1.一种放电灯（9），包含：
阳极（8）；和
阴极（1），其包括侧面区域（4）和具有通过离子注入诱变的发射性材料掺杂物（2）的尖端区域（5），并且
其中所述阴极（1）由不包括含钍钨的材料制造。
2.根据权利要求1所述的放电灯（9），其中所述发射性材料掺杂物（2）是从包括Y（或Y2O3）、Ba（或BaO）、Zr（或ZrO）、La（或La2O3）或Ce（或CeO2）的组选择的一个或多个材料。
3.根据权利要求2所述的放电灯（9），其中阴极衬底材料是钨或利用La2O3、CeO2、Y2O3、NbO、SmO、ZrO、BaO的一个或多个掺杂的钨。
4.根据权利要求1所述的放电灯（9），其中所述侧面区域（4）相比于所述尖端区域（5）具有更少的或不含有所述发射性材料掺杂物（2）。
5.根据权利要求1所述的放电灯（9），其中所述阴极（1）还包括覆盖所述侧面区域（5）的扩散势垒（7）。
6.根据权利要求5所述的放电灯（9），其中所述扩散势垒（7）由碳化钨、硝酸钨、硝酸钛、钽或碳化钽形成。
7.根据权利要求1所述的放电灯（9），其中所述尖端区域（5）覆盖在所述阴极（1）的尖端之下至少1mm的区域。
8.一种用于放电设备（9）的电极（1），其由包含下述步骤的过程制备：
掩蔽（3）所述电极的侧壁部分但留下所述电极的尖端区域不被掩蔽；以及
将发射性材料掺杂物注入（2）所述电极的尖端区域，
其中所述电极（1）由不包括含钍钨的材料形成。
9.根据权利要求8所述的电极（1），其中所述发射性材料掺杂物（2）是从包括Y（或Y2O3）、Ba（或BaO）、Zr（或ZrO）、La（或La2O3）或Ce（或CeO2）的组选择的一个或多个材料。
10.根据权利要求8所述的电极（1），其中所述电极（1）包括衬底材料，所述衬底材料是钨或利用La2O3、CeO2、Y2O3、NbO、SmO、ZrO、BaO的一个或多个掺杂的钨。
11.一种用于放电设备（9）的电极（1），其由包含下述步骤的过程制备：
使用离子注入，将发射性材料掺杂物注入（2）所述电极；以及
在侧壁（4）上沉积扩散势垒（7），以覆盖经注入电极（1）的部分，
其中所述电极（1）由不包括含钍钨的材料形成。
12.根据权利要求11所述的电极（1），其中所述发射性材料掺杂物（2）是从包括Y（或Y2O3）、Ba（或BaO）、Zr（或ZrO）、La（或La2O3）或Ce（或CeO2）的组选择的一个或多个材料。
13.根据权利要求11所述的电极（1），其中所述电极（1）包括衬底材料，所述衬底材料是钨或利用La2O3、CeO2、Y2O3、NbO、SmO、ZrO、BaO的一个或多个掺杂的钨。
14.根据权利要求11所述的电极（1），其中所述扩散势垒（7）是WxC、WN、TiN、Ta或TaC的层。
15.根据权利要求14所述的电极（1），其中所述扩散势垒（7）至少10um厚。
16.根据权利要求12所述的电极（1），其中所述放电设备（9）是短弧高压灯。