技术总结
本发明公开发光二极管及制造该发光二极管的方法。该发光二极管包含：第一导电型半导体层；多个台面，在所述第一导电型半导体层上相隔而布置，且分别包含活性层及第二导电型半导体层；反射电极，位于各个所述多个台面上，且欧姆连接于第二导电型半导体层；电流分散层，覆盖所述多个台面及所述第一导电型半导体层，且与所述台面电绝缘，且在各个所述台面的上部区域内包含暴露所述反射电极的第一开口部，并欧姆接触于所述第一导电型半导体层。据此，可提供改善了电流分散性能的发光二极管。
技术研发人员：蔡钟炫;张钟敏;卢元英;徐大雄;赵大成;李俊燮;李圭浩;印致贤;
受保护的技术使用者：首尔伟傲世有限公司;
文档号码：201610702369
技术研发日：2012.09.14
技术公布日：2016.11.02