半导体加工方法与流程

文档序号:12160001阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种半导体加工方法,包括:

提供第一载体;

在所述第一载体上提供第一粘合剂;

在所述第一粘合剂上放置多个半导体芯片;

提供第二载体,其中所述第二载体具有多个芯片接收区域;

将所述第一载体和第二载体结合在一起以将所述半导体芯片附接至所述第二载体上各自的所述芯片接收区域;以及

从所述半导体芯片分离所述第一载体。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一载体具有多个第一全局标记,所述第二载体具有多个第二全局标记,其中在将所述第一载体和第二载体结合在一起之前将所述第一全局标记与相应的第二全局标记对齐。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述第一全局标记的每一个具有不同的形状,所述第二全局标记的每一个具有与相应的所述第一全局标记相同的形状。

4.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:为所述第一载体提供多个第一单元标记,所述第一单元标记定义多个芯片放置位置。

5.根据权利要求4所述的方法,其中为所述第一载体提供多个第一单元标记的步骤包括:基于所述第一全局标记的位置确定所述第一单元标记的位置。

6.根据权利要求4所述的方法,进一步包括:在所述第一粘合剂上放置各个半导体芯片之前,将所述半导体芯片的每一个上的多个芯片标记与相应的所述第一单元标记对齐。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述芯片标记设置在所述半导体芯片的活性表面上。

8.根据权利要求2所述的方法,其中所述芯片接收区域包括设置在所述第二载体上的多个芯片垫片。

9.根据权利要求8所述的方法,进一步包括:在与各个所述芯片垫片相邻的所述第二载体的表面和所述芯片垫片自身中的一个上形成多个第二单元标记。

10.根据权利要求9所述的方法,其中形成所述第二单元标记的步骤包括:基于所述第二全局标记的位置确定所述第二单元标记的位置。

11.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:在所述第二载体上提供多个元件垫片。

12.根据权利要求11所述的方法,进一步包括:将多个结构特征、多个无源元件或其组合附接至所述第二载体上的各个所述元件垫片。

13.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:在所述半导体芯片的每一个和所述芯片接收区域的每一个中的一个上设置第二粘合剂。

14.根据权利要求13所述的方法,进一步包括:在将所述第一载体和所述第二载体结合在一起之后,加热所述第二粘合剂至所述第二粘合剂的固化温度。

15.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一粘合剂包括可释放粘合材料。

16.根据权利要求15所述的方法,进一步包括:在从所述半导体芯片分离所述第一载体之前,加热所述第一粘合剂至所述可释放粘合材料的释放温度。

17.根据权利要求1所述的方法,其中从所述半导体芯片分离所述第一载体的步骤包括:在从所述半导体芯片拉开所述第一载体之前,施加剪切力至所述第一载体。

18.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:为所述第二载体提供多个次级全局标记。

19.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二载体的尺寸被确定为容纳多于一个所述第一载体。

20.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一载体具有与所述第二载体相比相同或较小的热膨胀系数。

21.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:在所述第二载体上形成介电层,所述介电层封装所述半导体芯片。

22.根据权利要求21所述的方法,进一步包括:

基于所述第二全局标记的位置,确定多个端子垫片在所述半导体芯片的每个上的位置;和

在所述介电层中形成多个开口,以暴露各自的端子垫片。

23.根据权利要求21所述的方法,进一步包括:在所述介电层中形成多个开口,以暴露各自的所述第二全局标记。

24.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:执行扫描操作以获得所述半导体芯片的每一个上的多个端子垫片的位置数据。

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