FinFET及其制造方法和包括其的电子设备与流程

技术总结
公开了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)及其制造方法和包括其的电子设备。根据实施例，FinFET可以包括：在衬底上形成的鳍；在衬底上形成的与鳍相交的栅堆叠；在栅堆叠的侧壁上形成的栅侧墙，其中，栅侧墙包括电介质材料和负电容材料二者。

技术研发人员：朱慧珑
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2016.03.17
技术公布日：2019.01.22