技术特征：
技术总结
本发明公开一种高压晶体管，包括基底、具有第一导电类型的第一基体区以及具有互补于第一导电类型的第二导电类型的第一掺杂区、第二掺杂区、第二基体区与第三掺杂区。第一基体区、第二掺杂区、第二基体区与第三掺杂区设置于基底中，且第一掺杂区设置于第一基体区中。第三掺杂区、第二基体区与第二掺杂区依序堆叠，且掺杂浓度依序递增。并且，第二基体区面对第一基体区的侧边与基底相接触。
技术研发人员：王志铭;王礼赐;唐天浩
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：2016.01.12
技术公布日：2017.07.18