自对准双重构图方法、半导体器件及其制作方法、电子装置与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供一种自对准双重构图方法、半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法采用新的自对准双重构图方法制作字线，增加了选择栅的刻蚀窗口，避免了由于刻蚀负载效应导致的刻蚀凹痕。该半导体器件和电子装置由于上述制作方法使得性能和良率提高。

技术研发人员：黄永彬;杨海玩;周乾
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
技术研发日：2016.06.20
技术公布日：2018.02.16