一种芯片级LED封装装置及其制作工艺的制作方法

本发明涉及一种芯片级led封装装置及其制作工艺，属于led技术领域。

背景技术：

芯片级封装即csp（chipscalepackage），具有体积小，热阻小，发光面积大以及电性能好等优点，成为新一代内存芯片封装技术，而倒装芯片由于将金属线键合与基板连接的晶片电气面朝下，具有高光效、高可靠性和易于集成的优点，从而被广泛地用于csp封装技术中。

现有单颗cspled（如附图1所示）的制作工艺是：首先在机台上铺设平面基板1，然后在平面基板1上使用共晶焊工艺固上多颗倒装芯片2，接着将调配好的荧光胶3注入模具型腔内，通过模压成型将荧光胶3与基板1结合起来，再让荧光胶3固化，使得荧光胶3包覆在除平面基板1以外的芯片上，然后将上述成型芯片群切割成单颗的cspled。

现有的csp制作工艺上虽然有效缩减了封装体积，小、薄而轻，迎合了目前led照明应用微小型化的趋势，但在技术及工艺存在很多缺点：1、荧光胶的涂布环节需要专用的模压成型设备，设备精度要求高，成本投入高，且较难控制荧光胶的均匀性，会直接影响白光cspled的色落bin率及光电性能；2、由于荧光胶体与基板结合方式属于平面结合，在温度变化较大的环境下由于易造成胶体与基板剥离，影响产品的气密性。

技术实现要素：

针对上述问题，本发明要解决的技术问题是提供一种芯片级led封装装置及其制作工艺。

本发明的芯片级led封装装置，此装置包含基板4，led引线架5、树脂6、凸起部分7、倒装芯片8和荧光胶9；基板4是由led引线架5和树脂6通过模压成型制成，树脂6在引线架5上表面设计成凸起部分7，所述的凸起部分7呈碗杯状，基板4的表面焊接有倒装芯片8，且所述的基板4上方覆盖有荧光胶9。

本发明的有益效果：它的制备工艺简单，只需要模压成型工艺制得基板，然后使用emc封装工艺便可实现芯片级led的封装。且其特有的带碗杯结构基板相对于传统的平面基板在性能更具优势；具体表现在基板上的树脂碗杯设计提升了荧光胶体与基板的结合力，防止荧光胶层剥离，从而提高产品的密封性。荧光胶的涂布使用业界emc封装工艺中的点胶技术，相对于传统的模压荧光胶工艺，其表现为操作简单，设备投入成本少，可灵活调控荧光胶层的厚度及均匀性，继而实现白光cspled的色落bin率及光电性能。

附图说明：

为了易于说明，本发明由下述的具体实施及附图作以详细描述。

附图1为背景技术中传统的芯片级led封装装置的剖视图；

附图2为本发明的剖视图；

附图3为本发明提供的单颗芯片级led封装装置的剖视图；

附图4为本发明提供的连片芯片级led封装装置剖视图；

附图5为本发明提供的连片芯片级led封装装置固晶状态剖视图；

附图6为本发明提供的连片芯片级led封装装置点胶状态剖视图；

附图7为本发明提供的连片芯片级led封装装置切割状态剖视图。

具体实施方式：

如图2-7所示，本具体实施方式采用以下技术方案：此装置包含基板4，led引线架5、树脂6、凸起部分7、倒装芯片8和荧光胶9；基板4是由led引线架5和树脂6通过模压成型制成，树脂6在引线架5上表面设计成凸起部分7，所述的凸起部分7呈碗杯状，基板4的表面焊接有倒装芯片8，且所述的基板4上方覆盖有荧光胶9。

它的具体制作工艺为：通过模压成型工艺将led引线架5和树脂6压制成连片的基板4，然后通过共晶焊工艺将倒装芯片8固焊到基板4上，得到连片的基板4固晶状态，接着使用emc封装中的点胶工艺完成荧光胶9的涂布，得到连片基板4的点胶状态，最后在连片基板切割状态下使用emc封装中切割工艺得到单颗芯片级led器材。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种芯片级LED封装装置及其制作工艺，它涉及LED技术领域。基板是由LED引线架和树脂通过模压成型制成，树脂在引线架上表面设计成凸起部分，所述的凸起部分呈碗杯状，基板的表面焊接有倒装芯片，且所述的基板上方覆盖有荧光胶。它只需要模压成型工艺制得基板，然后使用EMC封装工艺便可实现芯片级LED的封装。且其特有的带碗杯结构基板相对于传统的平面基板在性能更具优势；具体表现在基板上的树脂碗杯设计提升了荧光胶体与基板的结合力，防止荧光胶层剥离，从而提高产品的密封性。荧光胶的涂布使用业界EMC封装工艺中的点胶技术，操作简单，设备投入成本少，可灵活调控荧光胶层的厚度及均匀性。

技术研发人员：李俊东;王鹏辉;柳欢;张仲元;张建敏
受保护的技术使用者：深圳市斯迈得半导体有限公司
技术研发日：2016.01.07
技术公布日：2017.07.14