切割晶片的方法与流程

本申请涉及一种切割晶片的方法，特别地，涉及一种使多个晶片边缘区域单片化的方法。

背景技术：

在半导体晶片处理期间，在由硅或其他材料制成的薄晶片衬底上形成集成电路或管芯(die)。在完成晶片处理之后，在封装管芯之前，必须将管芯单片化或分离成单独的管芯。该单片化工艺被称为晶片切割。用于晶片切割的一种技术为机械锯切。采用该方法，高速旋转锯用于沿也被称为切割通道(dicing channel)或切割通路(dicing street)的切口线(kerf line)使相邻管芯分离。用于晶片切割的另一技术是被称为隐形切割的基于激光的方法。由于采用锯执行机械切割的磨损性，因此在晶片的外边缘附近会发生破碎、机械应力和裂缝形成，这会降低管芯可靠性和晶片成品率。由于激光切割对于硅晶片的强烈的热影响，因此激光切割还会导致在晶片的外边缘附近的裂缝形成和沉积，这会降低管芯可靠性和晶片成品率。

等离子切割是用于晶片切割的另一技术。由于等离子切割是不需要与晶片物理接触或热接触的干蚀刻工艺，因此可以避免机械切割或激光切割固有的许多问题。等离子切割基于多路深反应离子蚀刻(DRIE)技术并且可以对安装在标准带框架(tape frame)或载体中的晶片执行。为了制备用于等离子切割的晶片，光刻工艺用于在晶片上限定将被蚀刻的切口线。切口线通常延伸至晶片的边缘，因此可以包括晶片边缘附近的相邻的部分管芯。该光刻工艺使得在蚀刻步骤期间等离子体能够直接进入以沿切口线蚀刻穿过晶片。采用研磨后等离子切割(PDAG)(也被称为研磨后切割(DPG))，晶片在经受等离子单片化工艺之前被减薄并且被安装到晶片载体内的胶粘底层或胶上。

如果要在晶片进行等离子切割得到相对大的管芯，则在切割之前执行的光刻工艺将暴露出延伸直至晶片边缘的切口线。由于管芯的尺寸以及与晶片载体中的胶粘底层的相应大接触面积，在使用贴装带释放(pick and place tape release)技术从胶粘底层移除管芯以用于封装之前，这些管芯(包括位于晶片的边缘附近的部分管芯)在等离子单片化之后并且在后续的处理步骤(例如，层压、拆卸等)期间保持临时良好地接合至胶粘底层。

较小的管芯将具有与胶粘底层较小的接触面积。由于在等离子切割之前执行的光刻工艺将暴露出延伸直至晶片的边缘的切口线，因此这些管芯尤其是位于晶片的边缘附近的部分管芯在完成等离子单片化之后，更易于破碎和破裂以及随后从胶粘底层分层。

虽然与诸如激光切割的其他切割方法相比，等离子切割可以减小晶片破碎和破裂的总量，但是所有切割方法都具有较小管芯固有的破碎、破裂和沉积形成问题。这对于向汽车和工业应用领域中的客户(其对于其供应商施加零缺陷要求标准)供应集成电路的集成电路制造商来说会是重要问题。已经被用于帮助避免较小管芯的破碎和破裂问题的一项技术是遮蔽或防止晶片的外边缘附近的切口线被蚀刻。然而，使用该技术将在晶片的边缘周围留下未蚀刻的一圈材料，这要求在使用贴装技术用于封装管芯之前的、用于去除的另外的处理步骤。

技术实现要素：

根据一种切割晶片的方法的实施方式，该方法包括：提供晶片；以及蚀刻晶片，以使限定在晶片的内部区内的切口线区段之间的管芯单片化，并且使在切口线区段与晶片的圆周边缘之间的多个晶片边缘区域单片化。多个晶片边缘区域中的每一个通过如下切口线被单片化：所述切口线中的每条均在切口线区段之一的两个端点中的一个端点与晶片的圆周边缘之间延伸。

根据一种晶片的实施方式，该晶片包括：在切口线区段之间的多个单片化的管芯，切口线区段限定在晶片的内部区内；以及在切口线区段与晶片的圆周边缘之间的多个单片化的晶片边缘区域。多个晶片边缘区域中的每个均在如下切口线之间：所述切口线中的每条均在切口线区段之一的两个端点中的一个端点与晶片的圆周边缘之间延伸。

根据一种光刻掩模的实施方式，该光刻掩模包括第一特征集，第一特征集用于对晶片上的材料进行图案化以在晶片的内部区内限定切口线区段；并且该光刻掩模包括第二特征集，第二特征集用于对晶片上的材料进行图案化以限定如下切口线：所述切口线中的每条均在切口线区段之一的 两个端点中的一个端点与晶片的圆周边缘之间延伸。第一特征集限定要被单片化的管芯，并且第二特征集限定要被单片化的多个晶片边缘区域。

当阅读下面的详细描述时并且当观看附图时，本领域技术人员将认识到另外的特征和优点。

附图说明

附图的元件不一定相对于彼此按比例。相同的附图标记指示相应的类似部件。各个所示实施方式的特征可以相结合，除非它们彼此排斥。附图中示出了实施方式并且在下面的描述中详述了实施方式。

图1A至图1C分别示出了切割晶片的实施方式的截面图。

图2示出了安装在晶片框架中的单片化的晶片的实施方式的顶视图。

图3示出了晶片的实施方式的顶视图，该顶视图示出了在晶片的内部区内的切口线区段。

图4示出了安装在晶片框架中的单片化的晶片的实施方式的顶视图。

图5示出了安装在晶片框架中的单片化的晶片的实施方式的顶视图。

图6示出了单片化的晶片的实施方式的部分顶视图，该部分顶视图示出了单片化的晶片边缘区域。

图7示出了安装在晶片框架中的单片化的晶片的实施方式的顶视图。

图8示出了单片化的晶片的实施方式的部分顶视图，该部分顶视图示出了单片化的晶片边缘区域。

图9示出了安装在晶片框架中的单片化的晶片的实施方式的顶视图。

图10示出了用于切割晶片的方法的实施方式的流程图。

具体实施方式

图1A至图1C分别示出了切割晶片102的实施方式的截面图。图1A示出了晶片102在等离子切割之前经受光刻工艺以构造划线124的实施方式的截面图。图1B示出了如下晶片102的实施方式的截面图：晶片102在等离子反应室内并且暴露于等离子体122以通过划线124执行深蚀刻，以限定切口线132。图1C示出了在等离子切割之后的晶片102并且示出 了通过切口线132被单片化的管芯128和多个晶片边缘区域130。

在所示出的实施方式中，晶片102可以具有诸如200mm或300mm的任何适合的尺寸。在所示出的实施方式中，晶片102为硅(Si)晶片。在其他实施方式中，晶片102可以由包括但不限于硅锗(SiGe)、绝缘体上硅(SOI)、碳化硅(SiC)和砷化镓(GaAs)的其他适合材料形成。管芯128是在晶片102内的有源区域或有源区。在各个实施方式中，每个管芯128可以包括诸如晶体管的分立器件，或者可以包括许多晶体管和/或其他部件并且形成集成电路。

图1A示出了晶片102经受光刻工艺以制备用于等离子切割的晶片102的实施方式的截面图。晶片102通过胶粘层106接合至玻璃晶片载体104。晶片102具有以112限定的圆周边缘。在所示出的实施方式中，晶片102在被安装在晶片载体104上之前通过研磨工艺被减薄。光刻工艺用于限定划线124的位置。光刻工艺包括在晶片102的顶表面110上形成光刻胶材料层114。光刻胶层114通过经由光刻掩模116暴露于诸如紫外光的光源118而被图案化。在所示出的实施方式中，光刻掩模116为玻璃上铬(COG)光刻掩模。在其他实施方式中，光刻掩模116可以为其他适合类型的光刻掩模。在所示出的实施方式中，光刻掩模116包括图案或特征集，这些图案或特征集将在对光刻胶层114显影时，在曝光之后被转移至晶片102。这些图案或特征集在图1B中被示出为在光刻胶层114内的划线124。划线124确定晶片102的将经受等离子体122深蚀刻穿过晶片102以限定切口线132的区域。在其他实施方式中，可以使用诸如使用可灰化硬掩模(ashable hardmask，AHM)的其他适合掩蔽方法来替代光刻胶114。

图1B示出了晶片102在等离子体反应室内并且暴露于等离子体122的实施方式的截面图。适合的等离子蚀刻工艺包括但不限于氯基工艺和氟基工艺。等离子体122沿着划线124的位置蚀刻晶片102以限定切口线132。切口线132被蚀刻完全穿过晶片102，并且使管芯128单片化以及使多个晶片边缘区域130单片化。图1C示出了在等离子切割之后并且在已经剥离了光刻胶层114之后的单片化的晶片102，并且示出了通过切口线132被单片化的管芯128和多个晶片边缘区域130。

在其他实施方式中，可以使用其他适合的光刻方法来限定划线124和/或切口线132。这些方法包括但不限于诸如电子束光刻或激光直接成像(LDI)的无掩模光刻工艺。这些工艺使用窄聚焦辐射束以在光刻胶层114 上写下限定划线124的图案。采用无掩模光刻工艺，图案或特征集信息包含在光刻工具使用的设计或数据文件内以暴露出划线124。

在各个实施方式中，一旦等离子单片化完成，如图1C中所示，则使用层压和拆卸或者带剥离工艺来制备用于封装的单片化的晶片102。采用该工艺，晶片框架206被定位在单片化的晶片102周围，并且胶粘切割带或箔208被定位在晶片框架206上，并且被层压至单片化的晶片102的顶表面110。剥离工艺用于使单片化的晶片102从胶粘层106和晶片载体104脱离。图2示出了被层压至箔208并且被保持在晶片框架206内的、剥离的并且单片化的晶片102的示例性实施方式。在各个实施方式中，在使用贴装带释放技术从箔208移除管芯128用于封装之前，箔208可以被扩展以避免诸如管芯碰撞的问题。

图2以200示出了安装在晶片框架206中的单片化的晶片102的实施方式的顶视图。在图2中所示的实施方式中，可以使用图1A至图1C中所示的方法使管芯128单片化并且使多个晶片边缘区域130单片化。管芯128位于竖直切口线区段202与水平切口线区段204之间。切口线区段202和204位于单片化的晶片102的内部区210内。晶片102包括以230示出的对准缺口。

图3以300示出了晶片102的实施方式的顶视图，该顶视图示出了在晶片102的内部区210内的水平和竖直切口线区段。图3不包括多个单片化的晶片边缘区域130。分别以202和204示出了竖直和水平切口线区段。每个竖直切口线区段202具有如212和214所示的两个端点。每个水平切口线区段204具有如216和218所示的两个端点。内部区210沿单片化的管芯128的外边界布置，并且由相邻端点212-214和/或端点216-218之间的切口线区段202-204的互连部分来限定。

图2示出了切口线区段202-204与晶片102的圆周边缘112之间的多个单片化的晶片边缘区域130。多个晶片边缘区域130中的每一个晶片边缘区域130通过两条切口线220被单片化，这两条切口线220中的每条均在相应切口线区段202-204的两个端点212-214或216-218中的一个端点与晶片102的圆周边缘112之间延伸。

在图2所示的实施方式中，晶片边缘区域130a由虚线示出。晶片边缘区域130a通过切口线220a和切口线220c被单片化。切口线220a在切口线区段204a的端点216a与沿晶片102的圆周边缘112的点112a之间延伸。切口线220c在切口线区段204c的端点216c与沿晶片102的圆周 边缘112的点112c之间延伸。晶片边缘区域130a沿如端点216a与216c之间的互连的切口线区段202-204示出的内部区210的边界被单片化。

在图2中所示的实施方式中，如晶片边缘区域130a所示，晶片边缘区域130可以通过平行的切口线被单片化，或者如晶片边缘区域130b所示，晶片边缘区域130可以通过垂直的切口线被单片化。晶片边缘区域130b通过垂直的并且在端点216a处以90°相交的切口线220被单片化。在其他实施方式中，晶片边缘区域130可以通过以诸如45°的其他适合的角度相交的切口线被单片化。参照图2，相应的切口线区段204a和202a分别为水平的和竖直的，并且共享在使晶片边缘区域130b单片化的切口线220的相交点处的端点216a。这些切口线220与圆周边缘点112a和112d相交。圆周边缘点112a与切口线区段204a的两个端点共线，并且圆周边缘点112d与切口线区段202a的两个端点共线。

图2示出了关于其中有N个平行切口线区段的晶片边缘区域130a的示例性实施方式，其中N＝3并且对应于切口线区段204a、204b和204c。在该示例性实施方式中，晶片边缘区域通过切口线220a和220c被单片化，切口线220a和220c中的每条均在每M个切口线区段的两个端点之一与晶片102的圆周边缘112之间延伸。在该图示中，M＝2并且对应于切口线区段204a和204c以及相应的端点216a和216c。

在各个实施方式中，N个平行切口线区段可以是N个竖直切口线区段202或N个水平切口线区段204。晶片边缘区域130a通过从水平切口线区段204(其中N＝2)延伸的切口线220被单片化。晶片边缘区域130c通过从竖直切口线区段202(其中N＝2)延伸的切口线220被单片化。在该实施方式和其他实施方式中，N和M可以是任何合适的数字，其中，N是等于或大于三的整数，并且M是等于或大于二并且等于或小于N的整数。例如，图2示出了如下实施方式：其中，N＝5和M＝2，并且晶片边缘区域130a和130d通过从五个切口线区段(204a、204b、204c、204d和204e)中的每两个切口线区段(204a、204c和204e)的端点216延伸的切口线(220a、220c和220e)被单片化。

在图2中所示的实施方式中，切口线220a的圆周边缘点112a与切口线区段204a的端点216a和218a共线，这限定了切口线220a与切口线区段204a沿同一切口线布置。在图2中所示的实施方式中，切口线220a具有等于切口线区段204a的宽度的宽度(参照图6来限定)。在其他实施方式中，切口线220a可以具有大于或小于切口线区段204a的宽度的宽度。 切口线220c的圆周边缘点112c与切口线区段204c的端点216c和218c共线，这限定了切口线220c与切口线区段204c沿同一切口线布置。切口线220c具有等于切口线区段204c的宽度的宽度。在其他实施方式中，切口线220c可以具有大于或小于切口线区段204c的宽度的宽度。

在图2所示的实施方式中，晶片边缘区域130通过从切口线区段202或204的端点延伸并且与在与各自的切口线区段202或204共线的点(例如，112a、112b等)处与晶片102的圆周边缘112相交的切口线220被单片化。在其他实施方式中，切口线220可以在与其各自的切口线区段202和204不共线的点处与圆周边缘112相交(也参见图4)。

图4以400示出了安装在晶片框架206中的单片化的晶片402的实施方式的顶视图。在图4所示的实施方式中，可以使用图1A至图1C中所示的方法使管芯128单片化并且使多个晶片边缘区域404单片化。管芯128位于竖直切口线区段202与水平切口线区段204之间。切口线区段202和204位于单片化的晶片402的内部区210内。多个单片化的晶片边缘区域404在切口线区段202-204与晶片402的圆周边缘412之间。多个晶片边缘区域404中的每一个通过两条切口线420被单片化，两条切口线420中的每条均在相应切口线区段202-204的两个端点212-214或216-218中的一个端点与晶片402的圆周边缘412之间延伸。多个晶片边缘区域404中的一个或更多个通过关于晶片402的圆周边缘412成径向的切口线420被单片化。

在图4所示的实施方式中，晶片边缘区域404a由虚线示出。晶片边缘区域404a通过切口线420a和切口线420c被单片化。切口线420a在切口线区段204a的端点216a与沿晶片402的圆周边缘412的点412a之间延伸。切口线420a沿关于圆周边缘412成径向的方向与点412a相交。切口线420c在切口线区段204c的端点216c与沿晶片402的圆周边缘412的点412c之间延伸。切口线420c沿关于圆周边缘412成径向的方向与点412c相交。晶片边缘区域404a沿如端点216a与216c之间的互连的切口线区段202-204所示的内部区210的边界被单片化。

在图4中，在内部区210的边界与晶片402的圆周边缘412之间限定了径向距离424。径向距离424被示出为在切口线区段204d的两个端点216d-218d中的端点218d与晶片402的圆周边缘412之间。在本文中所示的实施方式的一个或更多个中，径向距离424可以被确定在端点212-214或端点216-218中的一个端点与晶片402的圆周边缘412之间。 径向距离424示出了端点212-214或端点216-218与晶片402的圆周边缘412之间的最小距离。在这些实施方式中，径向距离424等于或大于2mm。在其他实施方式中，径向距离424可以等于或大于其他适合值(其他适合值小于2mm或大于2mm)。

在其他实施方式中，晶片边缘区域404中的一个或更多个具有沿关于圆周边缘412成径向的方向与圆周边缘412相交的两条切口线420中的至少一条。例如，在一个实施方式中，晶片边缘区域404通过两条切口线420被单片化，其中，切口线420之一与沿圆周边缘412的点相交，该点与端点216c-218c共线，并且切口线420中的另一条与沿圆周边缘412的点关于圆周边缘412成径向相交。

在图4所示的实施方式中，切口线420a具有等于切口线区段204a的宽度的宽度(参照图6来限定)。在其他实施方式中，切口线420a可以具有大于或小于切口线区段204a的宽度的宽度。在图4所示的实施方式中，切口线420c具有等于切口线区段204c的宽度的宽度。在其他实施方式中，切口线420c可以具有大于或小于切口线区段204c的宽度的宽度。

图5以500示出了安装在晶片框架206中的单片化的晶片502的实施方式的顶视图。在图5所示的实施方式中，图1A至图1C中所示的方法可以用于使管芯128单片化并且使多个晶片边缘区域504单片化。管芯128位于竖直切口线区段202与水平切口线区段204之间。切口线区段202和204位于单片化的晶片502的内部区210内。多个单片化的晶片边缘区域504在切口线区段202-204与晶片502的圆周边缘512之间。多个晶片边缘区域504中的每一个通过两条切口线520被单片化，这两条切口线520中的每条均在相应切口线区段202-204的两个端点212-214或216-218中的一个端点与晶片502的圆周边缘512之间延伸。使多个晶片边缘区域504中每一个单片化的两条切口线520具有限定多个晶片边缘区域502中的相邻晶片边缘区域502之间的互锁接合件的形状或路径。在图5所示的实施方式中，由切口线520限定的互锁接合件包括形成相邻晶片边缘区域504之间的连续边界的阳性构件和阴性构件。在所示出的实施方式中，阳性构件和阴性构件包括阳性梯形区段和阴性梯形区段。切口线520a限定了晶片边缘区域504a内的阴性梯形区段和共享由切口线520a限定的连续边界的相邻晶片边缘区域504内的阳性梯形区段。切口线520c限定了晶片边缘区域504a内的阳性梯形区段和共享由切口线520c限定的连续边界的相邻晶片边缘区域504内的阴性梯形区段。在其他实施方式中，相邻晶 片边缘区域504之间的连续边界可以形成相邻晶片边缘区域504之间的任何适合的互锁关系。

在图5所示的实施方式中，晶片边缘区域504a由虚线示出。晶片边缘区域504a通过切口线520a和切口线520c被单片化。切口线520a在切口线区段204a的端点216a与沿晶片502的圆周边缘512的点512a之间延伸。切口线520c在切口线区段204c的端点216c与沿晶片102的圆周边缘512的点512c之间延伸。晶片边缘区域504a沿如端点216a与216c之间的互连的切口线区段202-204所示的内部区210的边界被单片化。

在各个实施方式中，在使用贴装带释放技术从箔208移除管芯128用于封装之前，箔208被扩展以提高从箔208移除管芯128的容易性。该扩展增加了相邻管芯128之间、管芯128与晶片边缘区域504之间以及相邻晶片边缘区域504之间的空间。在扩展工艺期间，箔208可以沿所有方向或者沿晶片502的平面内的任意数目的一个或更多个轴的方向扩展或伸展。例如，箔208可以在沿竖直切口线区段202和/或水平切口线区段204的轴的方向上扩展。沿这些方向，箔208可以扩展相同的量，或者扩展不同的量。例如，通过沿与晶片502的圆周512成径向的一个或更多个方向选择性地扩展箔208，可以优化管芯128的转移，从而提高在将管芯128从箔208转移至管芯载体之后的总体良好管芯成品率。在各个实施方式中，该转移通过使用贴装工具(其使用被机器人机械机构控制的真空管芯夹头)来完成。该机器人机械机构通过使用吸附动作从晶片框架206的箔208拾取管芯128，并且在将管芯128放置在管芯载体中之前牢固地保持管芯。

在图5所示的实施方式中，切口线520a具有等于切口线区段204a的宽度的宽度(参照图6来限定)。在其他实施方式中，切口线520a可以具有大于或小于切口线区段204a的宽度的宽度。在图5所示的实施方式中，切口线520c具有等于切口线区段204c的宽度的宽度。在其他实施方式中，切口线520c可以具有大于或小于切口线区段204c的宽度的宽度。对于所有的晶片边缘区域504，相应切口线520a和520c的宽度中的每个均可以被调整，使得当箔208被扩展时，由切口线520a和520c形成的互锁接合件与相邻的晶片边缘区域504限制在各自的晶片边缘区域504之间的移动。该移动可以被限制于与切口线520a和520c(参照图6)的宽度对应的范围。

图6以600示出了单片化的晶片602的实施方式的部分顶视图，该部 分顶视图示出了单片化的晶片边缘区域604a和604b。互锁接合件由包括阳性构件622a和阴性构件622b的切口线620来限定。切口线620形成了相邻晶片边缘区域604a和604b之间的连续边界。在图6所示的实施方式中，阳性构件622a为晶片边缘区域604a内的阳性梯形区段622a，并且阴性构件622b为晶片边缘区域604b内的阴性梯形区段622b。在各个实施方式中，切口线620的宽度624可以被调整，使得当单片化的晶片602通过箔208扩展时，由切口线620形成的互锁接合件限制在晶片边缘区域604a与604b之间的移动。

图6以626示出了箔208沿关于单片化的晶片602的圆周边缘612成径向的方向扩展。箔208沿径向626的扩展增大了单片化的管芯128之间、单片化的管芯128与晶片边缘区域604a和604b之间以及相邻的晶片边缘区域604a和604b之间的间隔。在相邻的晶片边缘区域604a与晶片边缘区域604b之间由切口线620形成的互锁接合件将晶片边缘区域604a和604b之间的沿628a和628b所示的方向的分离量限制在一定范围内。该范围与在分离期间的切口线620的宽度对应，并且具有与在箔208被扩展之前的切口线620的宽度624成比例的上限。阳性梯形区段622a限定具有如630a所示的宽度的上部。阴性梯形区段622b具有下部或开口，该下部或开口具有如630b所示的宽度。由于阳性梯形区段622a的宽度630a大于阴性梯形区段622b的宽度630b，因此阳性梯形区段622a与阴性梯形区段622b之间沿628a和628b所示的各个方向的移动被限制在一定范围内。该范围具有与在阳性梯形区段622a和阴性梯形区段622b进行物理接触之前可以获得的分离总量对应的上限。该上限与在箔208被扩展之前的宽度624的大小正相关。

在其他实施方式中，互锁接合件可以具有其他适合的形状或尺寸。切口线620具有比切口线区段202和204的宽度大的宽度624。在其他实施方式中，宽度624可以等于切口线区段202和204的宽度，或者可以小于切口线区段202和204的宽度。在其他实施方式中，宽度624可以针对在单片化的晶片602内的一个或更多个互锁接合件而变化，以便控制在晶片602的圆周612周围的相邻晶片边缘区域604之间的扩展量。

图7以700示出了安装在晶片框架206中的单片化的晶片702的实施方式的顶视图。在图7所示的实施方式中，可以使用图1A至图1C中所示的方法使管芯128单片化并且使多个晶片边缘区域704单片化。管芯128位于竖直切口线区段202与水平切口线区段204之间。切口线区段202 和204位于单片化的晶片702的内部区210内。多个单片化的晶片边缘区域704在切口线区段202-204与晶片702的圆周边缘712之间。多个晶片边缘区域704中的每一个通过两条切口线720被单片化，这两条切口线720中的每条均在相应切口线区段202-204的两个端点212-214或216-218中的一个端点与晶片702的圆周边缘712之间延伸。使多个晶片边缘区域702中的每一个单片化的切口线720具有限定多个晶片边缘区域702中的相邻晶片边缘区域702之间的互锁接合件的形状或路径。互锁接合件包括与多个晶片边缘区域704中的相邻晶片边缘区域704形成互锁和共面关系的单片化的区段722。在图7所示的实施方式中，示例性的单片化的区段722a由在与端点216a和圆周边缘点712a相邻的区域中交叠的切口线720a-720b(参照虚线)形成。切口线720a-720b在区段722a周围被分裂并且使区段722a单片化。

在图7所示的实施方式中，切口线720a-720b具有等于切口线区段204a的宽度的宽度(参照图8来限定)。在其他实施方式中，切口线720a-720b可以具有大于或小于切口线区段204a的宽度的宽度。对于每个晶片边缘区域704，切口线720a-720b的宽度可以被调整，使得当箔208被扩展时，由切口线720a-720b形成的互锁接合件和单片化的区段722a限制在晶片边缘区域704a和704b之间的移动。该移动被限制于与切口线720a-720b(参照图8)的宽度对应的范围。

图8以800示出了单片化的晶片802的实施方式的部分顶视图，该部分顶视图示出了单片化的晶片边缘区域804a和804b。使晶片边缘区域804a和804b单片化的切口线820a-820b限定了与相邻的晶片边缘区域804a和804b形成互锁和共面关系的单片化的区段822。切口线820a-820b在与端点216和圆周边缘点812a相邻的区域中交叠。切口线820a-820b在区段822周围分裂并且使区段822单片化。切口线820a在区段822的下部与晶片边缘区域804a之间形成连续边界。切口线820b在区段822的上部与晶片边缘区域804b之间形成连续边界。

在图8所示的实施方式中，区段822包括分别具有830a所示的最大宽度的上阳性梯形区段和下阳性梯形区段。晶片边缘区域804a和804b均包括分别与切口线820a和820b(其与区段822的边界相邻)连续的互补阴性梯形区段。晶片边缘区域804a和804b内的阴性梯形区段具有830b所示的最小宽度。在所示出的实施方式中，宽度830a大于宽度830b。

图8以826示出了箔208沿关于单片化的晶片802的圆周边缘812 成径向的方向扩展。箔208沿径向826的扩展增大了单片化的管芯128之间、单片化的管芯128与晶片边缘区域804a和804b之间以及相邻的晶片边缘区域804a和804b之间的间隔。在相邻的晶片边缘区域804a和804b之间由区段822形成的互锁接合件在箔208的扩展期间将晶片边缘区域804a和804b之间沿828a和828b所示的方向的分离量限制在一定范围内。该范围由在分离期间的切口线820a-820b的宽度来限定，并且具有与在箔208被扩展之前的切口线820a-820b的宽度824成比例的上限。由于在晶片边缘区域804a和804b内，区段822的顶部和底部阳性梯形部分的宽度830a大于阴性梯形部分的开口的宽度830b，因此扩展的范围具有与在区段822与晶片边缘区域804a和804b中的一个或两个进行物理接触之前可以获得的分离总量对应的上限。该上限与在箔208被扩展之前的宽度824的大小正相关。在图8所示的实施方式中，切口线820a和切口线820b两者具有相同的宽度824。

在其他实施方式中，区段822可以具有限定相邻的晶片边缘区域804a和804b之间的互锁接合件的其他适合的形状或尺寸。在图8所示的实施方式中，切口线820a和820b具有比切口线区段202和204的宽度大的宽度824。在其他实施方式中，宽度824可以等于切口线区段202和204的宽度，或者可以小于切口线区段202和204的宽度。在其他实施方式中，切口线820a-820b的宽度824可以针对一个或更多个区段822而变化，以便控制在晶片802的圆周812周围的相邻晶片边缘区域804a和804b之间的扩展量。

图9以900示出了安装在晶片框架206中的单片化的晶片902的实施方式的顶视图。图9中所示的晶片边缘区域904中的至少一个包括人可读信息或机器可读信息。在图9所示的实施方式中，区908(参见虚线轮廓)中的人可读信息可以具有任何适合的格式，包括但不限于字母数字数据。在图9所示的实施方式中，区910(参见虚线轮廓)中的机器可读信息是可扫描条形码或通用产品代码。在其他实施方式中，机器可读信息可以具有其他适合的格式。

在图9所示的实施方式中，晶片边缘区域904a包括通过切口线922a被单片化的区908内的人可读信息。切口线922a与切口线920a相交。切口线920a在切口线区段204a的端点218a与晶片902的圆周边缘912之间延伸。晶片边缘区域904b包括通过切口线922b被单片化的区910内的机器可读信息。切口线922b与切口线920b相交。切口线920b在切口线 区段204b的端点218b与晶片902的圆周边缘912之间延伸。

图10示出了用于切割晶片的方法的实施方式的流程图。以1000示出了该方法。在1002处，提供晶片102。在1004处，蚀刻晶片102以使管芯128单片化并且使多个晶片边缘区域130单片化。使在限定在晶片102的内部区210内的切口线区段202和204之间的管芯128单片化。使在切口线区段202和204与晶片102的圆周边缘112之间的多个晶片边缘区域130单片化。通过切口线220使多个晶片边缘区域130中的每一个单片化，切口线220中的每条均在切口线区段202的两个端点212或214之一或者切口线区段204的两个端点216或218之一与晶片102的圆周边缘112之间延伸。

诸如“在......下”、“在......下方”、“下”、“在......上方”、“上”等的空间相对术语被用于方便描述以说明一个元件相对于第二元件的定位。这些术语旨在包括除了与附图中所示的取向不同的取向外的不同装置取向。此外，诸如“第一”、“第二”等的术语也用于描述各种元件、区、区段等，并且也不旨在是限制性的。贯穿本说明书，相同术语指代相似的元件。

如在本文中所使用的，术语“具有”、“包含”、“包括(including)”、“包括(comprising)”等为开放性术语，其指示所描述的元件或特征的存在，但是不排除另外的元件或特征。冠词“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”旨在包括复数形式以及单数形式，除非上下文中以另外的方式明确指示。

考虑到变型和应用的上述范围，应当理解，本发明不由前述描述来限制，也不由附图来限制。实际上，本发明仅由所附权利要求书和其法律上的等同内容来限制。