技术总结
本发明提供一种能够以与光电转换元件同样快的响应速度进行光的强弱切换的热辐射光源。热辐射光源(10)具备：二维光子晶体(12)，其在将由n型半导体形成的n层(112)、具有量子阱结构的量子阱结构层(114)以及由p型半导体形成的p层(111)依此序层叠而成的板材(11)内，周期性地配置有折射率与n层(112)、p层(111)及量子阱结构层(114)的折射率不同的异折射率区域(空孔(121))，使得与量子阱结构层(114)中的量子阱内的子带之间的跃迁能量对应的特定波长的光发生谐振；以及p型电极(131)和n型电极(132)，其向板材(11)施加p层(111)侧为负、n层(112)侧为正的电压。
技术研发人员：野田进;井上卓也;浅野卓;M·德佐萨
受保护的技术使用者：国立研究开发法人科学技术振兴机构
文档号码：201580011021
技术研发日：2015.02.24
技术公布日：2017.03.01