1.一种单双线圈磁保持继电器驱动方法，其特征在于：采用大于100V的高压控制电源驱动低压磁保持继电器线圈。
2.按照权利要求1所述的一种单双线圈磁保持继电器驱动方法，其特征在于：
保持继电器为单线圈磁保持继电器，单线圈磁保持继电器驱动电路包含二极管D2、储能电容C1、双触点双位置信号继电器J2、线圈J1和开关S1，高压控制电源U1正极与二极管D2阳极连接，二极管D2阴极与储能电容C1正极和双触点双位置信号继电器J2的1脚连接，双触点双位置信号继电器J2的4脚和开关S1一端连接，开关S1另一端和储能电容C1负极与高压控制电源U1负极连接，线圈J1一端与双触点双位置信号继电器J2的3脚和5脚连接，线圈J1另一端与双触点双位置信号继电器J2的2脚和6脚连接；
可控硅开关S1包含可控硅D3、电阻R3和电阻R4，可控硅D3阳极与双触点双位置信号继电器J2的4脚连接，可控硅D3阴极与高压直流电源U1负极连接，可控硅D3触发门极与电阻R3和电阻R4的一端连接，电阻R4另一端连接控制信号正极，电阻R3另一端与控制信号负极连接；
当双触点双位置信号继电器J2的触点在1-2、4-5位置时，磁保持继电器J2为正向导通，推动触点闭合；当双触点双位置信号继电器J2触点在1-3、4-6位置时，磁保持继电器J1为反向导通，推动触点断开；
控制电源U1>100V，控制电源U1通过二极管D2对储能电容C1充电，直到充满，此时控制双触点双位置信号继电器J2的触点在1-2、4-5位置或1-3、4-6位置，然后触发开关S1，储能电容C1则对磁保持继电器的线圈J1放电，完成磁保持继电器的合闸与分闸；
控制电源U1为交流电源，正半波时，U1通过D2对C1充电，负半波时，D2截止，储能电容C1电量保留，当开关S1导通后，C1对线圈J1放电，出现负半波时，D2截止，可控硅自然关断；然后高压控制电压U1再次通过二极管D2对储能电容C1开始充电，直到充满；
储能电容C1的额定电压不小于U1的最大值，储能电容C1的容量与J2的线圈电阻及功率相匹配。
3.按照权利要求1所述的一种单双线圈磁保持继电器驱动方法，其特征在于：
保持继电器为单线圈磁保持继电器，单线圈磁保持继电器驱动电路包含二极管D2、储能电容C1、双触点双位置信号继电器J2、线圈J1和开关S1，高压控制电源U1正极与二极管D2阳极连接，二极管D2阴极与储能电容C1正极和双触点双位置信号继电器J2的1脚连接，双触点双位置信号继电器J2的4脚和开关S1一端连接，开关S1另一端和储能电容C1负极与高压控制电源U1负极连接，线圈J1一端与双触点双位置信号继电器J2的3脚和5脚连接，线圈J1另一端与双触点双位置信号继电器J2的2脚和6脚连接；
MOS管开关S1包含MOS管Q1和电阻R5，MOS管Q1的栅极与控制信号正极和电阻R5一端连接，MOS管Q1的源极和电阻R5另一端与高压控制电源U1负极连接，MOS管Q1的漏极与双触点双位置信号继电器J2的4脚连接；
当双触点双位置信号继电器J2的触点在1-2、4-5位置时，磁保持继电器J2为正向导通，推动触点闭合；当双触点双位置信号继电器J2触点在1-3、4-6位置时，磁保持继电器J1为反向导通，推动触点断开；
控制电源U1>100V，高压控制电源U1为交流电源，正半波时，高压控制电源U1通过二极管D2对储能电容C1充电，当储能电容C1充满电后，高压控制电源U1进入负半波，D2截止，此时驱动MOS管S1导通，储能电容C1对线圈J1放电，导通2-4毫秒后，储能电容C1的容量全部放完，驱动继电器动作到位，此时关断MOS管，完成一次动作过程，然后高压控制电源U1再次通过二极管D2对储能电容C1开始充电，直到充满。
4.按照权利要求1所述的一种单双线圈磁保持继电器驱动方法，其特征在于：
保持继电器为单线圈磁保持继电器，单线圈磁保持继电器驱动电路包含二极管D2、储能电容C1、双触点双位置信号继电器J2、线圈J1和开关S1，高压控制电源U1正极与二极管D2阳极连接，二极管D2阴极与储能电容C1正极和双触点双位置信号继电器J2的1脚连接，双触点双位置信号继电器J2的4脚和开关S1一端连接，开关S1另一端和储能电容C1负极与高压控制电源U1负极连接，线圈J1一端与双触点双位置信号继电器J2的3脚和5脚连接，线圈J1另一端与双触点双位置信号继电器J2的2脚和6脚连接；
MOS管开关S1包含MOS管Q1和电阻R5，MOS管Q1的栅极与控制信号正极和电阻R5一端连接，MOS管Q1的源极和电阻R5另一端与高压控制电源U1负极连接，MOS管Q1的漏极与双触点双位置信号继电器J2的4脚连接；
当双触点双位置信号继电器J2的触点在1-2、4-5位置时，磁保持继电器J2为正向导通，推动触点闭合；当双触点双位置信号继电器J2触点在1-3、4-6位置时，磁保持继电器J1为反向导通，推动触点断开；
控制电源U1>100V，高压控制电源U1为直流电源，控制双触点双位置继电器的触点在1-2、4-5位置或1-3、4-6位置，然后驱动MOS管开关S1导通，高压控制电源U1对线圈J1放电，导通2-4毫秒后，待磁保持继电器触点动作到指定位置后关断MOS管开关S1，完成一次合闸或分闸的动作。
5.按照权利要求2或3或4所述的一种单双线圈磁保持继电器驱动方法，其特征在于：所述单线圈磁保持继电器驱动电路还包含稳压管D1、电阻R1和电阻R2，稳压管D1阴极与二极管D2阳极和电阻R1一端连接，稳压管D1阳极与高压控制电源U1负极连接，电阻R1另一端与高压控制电源U1正极连接，电阻R2一端与双触点双位置信号继电器J2的1脚连接，电阻R2另一端与双触点双位置信号继电器J2的4脚连接。
6.按照权利要求1所述的一种单双线圈磁保持继电器驱动方法，其特征在于：
保持继电器为双线圈磁保持继电器，双线圈磁保持继电器驱动电路包含二极管D2、储能电容C1、线圈J3A、线圈J3B、开关S2A和开关S2B，高压控制电源U1正极与二极管D2阳极连接，二极管D2阴极与储能电容C1正极、线圈J3A一端、线圈J3B一端连接，线圈J3A另一端与开关S2A一端连接，线圈J3B另一端与开关S2B一端连接，储能电容C1负极、开关S2A另一端和开关S2B另一端与高压控制电源U1负极连接；
可控硅开关S2A包含可控硅D4A、电阻R5A和电阻R6A，可控硅D4A阳极与线圈J3A另一端连接，可控硅D4A阴极与高压控制电源U1负极连接，可控硅D4A门极与电阻R5A和电阻R6A的一端连接，电阻R6A另一端连接控制信号正极，电阻R5A另一端与控制信号负极连接；可控硅开关S2B包含可控硅D4B、电阻R5B和电阻R6B，可控硅D4B阳极与线圈J3B另一端连接，可控硅D4B阴极与高压控制电源U1负极连接，可控硅D4B门极与电阻R5B和电阻R6B的一端连接，电阻R6B另一端连接控制信号正极，电阻R5B另一端与控制信号负极连接；
高压控制电源U1>100V, 高压控制电源U1通过二极管D2对储能电容C1充电，直到充满，触发可控硅开关S2A，则储能电容C1则对磁保持继电器的合闸线圈J3A放电，完成磁保持继电器的合闸，触发可控硅开关S2B，则储能电容C1则对磁保持继电器的分闸线圈J3B放电，完成磁保持继电器的分闸；
控制电源U1为交流电源，正半波时，U1通过D2对C1充电，负半波时，D2截止，储能电容C1电量保留，当可控硅S2A或S2B导通后，C1对线圈J3A或J3B放电完成，出现负半波时，D2截止，可控硅自然关断，然后控制电压U1再次通过二极管D2对电容C1充电开始了，直到充满。
7.按照权利要求1所述的一种单双线圈磁保持继电器驱动方法，其特征在于：
保持继电器为双线圈磁保持继电器，双线圈磁保持继电器驱动电路包含二极管D2、储能电容C1、线圈J3A、线圈J3B、开关S2A和开关S2B，高压控制电源U1正极与二极管D2阳极连接，二极管D2阴极与储能电容C1正极、线圈J3A一端、线圈J3B一端连接，线圈J3A另一端与开关S2A一端连接，线圈J3B另一端与开关S2B一端连接，储能电容C1负极、开关S2A另一端和开关S2B另一端与高压控制电源U1负极连接；
MOS管开关S2A包含MOS管Q2A和电阻R7A，MOS管Q2A的栅极与控制信号正极和电阻R7A一端连接，MOS管Q2A的源极和电阻R7A另一端与高压控制电源U1负极连接，MOS管Q2A的漏极与线圈J3A另一端连接；MOS管开关S2B采用MOS管开关，包含MOS管Q2B和电阻R7B，MOS管Q2B的栅极与控制信号正极和电阻R7B一端连接，MOS管Q2B的源极和电阻R7B另一端与高压控制电源U1负极连接，MOS管Q2B的漏极与线圈J3B另一端连接；
高压控制电源U1>100V, 高压控制电源U1通过二极管D2对储能电容C1充电，直到充满，驱动MOS管S2A导通，则储能电容C1则对磁保持继电器的合闸线圈J3A放电，完成磁保持继电器的合闸，驱动MOS管S2B导通，则储能电容C1则对磁保持继电器的分闸线圈J3B放电，完成磁保持继电器的分闸；
控制电源U1>100V，高压控制电源U1为交流电源，正半波时，高压控制电源U1通过二极管D2对储能电容C1充电，负半波时，D2截止，储能电容C1上的电量保留，当储能电容C1充满电后，驱动MOS管S2A导通，储能电容C1对线圈J3A放电，导通2-4毫秒后，驱动继电器动作到位，此时关断MOS管S2A，完成一次合闸动作过程，然后高压控制电源U1再次通过二极管D2对储能电容C1开始充电，直到充满，此时可以驱动MOS管S2B导通，储能电容C1对线圈J3B放电，导通2-4毫秒后，驱动继电器动作到位，此时关断MOS管S2B，完成一次分闸动作过程，然后高压控制电源U1再次通过二极管D2对储能电容C1开始充电，直到充满。
8.按照权利要求1所述的一种单双线圈磁保持继电器驱动方法，其特征在于：
保持继电器为双线圈磁保持继电器，双线圈磁保持继电器驱动电路包含二极管D2、储能电容C1、线圈J3A、线圈J3B、开关S2A和开关S2B，高压控制电源U1正极与二极管D2阳极连接，二极管D2阴极与储能电容C1正极、线圈J3A一端、线圈J3B一端连接，线圈J3A另一端与开关S2A一端连接，线圈J3B另一端与开关S2B一端连接，储能电容C1负极、开关S2A另一端和开关S2B另一端与高压控制电源U1负极连接；
MOS管开关S2A包含MOS管Q2A和电阻R7A，MOS管Q2A的栅极与控制信号正极和电阻R7A一端连接，MOS管Q2A的源极和电阻R7A另一端与高压控制电源U1负极连接，MOS管Q2A的漏极与线圈J3A另一端连接；MOS管开关S2B采用MOS管开关，包含MOS管Q2B和电阻R7B，MOS管Q2B的栅极与控制信号正极和电阻R7B一端连接，MOS管Q2B的源极和电阻R7B另一端与高压控制电源U1负极连接，MOS管Q2B的漏极与线圈J3B另一端连接；
高压控制电源U1>100V,驱动MOS管S2A导通，则高压控制电源U1对磁保持继电器的合闸线圈J3A放电，完成磁保持继电器的合闸，驱动MOS管S2B导通，则高压控制电源U1对磁保持继电器的分闸线圈J3B放电，完成磁保持继电器的分闸；
控制电源U1>100V，高压控制电源U1为直流电源，驱动MOS管S2A导通，高压直流电源U1对线圈J3A放电，导通2-4毫秒后，待磁保持继电器触点闭合后关断MOS管S2A，完成一次合闸动作过程，驱动MOS管S2B导通，高压直流电源U1对线圈J3B放电，导通2-4毫秒后，待磁保持继电器触点分开后关断MOS管S2B，完成一次分闸动作过程。
9.按照权利要求6或7或8所述的一种单双线圈磁保持继电器驱动方法，其特征在于：所述双线圈磁保持继电器驱动电路还包含稳压管D1和电阻R1，稳压管D1阴极与二极管D2阳极和电阻R1一端连接，稳压管D1阳极与高压控制电源U1负极连接，电阻R1另一端与高压控制电源U1正极连接。