显示装置的制作方法

技术领域

所描述的技术总体上涉及一种显示装置。

背景技术：

近来，显示装置的趋势是板型平板显示器的使用。在平板显示器中，自发光电致发光技术具有诸如宽视角、高对比度和高刷新速率的有利特性，因此被认为是下一代显示装置的首选。有机发光二极管(OLED)显示器具有由有机材料形成的发光层，并具有亮度高、改善的驱动电压和多色显示能力。

技术实现要素：

一个发明方面涉及一种显示装置。

另一方面在于一种显示装置，所述显示装置包括：基底；显示单元，设置于基底上，显示单元包括薄膜晶体管、电连接到薄膜晶体管的显示元件以及设置在薄膜晶体管和显示元件之间的平坦化层，其中，显示单元包括显示区域和在显示区域周围的非显示区域，电压线布置在非显示区域中，其中，平坦化层包括将平坦化层分为中心部分和外围部分的分割区域，分割区域位于在显示区域周围的非显示区域中，其中，电压线部分地暴露于分割区域中，平坦化层至少覆盖电压线的暴露于分割区域中的侧面。

电压线可包括：第一电压线，设置在与显示区域的一侧对应的位置处；一对第一连接部，沿第一方向横跨分割区域从第一电压线突出，其中，一对第一连接部的暴露于分割区域中的侧面可被从中心部分延伸的第一覆盖部和从外围部分延伸的第二覆盖部覆盖，第一覆盖部和第二覆盖部可彼此分离。

每个第一连接部可包括：第一区域，沿第一方向从第一电压线延伸；第 二区域，沿第一方向从第一区域连续延伸，其中，第二区域可沿与第一方向垂直的方向从第一区域偏移。

第一覆盖部可沿第一方向从中心部分延伸并可覆盖第一区域的侧面，第二覆盖部可沿与第一方向相反的方向从外围部分延伸并可覆盖第二区域的侧面。

电压线还可包括第二电压线，所述第二电压线覆盖第一电压线的一对第一端部和显示区域的剩余区域，中心部分可以以叠置的方式与第二电压线的内边缘部分接触。

第二电压线可包括：一对弯曲部，覆盖一对第一端部；一对第二连接部，分别沿第一方向横跨分割区域从一对弯曲部突出，其中，第二覆盖部可覆盖一对第二连接部的暴露于分割区域中的侧面。

一对第二连接部可分别与一对弯曲部的端部分隔开，第一覆盖部可沿第一方向覆盖形成于一对弯曲部的端部上的侧面。

显示装置还可包括坝状部，所述坝状部以叠置的方式与第二电压线的外边缘部分接触，其中，坝状部可位于分割区域中。

坝状部可通过使用与用于形成平坦化层的材料相同的材料与平坦化层形成在同一层中。

显示装置还可包括密封显示单元的薄膜包封层，其中，薄膜包封层可包括至少一层有机层和至少一层无机层，并且所述至少一层有机层可位于坝状部的内部。

所述至少一层无机层可延伸至外围部分外侧的区域。

薄膜晶体管可包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，源电极、漏电极和电压线中的每个可以具有钛、铝和钛的三层结构。

栅极绝缘层可设置于有源层和栅电极之间，层间绝缘层可设置在栅电极与源电极和漏电极之间，其中，栅极绝缘层和层间绝缘层甚至可在非显示区域中延伸，所述至少一层无机层可在外围部分外侧的区域中与栅极绝缘层或层间绝缘层接触。

所述至少一层无机层可经过栅极绝缘层或层间绝缘层的端部并可与基底的上表面接触。

显示元件可为有机发光二极管，所述有机发光二极管包括电连接到薄膜晶体管的第一电极、与第一电极相对的第二电极以及设置于第一电极和第二 电极之间的中间层。

另一方面在于一种显示装置，所述显示装置包括：基底；显示单元，设置于基底上并包括多个像素，每个像素包括薄膜晶体管、电连接到薄膜晶体管的显示元件以及置于薄膜晶体管和显示元件之间的平坦化层，其中，显示单元包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域，其中，非显示区域包括电压线，其中，平坦化层包括中心部分、外围部分以及置于中心部分和外围部分之间的分割区域，其中，分割区域位于非显示区域中，其中，平坦化层至少覆盖电压线的形成于分割区域中的侧面。

在上述显示装置中，电压线包括：第一电压线，设置在与显示区域的一侧对应的位置处；一对连接器，沿第一方向从第一电压线突出，其中，第一连接器的侧面被从中心部分延伸的一对第一覆盖部和从外围部分延伸的一对第二覆盖部覆盖，其中，第一覆盖部和第二覆盖部彼此分离。在上述显示装置中，每个第一连接器包括：第一区域，沿第一方向从第一电压线延伸；第二区域，沿第一方向从第一区域连续延伸，其中，第一区域与第二区域在与第一方向相交的第二方向上没有对齐。

在上述显示装置中，第一覆盖部沿第一方向从中心部分延伸并覆盖第一区域的侧面，其中，第二覆盖部沿与第一方向相反的第三方向从外围部分延伸并覆盖第二区域的侧面。在上述显示装置中，电压线还包括第二电压线，所述第二电压线覆盖第一电压线的一对第一端部和显示区域的除显示区域的所述一侧之外的剩余区域，其中，中心部分在显示装置的深度维度上与第二电压线的内边缘部分接触并叠置。

在上述显示装置中，第二电压线包括：一对弯曲部，覆盖第一端部；一对第二连接器，分别沿第一方向从弯曲部突出，其中，第二覆盖部覆盖第二连接器的侧面。在上述显示装置中，第二连接器分别与弯曲部的端部分隔开，其中，第一覆盖部覆盖形成于弯曲部的端部上的侧面。

上述显示装置还包括坝状部，所述坝状部在显示装置的深度维度上与第二电压线的外边缘部分接触并叠置，其中，坝状部位于分割区域中并且不与中心部分接触。在显示装置中，坝状部与平坦化层形成在同一层上并由与形成平坦化层的材料相同的材料形成。上述显示装置还包括密封显示单元的薄膜包封层，其中，薄膜包封层包括至少一层有机层和至少一层无机层，其中，所述至少一层有机层位于坝状部的内部。

在上述显示装置内，所述至少一层无机层延伸至外围部分外侧的区域。在上述显示装置中，薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，其中，源电极、漏电极和电压线中的每个具有由钛、铝和钛形成的三层结构。上述显示装置还包括：栅极绝缘层，置于有源层和栅电极之间；层间绝缘层，置于栅电极与源电极之间和栅电极与漏电极之间，其中，栅极绝缘层和层间绝缘层延伸至非显示区域中，其中，所述至少一层无机层在外围部分外侧的区域中与栅极绝缘层或层间绝缘层接触。

在上述显示装置中，所述至少一层无机层形成于栅极绝缘层或层间绝缘层的端部上方并与基底的上表面接触。在上述显示装置中，显示元件包括有机发光二极管，所述有机发光二极管包括电连接到薄膜晶体管的第一电极、与第一电极相对的第二电极以及置于第一电极和第二电极之间的中间层。

另一方面在于一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域；平坦化层，形成于显示区域与非显示区域的一部分上方；电压线，形成于基底的非显示区域中，其中，平坦化层包括形成于显示区域和非显示区域中的第一部分以及仅形成于非显示区域中的第二部分，其中，电压线与平坦化层的至少一部分形成在同一层上。

上述显示装置还包括薄膜包封层，所述薄膜包封层包括相对于彼此交替地形成于平坦化层的第一部分上方的至少一层有机层和至少一层无机层。在上述显示装置中，所述至少一层无机层包括至少在平坦化层的第二部分上方彼此接触的多个无机层。在上述显示装置中，平坦化层还包括坝状部，所述坝状部形成于非显示区域中并置于平坦化层的第一部分和第二部分之间，其中，有机层与坝状部在显示装置的深度维度上不叠置。在上述显示装置中，电压线包括第一电压线和第二电压线，其中，第二电压线沿第一方向延伸，其中，第一电压线沿与第一方向相交的第二方向延伸，其中，第二电压线形成于非显示区域中。

根据所公开的实施例中的至少一个，显示装置被构造为防止潮气或氧渗透到显示元件中，从而使诸如暗点的缺陷最小化。

附图说明

图1是示出了根据示例性实施例的显示装置的示意性平面图。

图2是沿图1的I-I’线截取的示意性剖视图。

图3是示出了图1中示出的显示装置的电压线和平坦化层的示意性平面图。

图4是示意性地示出了图3中的区域A的放大图。

图5是沿图4的II-II’线截取的示意性剖视图。

图6是示意性地示出了图3中的区域B的放大图。

具体实施方式

现在将详细地参照实施例，在附图中示出了实施例的示例。就这点而言，本示例性实施例可以具有不同的形式并且不应该被解释为受限于在这里所阐述的描述。因此，通过参照附图仅在下面描述示例性实施例以解释本描述的多个方面。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何和所有组合。诸如“……中的至少一个(种)”的表达出现在一列元件之前时，修饰整列元件而不是修饰该列的个别元件。此外，为了不使本公开的主题不必要的模糊，将省去对公知的功能或构造的详细描述。

将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。

在下述描述中，使用技术术语仅为了解释具体的示例性实施例，而不限制发明构思。如在这里使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式。附图中的元件的尺寸可以为了便于解释而被夸大。换言之，因为附图中的组件的尺寸和厚度为了便于解释而被随意示出，所以下面的实施例不限于此。

将理解的是，当层、区域或组件被称为设置或形成“在”另一层、区域或组件“上”或“下”时，该层、区域或组件可以直接地或间接地设置或形成在另一层、区域或组件上或下。即，例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。此外，词语“在……上”或“在……上方”是根据附图选择的。

在下文中，将参照附图描述示例性实施例。在附图中，同样的附图标号表示同样的元件，并且将省略其重复描述。在本公开中，术语“基本上”包括完全、几乎完全或者根据本领域技术人员在某些应用下在任何显著程度上的含义。术语“连接”可以包括电连接。

图1是示出了根据示例性实施例的显示装置10的示意性平面图。图2 是沿图1的I-I’线截取的示意性剖视图。图3是示出了图1中示出的显示装置10的电压线200和平坦化层109(参照图2)的示意性平面图。图4是示意性地示出了图3中的区域A的放大图。图5是沿图4的II-II’线截取的示意性剖视图。图6是示意性地示出了图3中的区域B的放大图。

参照图1至图6，示例性实施例的显示装置10包括基底101、设置于基底101上的显示单元100和密封显示单元100的薄膜包封层300。

基底101可由一种或更多种材料形成。例如，基底101由包含SiO₂作为主要成分的透明玻璃材料形成。然而，基底101不限于此。在另一个示例中，基底101由透明塑料材料形成。塑料材料的示例包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘甲二酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和醋酸丙酸纤维素(CAP)。

如果显示装置10是被构造为穿过基底101发射光以显示图像的底发射型显示装置，那么基底101可以包括透明材料。然而，如果显示装置10是被构造为沿与基底101相对的方向发射光以显示图像的顶发射型显示装置，那么基底101不包括透明材料。在这种情况下，基底101可以包括金属材料。可以用于形成基底101的金属材料的示例包括铁、铬、锰、镍、钛、钼、不锈钢(SUS)、因瓦合金(Invar)、铬镍铁合金(Inconel)和可伐合金(Kovar)。

显示单元100设置于基底101上。显示单元100可以包括用户可识别的图像形成于其中的显示区域DA和在显示区域DA周围的非显示区域NDA。

显示元件100b可布置在显示区域DA中。例如，显示元件100b为有机发光二极管(OLED)。电压线200可布置在非显示区域NDA中，用于向诸如显示元件100b的元件供电。焊盘单元150可设置于非显示区域NDA中，用于将电信号从电源(未示出)或信号发生器传输至显示区域DA。

在下文中，将参照图2描述显示单元100。

缓冲层102可设置于基底101上。缓冲层102可设置在显示区域DA中，并且甚至可在非显示区域NDA中延伸。

缓冲层102可在基底101的上侧上形成平坦的表面并且可以阻挡外来物质或潮气通过基底101侵入。例如，缓冲层102包括诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛的无机材料，或者诸如聚酰亚胺、聚酯或亚克力(acrylic)的有机材料。缓冲层102可具有包括所列材料 中的两种或更多种的堆叠结构。

薄膜晶体管100a和电连接到薄膜晶体管100a的显示元件100b可布置在基底101上方。

每个薄膜晶体管100a可包括有源层103、栅电极105、源电极107和漏电极108。以下描述将在每个薄膜晶体管100a为有源层103、栅电极105、源电极107和漏电极108顺序地形成的顶栅类型晶体管的假定下展开。然而，所描述的技术不限于此，薄膜晶体管100a可为诸如底栅类型晶体管的其它类型晶体管。

有源层103可以由诸如非晶硅或多晶硅的半导体材料形成。然而，所描述的技术不限于此，有源层103可以包括另外的材料。在一些示例性实施例中，有源层103包括有机半导体材料。

在其它示例性实施例中，有源层103包括氧化物半导体材料。例如，有源层103包括从诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)和锗(Ge)的第12、13和14族金属元素及其组合选择的材料的氧化物。

栅极绝缘层104设置于有源层103上。栅极绝缘层104可具有包括诸如氧化硅和/或氮化硅的一种或更多种无机材料的单层或多层结构。栅极绝缘层104使有源层103和栅电极105彼此绝缘。栅极绝缘层104除了可形成于显示区域DA中之外还可形成于非显示区域NDA的一部分中。

栅电极105设置于栅极绝缘层104上。栅电极105可连接到栅极线(未示出)，导通/截止信号通过栅极线施加到薄膜晶体管100a。

栅电极105可包括具有低电阻的金属材料。例如，栅电极105具有包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层结构。

层间绝缘层106设置于栅电极105上。层间绝缘层106使源电极107和漏电极108与栅电极105绝缘。层间绝缘层106除了可形成于显示区域DA中之外还可形成于非显示区域NDA的一部分中。

层间绝缘层106可以具有包括一种或更多种无机材料的单层或多层结构。例如，无机材料包括金属氧化物或金属氮化物。无机材料的示例包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)和氧化锆(ZrO₂)。

源电极107和漏电极108设置于层间绝缘层106上。源电极107和漏电极108与有源层103的区域接触。

源电极107和漏电极108均可具有包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层结构。例如，源电极107和漏电极108均可具有钛(Ti)、铝(Al)和钛(Ti)的三层结构。

平坦化层109覆盖薄膜晶体管100a。平坦化层109防止由薄膜晶体管100a导致的高度差并形成平坦的上表面。此外，平坦化层109防止由不均匀的下表面导致的显示元件100b的缺陷。

平坦化层109可具有包括一种或更多种有机材料的单层或多层结构。有机材料的示例包括：诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物；丙烯酸类聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、含氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物及其共混物。可选择的，平坦化层109可具有由无机绝缘层和有机绝缘层形成的多层结构。

平坦化层109可包括形成于在显示区域DA周围的非显示区域NDA中的分割区域V。分割区域V可通过部分地去除平坦化层109形成，以防止潮气穿过由有机物形成的平坦化层109渗透至显示区域DA中。分割区域V可将平坦化层109分为中心部分109a和外围部分109b，中心部分109a的面积可以大于显示区域DA的面积。

显示元件100b设置于平坦化层109上。例如，每个显示元件100b为OLED，所述OLED包括第一电极111、与第一电极111相对的第二电极113以及设置于第一电极111和第二电极113之间的中间层112。

第一电极111可设置于平坦化层109上并且可以通过形成在平坦化层109中的接触孔电连接到薄膜晶体管100a。第一电极111可具有通过图案化工艺形成的诸如岛状的外形。

例如，第一电极111为反射电极。例如，第一电极111包括反射层和设置于反射层上的透明或半透明电极层，反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物。透明或半透明电极层可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧 化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。

第二电极113可为包括金属薄膜的透明或半透明电极，金属薄膜包括具有低逸出功的锂(Li)、钙(Ca)、LiF/Ca、LiF/Al、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或其化合物。此外，辅助电极层或汇流电极可以通过使用诸如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的透明电极形成材料形成在金属薄膜上。因此，第二电极113可以透射从包括在中间层112中的有机发射层发射的光。从有机发射层发射的光可以直接入射在第二电极113上或者在被作为反射电极的第一电极111反射后入射在第二电极113上。

在本示例性实施例中，显示单元100不限于顶发射型。例如，显示单元100是光从有机发射层发射到基底101的底发射型显示单元100。在这种情况下，第一电极111可为透明或半透明电极，第二电极113可为反射电极。可选择的，显示单元100可以是构造为通过其顶部和底部发射光的双侧发射型显示单元。

像素限定层119由绝缘材料形成在第一电极111上。像素限定层119可以利用从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚树脂中选择的至少一种有机绝缘材料通过旋涂方法形成。像素限定层119暴露第一电极111的一定区域，包括有机发射层的中间层112设置于第一电极111的暴露区域中。例如，像素限定层119限定OLED的像素区域。

中间层112的有机发射层可包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。除了包括有机发射层之外，中间层112还可包括功能层，诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)。

围绕显示区域DA的电压线200与将平坦化层109分为中心部分109a和外围部分109b的分割区域V可以设置于非显示区域NDA中。电压线200可部分地暴露于分割区域V中，平坦化层109可至少覆盖电压线200的暴露于分割区域V中的侧面。

电压线200可以包括与用于形成源电极107和漏电极108的材料相同的材料。例如，电压线200具有堆叠结构，所述堆叠结构包括由钛(Ti)形成的第一层200a、由铝(Al)形成的第二层200b和由钛(Ti)形成的第三层200c。由于铝(Al)相较于钛(Ti)容易被蚀刻，所以如果电压线200的侧面暴露于分割区域V中，则形成于第二层200b(铝(Al)层)上的第一层 200a(钛(Ti)层)和第三层200c(钛(Ti)层)由于第二层200b的蚀刻速率相对高而会在蚀刻工艺中受损。因此，电压线200的阶梯覆盖性会劣化。结果，形成于电压线200上方的薄膜包封层300会具有缺陷。因此，平坦化层109至少覆盖电压线200的暴露于分割区域V中的侧面，以防止薄膜包封层300中形成缺陷。

电压线200可以包括第一电压线210和第二电压线220。例如，第一电压线210为驱动电压(ELVDD)线，第二电压线220为共电压(ELVSS)线。第二电压线200可连接到第二电极113。在图2中，第二电压线220通过线116连接到第二电极113。然而，所描述的技术不限于此。例如，第二电压线220和第二电极113直接彼此连接。

第一电压线210可设置在与显示区域DA的一侧对应的位置处。例如，如果显示区域DA具有矩形形状，则第一电压线210设置在与显示区域DA的一边对应的位置处。第一电压线210可以与显示区域DA的所述一边平行并且比显示区域DA的所述一边长。显示区域DA的与第一电压线210对应的所述一边可以是与焊盘单元150相邻的一边。

一对第一连接部(或连接器)214可沿第一方向横跨分割区域V从第一电压线210突出。第一方向是从显示区域DA朝向焊盘单元150限定的方向。一对第一连接部214可连接到焊盘单元150。第一电压线210可以被中心部分109a覆盖，一对第一连接部214可暴露于分割区域V中。

一对第一连接部214的暴露于分割区域V中的至少侧面可被平坦化层109覆盖。例如，一对第一连接部214的侧面被从中心部分109a延伸的第一覆盖部110a和从外围部分109b延伸的第二覆盖部110b覆盖。由于分割区域V形成为防止潮气穿过平坦化层109渗透至显示区域DA中，因此第一覆盖部110a与第二覆盖部110b分离地形成。

例如，每个第一连接部214包括沿第一方向从第一电压线210延伸的第一区域P1和沿第一方向从第一区域P1连续延伸的第二区域P2。此外，第二区域P2可在与第一方向基本垂直的方向上从第一区域P1偏移。在此状态下，第一区域P1的侧面被从中心部分109a沿第一方向延伸的第一覆盖部110a覆盖，并且第二区域P2的侧面被从外围部分109b沿与第一方向相反的方向延伸的第二覆盖部110b覆盖，因此第一覆盖部110a可与第二覆盖部110b分离。

第二电压线220可覆盖第一电压线210的一对第一端部212和显示区域 DA的剩余区域，中心部分109a可以以叠置的方式与第二电压线220的内边缘部分接触，因此第二电压线220的内侧可以被覆盖。

第二电压线220可包括覆盖一对第一端部212的外侧的一对弯曲部222，以及分别沿第一方向横跨分割区域V从所述一对弯曲部222突出的一对第二连接部224。一对第二连接部224可连接到焊盘单元150。

一对第二连接部224可暴露于分割区域V中，一对第二连接部224的侧面可被第二覆盖部110b覆盖。此外，沿第一方向形成于一对弯曲部222的端部上的侧面222E可以被第一覆盖部110a覆盖。在此情况下，所述一对第二连接部224可分别与所述一对弯曲部222的端部分离，因此第一覆盖部110a可以与第二覆盖部110b分离。

坝状部109c可形成于分割区域V中。坝状部109c以叠置方式与第二电压线220的外边缘部分接触，因此第二电压线220的外侧可被坝状部109c覆盖。当薄膜包封层300的有机层310和330形成为密封显示单元100时，坝状部109c阻挡有机物朝向基底101的边缘流动，从而防止有机层310和330的边缘尾部的形成。

坝状部109c可通过使用与形成平坦化层109的材料相同的材料与平坦化层109形成在同一层中。然而，坝状部109c不限于此。例如，坝状部109c具有两层或更多层。例如，如果坝状部109c具有双层结构，则下层包括与用于形成平坦化层109的材料相同的材料，并且上层包括与用于形成像素限定层119的材料相同的材料。可形成多个坝状部109c。在这种情况下，坝状部109c的高度可沿朝向基底101的方向增大。

薄膜包封层300可密封显示单元100以防止潮气或氧渗透到显示单元100中。薄膜包封层300可包括诸如有机层310和330的一层或更多层有机层以及一层或更多层无机层320和340。在图2示出的示例中，薄膜包封层300包括交替堆叠的两层有机层310、330和两层无机层320、340。然而，薄膜包封层300不限于此。例如，薄膜包封层300还包括交替堆叠的无机包封层和有机包封层，无机包封层的层数和有机包封层的层数不受限制。

例如，有机层310和330由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂和二萘嵌苯树脂中的至少一种形成。

当有机层310和330形成时，坝状部109c阻挡有机物朝向基底101的边 缘流动。即，有机层310和330形成在坝状部109c的内部。

无机层320和340可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅(SiON)中的至少一种。

无机层320和340可比有机层310和330大并且可覆盖外围部分109b。因此，分割区域V可被无机层320和340覆盖。在此情况下，如上所述，至少电压线200的暴露于分割区域V中的侧面被平坦化层109覆盖，从而改善电压线200的阶梯覆盖性并防止形成于电压线200上方的无机层320和340的缺陷。按照这种方式，可以防止潮气或氧渗透到显示元件100b中并可以最小化诸如暗点的缺陷。

无机层320和340可延伸至外围部分109b外侧的区域，并可在外围部分109b外侧的区域彼此接触。此外，无机层320和340中的至少一个可在外围部分109b外侧的区域中与栅极绝缘层104或层间绝缘层106接触。因此，可防止潮气穿过侧面的渗透并且可以改善薄膜包封层300的粘着性。

此外，在外围部分109b外侧的区域中，无机层320和340中的至少一个可经过层间绝缘层106的端部。于是，无机层320和340中的所述至少一个可与基底101的上表面接触，还可与栅极绝缘层104和层间绝缘层106接触。在此情况下，无机层320和340的边缘部分不会剥离，因此薄膜包封层的密封特性不会劣化或失效。

应理解的是，在此描述的示例性实施例应仅以描述性含义来考虑，而不是出于限制的目的。在每个示例性实施例中对特征或方面的描述通常应被认为可用于其它示例性实施例中的其它相似特征或方面。

虽然参照附图描述了发明技术，但是本领域的普通技术人员将理解，在不脱离由权利要求所限定的精神和范围的情况下，可以在此做出形式和细节上的各种改变。