发光二极管及制造该发光二极管的方法与流程

文档序号:12968418阅读:来源:国知局
技术特征:
1.一种发光二极管,包含:第一导电型半导体层;多个台面,在所述第一导电型半导体层上相隔而布置,且分别包含活性层及第二导电型半导体层;反射电极,位于所述多个台面之每一个上,欧姆接触于第二导电型半导体层;电流分散层,覆盖所述多个台面及所述第一导电型半导体层,且与所述台面电绝缘,且在各个所述台面的上部区域内包含暴露所述反射电极的第一开口部,并欧姆接触于所述第一导电型半导体层,上部绝缘层,覆盖所述电流分散层的至少一部分,且在各个所述台面的上部区域内具有暴露所述反射电极的第二开口部;下部绝缘层,该下部绝缘层位于所述多个台面与所述电流分散层之间,以使所述电流分散层与所述多个台面及所述反射电极电绝缘,其中,所述下部绝缘层具有暴露所述第一导电型半导体层的第三开口部,所述第三开口部具有沿着所述台面延伸的方向伸长的形状,所述第一开口部被布置在相邻的两个所述第三开口部之间。2.如权利要求1所述的发光二极管,其中,所述多个台面具有朝一侧方向相互平行地沿长度方向延伸的形状,所述第一开口部偏向于所述多个台面的相同端部侧而布置。3.如权利要求1所述的发光二极管,其中,各个所述反射电极包含反射金属层及阻挡金属层,所述阻挡金属层覆盖所述反射金属层的上面及侧面。4.如权利要求1所述的发光二极管,其中,还包含:第一衬垫,电连接于所述电流分散层;第二衬垫,位于所述上部绝缘层上,且电连接于通过所述第一开口部及所述第二开口部暴露的反射电极。5.如权利要求1所述的发光二极管,其中,所述下部绝缘层在各个所述台面的上部区域内具有暴露所述反射电极的第四开口部。6.如权利要求1所述的发光二极管,其中,还包含衬底,该衬底在一侧表面上具有所述第一导电型半导体层,在另一侧表面包含研磨纹理面。7.一种发光二极管的制造方法,包括如下步骤:形成包含第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层的半导体层叠结构物;对所述第二导电型半导体层及活性层进行图案化而在所述第一导电型半导体层上形成多个台面之后,在所述多个台面上形成反射电极;形成覆盖所述多个台面以及所述第一导电型半导体层的下部绝缘层,所述下部绝缘层具有暴露所述第一导电型半导体层的第三开口部以及在各个所述台面的上部区域内暴露所述反射电极的第四开口部,所述第三开口部具有沿着所述台面延伸的方向伸长的形状;在所述下部绝缘层上形成电流分散层,该电流分散层覆盖所述多个台面及所述第一导电型半导体层,且在各个所述台面的上部区域内包含暴露所述反射电极的第一开口部,所述下部绝缘层位于所述多个台面与所述电流分散层之间,以使所述电流分散层与所述多个台面及所述反射电极电绝缘;形成上部绝缘层,该上部绝缘层覆盖所述电流分散层的至少一部分,且在各个所述台面的上部区域内具有暴露所述反射电极的第二开口部,所述第一开口部被布置在相邻的两个所述第三开口部之间。8.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法,其中,形成所述反射电极的步骤包含:在第二导电型半导体层上形成反射金属层,且形成阻挡金属层以覆盖所述反射金属层的上面及侧面。9.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法,其中,形成所述反射电极的步骤还包含:在形成所述阻挡金属层之前形成应力缓和层,该应力缓和层具有所述反射金属层的热膨胀系数与所述阻挡金属层的热膨胀系数之间的热膨胀系数。10.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法,其中,还包含如下步骤:在衬底的表面形成研磨纹理面,所述衬底包含一侧表面及另一侧表面,所述半导体层叠结构物形成于所述衬底的一侧表面上,所述研磨纹理面形成于所述衬底的另一侧表面。
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