一种半导体芯片的清洗方法与流程

本发明实施例涉及芯片清洗领域，尤其涉及一种半导体芯片的清洗方法。

背景技术：

对于已划片的半导体芯片由于存放时间、环境等因素的影响，使得半导体芯片的背银层氧化变质形成含银化合物。该化合物附着在银层表面，会影响银层与焊料之间的浸润，形成大小不一的装片空洞，由于空洞的存在会大大降低产品的散热能力，当产品通电后，热能都积聚在空洞内，导致热阻上升；当空洞超过一定范围时，热能积聚过多，就会影响到产品的使用性能，严重时还会导致产品烧毁。

而现有技术中，对该种划好片的成千上万个已分离的半导体芯片进行清洗再利用是既费时又费力的。目前行业内比较普遍的处理方法就是报废处理，大大增加了生产成本。

技术实现要素：

本发明提供一种半导体芯片的清洗方法，以实现彻底清洗半导体芯片的背银层上的含银化合物，使得半导体芯片可以继续利用，降低了报废率，大大的降低了生产成本。

本发明实施例提供了一种半导体芯片的清洗方法，包括：

提供待清洗的半导体芯片，该半导体芯片的背银层中含有待去除的含银化合物；

对所述半导体芯片进行第一次翻膜，并撕掉所述半导体芯片背面的保护膜，露出半导体芯片的背银层；

将待清洗的半导体芯片浸入清洗液中进行清洗，以去除上述待去除的含银化合物；

将经过清洗液清洗后的半导体芯片进行冲洗；

将冲洗后的半导体芯片进行干燥处理。

进一步的，所述将冲洗后的半导体芯片进行干燥处理之后还包括：

在所述半导体芯片的背面贴附保护膜，以覆盖半导体芯片的背银层。

进一步的，所述撕掉所述半导体芯片背面的保护膜之前还包括：

在所述半导体芯片正面贴附保护膜；

所述在所述半导体芯片的背面贴附保护膜之前还包括：

对所述半导体芯片进行第二次翻膜，并撕掉半导体芯片正面的保护膜。

进一步的，所述清洗液为硝酸溶液。

进一步的，所述硝酸溶液的浓度为5％。

进一步的，所述半导体芯片浸入硝酸溶液清洗的时间为5s。

进一步的，将经过清洗液清洗后的半导体芯片进行冲洗包括：

采用离子水或纯水对所述清洗液清洗后的半导体芯片进行冲洗。

进一步的，所述冲洗的时间为10分钟。

进一步的，所述将冲洗后的半导体芯片进行干燥处理具体为将冲洗后的半导体芯片放于烘干机中烘干。

本发明的有益效果是，解决目前行业内对于半导体芯片的背银层被氧化后，直接报废处理，增加生产成本的问题，达到了彻底清洗半导体芯片的背银层上的含银化合物，使得半导体芯片可以继续利用，降低了报废率，大大的降低了生产成本的效果。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的一种半导体芯片的清洗方法的流程图；

图2为本发明实施例二提供的一种半导体芯片的清洗方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

实施例一

图1为本发明实施例一提供的一种半导体芯片的清洗方法的流程图，本实施例适用于清洗半导体芯片的背银层变质形成含银化合物的情况，该清洗方法具体包括如下步骤：

s110、提供待清洗的半导体芯片，半导体芯片的背银层中含有待去除的含银化合物。

具体的，取待已划片的半导体芯片，在半导体芯片背面通过蒸镀、磁控溅射等工艺镀银，形成背银层，对半导体芯片起到欧姆接触作用，但是由于半导体芯片存放时间长或环境等因素的影响，使得半导体芯片的背银层会氧化变质形成含银化合物。如氧化银、硫化银等。背银层变质严重的会变成黄色，背银层轻微变质的颜色不变。

步骤s120、对所述半导体芯片进行第一次翻膜，并撕掉所述半导体芯片背面的保护膜，露出半导体芯片的背银层；

具体的，对半导体芯片进行第一次翻膜，使得半导体芯片的背面朝上，然后可以撕掉半导体芯片背面的保护膜，以露出半导体芯片的背银层。

s130、将待清洗的半导体芯片浸入清洗液中进行清洗，以去除待去除的含银化合物。

具体的，将待清洗的半导体芯片浸入清洗液中进行清洗，其中，清洗液可以为酸性溶液，优选硝酸溶液，硝酸与含银化合物发生化学反应形成能溶于水的化合物，经过大量的实验表明，该硝酸溶液的浓度可以为5％，半导体芯片完全浸入硝酸溶液清洗的时间优选的为5s，时间过长硝酸会渗过蓝膜影响半导体芯片的正面图样，时间过短又无法达到彻底清洗掉含银化合物。

s140、将经过清洗液清洗后的半导体芯片进行冲洗。

具体的，对经过清洗液清洗过的半导体芯片进行冲洗，将残留在半导体芯片上的清洗液冲洗干净。其中，可以采用离子水对清洗液清洗后的半导体芯片进行冲洗，也可以采用纯水进行冲洗。对冲洗的时间优选为10分钟左右。所用的离子水可以通过整水器利用活性炭作为过滤层，过滤自来水，使之净化达标。

s150、将冲洗后的半导体芯片进行干燥处理。

具体的，本步骤中进行干燥处理可以具体为将冲洗后的半导体芯片放于烘干机中烘干，将留在半导体芯片上的冲洗液体烘干，所用的烘干时间可选的为4～5分钟。

为了清楚的看到清洗前后半导体芯片的变化，可采用x-ray射线仪对清洗前后的半导体芯片背银层上的空洞率进行检测，表1给出了半导体芯片清洗前的总空洞率和最大单个空洞率的数值，表2给出了半导体芯片清洗后的总空洞率和最大单个空洞率的数值。参见表1和表2，其中，空洞率数值越小对半导体芯片越有利。

表1半导体芯片清洗前的总空洞率和最大单个空洞率的数值

表2半导体芯片清洗后的总空洞率和最大单个空洞率的数值

检测结果，经过清洗后的半导体芯片，总空洞率和最大单个空洞率的数值都很小，符合使用标准。

本实施例的技术方案，通过将背银层被氧化形成含银化合物的半导体芯片浸入清洗液中进行清洗，以去除半导体芯片的背银层中的含银化合物，解决目前行业内对于半导体芯片的背银层被氧化后，直接报废处理，增加生产成本的问题，达到了彻底清洗半导体芯片的背银层上的含银化合物，使得半导体芯片可以继续利用，降低了报废率，大大的降低了生产成本的效果。

实施例二

图2为本发明实施例二提供的一种半导体芯片的清洗方法的流程图，该清洗方法具体包括如下步骤：

s210、在半导体芯片正面贴附保护膜。

具体的，取出的已划片半导体芯片，此半导体芯片的背面贴有保护膜，该保护膜可以为蓝膜，此时芯片正面朝上，在该芯片的正面贴附保护膜，防止半导体芯片在清洗中正面受损；

步骤220、对半导体芯片进行第一次翻膜，使得半导体芯片的背面朝上，并撕掉半导体芯片背面的保护膜，露出半导体芯片的背银层。

s230、将待清洗的半导体芯片浸入清洗液中进行清洗，以去除半导体芯片的背银层中含有的待去除的含银化合物。

s240、将经过清洗液清洗后的半导体芯片进行冲洗。

s250、将冲洗后的半导体芯片进行干燥处理，具体的，可以是放于烘干机中烘干。

s260、对半导体芯片进行第二次翻膜，并撕掉半导体芯片正面的保护膜，以及在半导体芯片的背面贴附保护膜，以覆盖半导体芯片的背银层，保护膜可以为蓝膜。

具体的，从烘干机种取出烘干后的半导体芯片，此时半导体芯片背面朝上，将半导体芯片进行第二次翻膜，使半导体芯片正面朝上，并撕掉半导体芯片正面的保护膜；而在半导体芯片的背面贴附保护膜，能够防止已划片的半导体芯片脱落。将半导体芯片清点，放入仓库，以便后续使用。

需要说明的是，步骤s220-s250与上述实施例一s120-s140的过程类似，本发明实施例在此不作赘述。

本实施例的技术方案，通过对半导体芯片进行第一次翻膜并撕掉半导体芯片背面的保护膜，露出半导体芯片的背银层，在保证半导体芯片的正面图样不受影响的情况下清洗背银层，经清洗、冲洗以及烘干之后，在半导体芯片的背面贴附保护膜，以覆盖半导体芯片的背银层，最后进行第二次翻膜，并撕掉半导体芯片正面的保护膜，使半导体芯片正面朝上，以便后续使用。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。