1.一种新型的V型馈线谐振的缺陷地结构天线，其特征是：包括介质基板，辐射单元，微带传输线，回型缺陷地结构，接地面,V型馈线谐振单元，所述的辐射单元、微带传输线、印刷在介质基板上表面；所述的辐射单元位于介质基板的中部；回型缺陷地结构位于微带传输线两侧；回型缺陷地结构刻蚀在接地板上；弓字形结构槽开在辐射单元上；V型馈线结构刻蚀在微带传输线上。
2.根据权利要求1所述的一种新型的V型馈线谐振的缺陷地结构天线,其特征是:所述的微带线两侧分别有两个对称结构的金属谐振腔。
3.根据权利要求1或2所述的一种新型的V型馈线谐振的缺陷地结构天线，其特征是：所述的微带传输线两侧，金属谐振腔尺寸不相等。
4.根据权利要求1或2所述的一种新型的V型馈线谐振的缺陷地结构天线，其特征是：所述的金属谐振腔刻蚀在接地板上。
5.根据权利要求1所述的一种新型的V型馈线谐振的缺陷地结构天线，其特征是：所述的辐射单元上开弓字形结构槽。
6.根据权利要求1所述的一种新型的V型馈线谐振的缺陷地结构天线，其特征是:所述的微带传输线上刻蚀有V型馈线谐振单元。