻蚀工艺所产生的聚合物(Polymer)，也可以是辛酸ST250本身自带的聚合物(Polymer)、光刻胶移除工艺的残留物以及各种微小颗粒(Particle)等。

接着，如图3所示，通过涂布工艺在所述残留物去除对象10的表面上形成 抗反射涂层(英文全称为Bottom Anti Reflective coating，英文简称为BARC)20，所述抗反射涂层20对于所述残留物去除对象10表面的残留物11，包括通孔刻蚀工艺所产生的聚合物都有强烈的粘附的作用。涂布完成后，所述残留物去除对象10的表面完全被所述抗反射涂层20覆盖，所述残留物去除对象10表面的残留物11全被粘在所述反射涂层20上。

优选的，所述抗反射涂层20的厚度在1000埃米以上，进一步的，所述抗反射涂层20的厚度范围在1500埃米到2000埃米之间，例如所述抗反射涂层20的厚度为1600埃米、1700埃米、1800埃米或1900埃米。

在形成抗反射涂层20之后，通过紫外线或加热固化所述抗反射涂层20。

最后，通过剥离工艺去除所述抗反射涂层20。如图4所示，由于所述残留物11全被所述抗反射涂层20牢牢地吸附住了，因此去除所述抗反射涂层20时，所述残留物11也被完全去除了。

实验证明，本实施例提供的残留物的清除方法不但简单有效，而且对各种残留物，包括通孔刻蚀工艺所产生的聚合物、辛酸ST250自带的聚合物、光刻胶移除工艺的残留物以及各种微小颗粒都有很好的去除效果，很好地解决了残留物所引起的各种问题。例如，在通孔刻蚀过程中产生的聚合物(Polymer)所造成球形缺陷。

请参考图5，其为本发明实施例的残留物的清除方法去除球形缺陷与现有的清洗方法去除球形缺陷的效果对比图。如图5所示，在通孔刻蚀之后涂布抗反射涂层粘走晶圆表面的聚合物之后，球形缺陷基本上完全没有了(图中A部分所示)，而在通孔刻蚀之后将晶圆放入药液中清洗，发现有很多球形缺陷(图中B部分所示)。可见，本实施例提供的残留物的清除方法比现有的聚合物的清除方法更加有效，能够彻底地去除球形缺陷。

综上，在本发明实施例提供的残留物的清除方法中，通过在残留物去除对象的表面涂布具有强烈粘附作用的抗反射涂层，使其表面上的残留物被粘在所述抗反射涂层上，之后去除所述抗反射涂层，从而实现清除残留物的目的，由此解决了残留物所引起的各种问题，提高了器件的特性和良率。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属 于权利要求书的保护范围。