1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
多个像素，每个像素包括驱动电路，其中，所述驱动电路包括驱动晶体管和电连接到所述驱动晶体管的存储电容器，
其中，所述驱动晶体管包括驱动有源层和第一电极，其中，所述第一电极与所述驱动有源层绝缘并设置在所述驱动有源层的至少一部分的上方，
其中，所述存储电容器包括第一电容器和第二电容器，所述第一电容器包括所述第一电极和面对所述第一电极的第二电极，所述第二电容器包括所述第二电极和面对所述第二电极的第三电极。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一电极和所述第三电极彼此电连接。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括置于所述第二电极和所述第三电极之间的绝缘层，
其中，所述第二电极、所述绝缘层和所述第三电极包括彼此连续地连接而不具有台阶的端部。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二电极和所述第三电极中的每个电极具有比所述第一电极的面积大的面积。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：
像素电极，电连接到所述驱动晶体管；
对电极，面对所述像素电极；以及
有机发射层，置于所述像素电极和所述对电极之间。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述像素中的每个像素包括：
扫描线，在第一方向上延伸并与所述第一电极设置在同一层上；
数据线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并设置在其上设置有所述第三电极的层的上方；以及
电源线，被构造为向所述驱动晶体管施加电压并与所述数据线设置在同一层上。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：
第一绝缘层，置于所述驱动有源层和所述第一电极之间；
第二绝缘层，置于所述第一电极和所述第二电极之间；
第三绝缘层，置于所述第二电极和所述第三电极之间；以及
第四绝缘层，置于所述第三电极和所述数据线之间以及所述第三电极和所述电源线之间，
其中，所述第三绝缘层和所述第四绝缘层具有穿过所述第三绝缘层和所述第四绝缘层形成的第一接触孔，
其中，所述第二电极通过所述第一接触孔电连接到所述电源线。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第三电极具有与所述第一接触孔对应的第一开口，其中，所述第一开口具有比所述第一接触孔的面积大的面积。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中，所述驱动有源层包括被构造为从所述电源线接收电压的驱动源区、与所述驱动源区分隔开的驱动漏区以及被构造为使所述驱动源区和所述驱动漏区彼此电连接的驱动沟道区，其中，所述有机发光二极管显示器还包括被构造为使所述驱动漏区与所述存储电容器彼此电连接的补偿晶体管。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中，所述补偿晶体管包括电连接到所述第一电极并与所述数据线设置在同一层上的补偿漏电极，其中，所述第四绝缘层具有穿过所述第四绝缘层形成的第二接触孔，其中，所述补偿漏电极通过所述第二接触孔连接到所述第三电极。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层具有穿过所述第二绝缘层和所述第四绝缘层形成的第三接触孔，其中，所述补偿漏电极通过所述第三接触孔电连接到所述第一电极。
12.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述有机发光二极管显示器包括多个像素，所述多个像素均包括被构造为驱动相应像素的驱动晶体管和电连接到所述驱动晶体管的存储电容器，所述方法包括如下步骤：
在基底上方形成所述驱动晶体管中包括的驱动有源层；
在所述驱动有源层上方形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上方形成第一电极，其中，将所述第一电极构造为用作所述驱动晶体管的栅电极和所述存储电容器的电极；
在所述第一绝缘层上方形成第二绝缘层，以覆盖所述第一电极；
在所述第二绝缘层上方形成所述存储电容器的第二电极，以面对所述第一电极；
在所述第二电极上方形成第三绝缘层；以及
在所述第三绝缘层上方形成所述存储电容器的第三电极，以面对所述第二电极。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第二电极、所述第三绝缘层和所述第三电极的步骤包括：
形成第一导电材料；
在所述第一导电材料上方形成绝缘材料；
在所述绝缘材料上方形成第二导电材料；以及
经由掩模使所述第一导电材料、所述绝缘材料和所述第二导电材料图案化。
14.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括在所述第三电极中形成第一开口。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述掩模是半色调掩模，所述半色调掩模包括被构造为屏蔽光的光屏蔽部分、被构造为透射光的透明部分和被构造为透射部分光的半透明部分，其中，所述透明部分与所述第一导电材料、所述绝缘材料和所述第二导电材料被去除的部分对应，其中，所述半透明部分与所述第三电极中的所述第一开口对应。
16.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括：
在所述第三绝缘层上方形成第四绝缘层，以覆盖所述第三电极；以及
在所述第四绝缘层上方形成电源线。
17.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：在形成所述第四绝缘层之后，在所述第四绝缘层和所述第三绝缘层中形成第一接触孔，其中，所述第二电极通过所述第一接触孔连接到所述电源线。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述图案化的步骤包括使所述第一导电材料、所述绝缘材料和所述第二导电材料图案化，以在所述第二电极、所述第三绝缘层和所述第三电极中形成第二开口。
19.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：在形成所述第四绝缘层之后，
在所述第四绝缘层中形成第二接触孔以及在所述第四绝缘层和所述第二绝缘层中形成第三接触孔；以及
在所述第四绝缘层上方形成补偿漏电极，
其中，所述补偿漏电极分别通过所述第二接触孔和所述第三接触孔连接到所述第三电极和所述第一电极两者。
20.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：
形成电连接到所述驱动晶体管的像素电极；
在所述像素电极上方形成有机发射层；以及
在所述有机发射层上方形成对电极。