技术特征：
技术总结
一种晶体管及其形成方法，其中，所述晶体管的形成方法包括：提供衬底，所述衬底具有第一导电类型；在所述衬底中通过离子注入方式形成注入区，进行退火工艺，使所述注入区从表面至表面以下预定深度处离子浓度分布均匀，所述注入区具有第二导电类型，所述第二导电类型与第一导电类型相反；在所述注入区内形成LDMOS晶体管。本发明实施例通过在衬底中以第一离子注入和第二离子注入的方式形成注入区，并进行退火工艺使所述注入区内的离子分布均匀，以此来取代在衬底表面形成外延层的工艺，达到了与外延层相同的隔离效果及离子分布水平，极大地简化了工艺流程，降低了工艺成本。
技术研发人员：陈德艳;郑大燮
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.01.07
技术公布日：2017.07.14