一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长方法与流程

本发明涉及半导体外延工艺的技术领域，更具体地，涉及一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长方法。

背景技术：

选择区域生长（SAG）技术在半导体外延生长和器件制造领域都有着广泛的应用。在半导体外延生长方面，可利用SAG技术实现侧向外延，降低贯穿至材料表面的位错密度而控制晶体质量。在半导体器件制造方面，SAG技术可用于平面工艺中特殊结构的制备，比如HBT的基极或发射极、AlGaN/GaN HFET中的n型高掺欧姆接触区和p-n结型HFET中的p-GaN层等等。另外，一些半导体微纳结构，如量子井，量子点也会涉及到选择区域外延。

2011年，Yuhua Wen等人还提出了一种基于选择区域外延方法的凹槽栅增强型器件的实现方法（Applied Physics Letters, Vol.98, p072108, 2011），避免了等离子体刻蚀制备凹槽对器件有源区的损伤，有助于增加器件的可靠性和稳定性。选择区域外延一般需要在衬底材料上通过掩膜层图形化来选择需要生长的区域，但是这种掩膜工艺过程会引入生长界面问题。首先，选择区域外延的材料和衬底上原有的材料间存在不可避免的生长界面，GaN材料表面的本征氧化物及吸附的杂质会引入缺陷态，同时一次生长完成的衬底材料表面存在大量悬挂键及存在表面重构的现象。与SAG技术在其他方面的应用对比，用于生长异质结构AlGaN/GaN势垒层的挑战性更大。因为：（1）选择区域外延层厚度在几十个纳米左右，导电沟道在生长界面附近，容易受到界面处非理想因素的影响。（2）选择区域外延层随着应力释放极易形成层岛生长模式，将直接影响到晶体质量以及异质结界面处的2DEG浓度和迁移率。因此有必要寻求一种选择区域生长界面保护方法，以克服传统工艺中的缺点。

技术实现要素：

本发明为克服上述现有技术所述的至少一种缺陷，提供一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长方法，是一种选择区域外延AlGaN/GaN异质结构质量的改善方法。该结构可以用于制备凹栅常关型GaN基器件，改善器件的导通特性以及关态漏电。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：在选择区域外延GaN沟道层时引入TMIn辅助生长，由于选择区域生长界面的非理想因素存在导致选择区域外延层，易形成层岛生长模式，同时衍生出缺陷。直接影响到晶体质量以及异质结界面处的2DEG浓度和迁移率。TMIn有表面活化的作用，能辅助金属源迁移，使原子均匀分布，减少缺陷，改善界面性能和选择区域外延层材料的晶体质量。具体包含以下步骤：

S1. 提供一种衬底；

S2. 在衬底（1）上生长应力缓冲层；

S3. 在应力缓冲层上生长GaN缓冲层；

S4. 在GaN缓冲层上沉积一层SiO₂，作为掩膜层；

S5. 去除需要选区外延区域的掩膜层, 实现对掩膜层的图形化；

S6. 在未被掩蔽的区域沉积TMIn源辅助生长的GaN沟道层；

S7. 在GaN沟道层上沉积AlN层；

S8. 在AlN层上沉积AlGaN势垒层；

S9. 刻蚀去除掩膜层。

具体的，所述的步骤S6中，在选择区域外延GaN沟道层时引入TMIn源辅助生长。TMIn有表面活化的作用，能辅助金属源迁移，使原子均匀分布，减少缺陷，改善界面性能，同时提高选择区域外延GaN晶体质量。

所述的衬底为 Si 衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底、GaN自支撑衬底中的任一种。所述的应力缓冲层为AlN、AlGaN、GaN的任一种或组合；应力缓冲层厚度为10 nm～10 μm。所述的GaN缓冲层为非故意掺杂的GaN外延层或掺杂的高阻GaN外延层，所述掺杂高阻层的掺杂元素为碳、铁或镁；GaN缓冲层厚度为100 nm~10 μm。所述的TMIn源辅助生长的GaN沟道层厚度为1nm~500 nm。所述的AlN层中，厚度为0-10 nm。所述的AlGaN势垒层，厚度为5-50 nm，且铝组分可变化；所述的AlGaN势垒层材料还可以为AlInN、AlInGaN、AlN中的一种或任意几种的组合。

所述的步骤S2中的应力缓冲层、步骤S3中的GaN缓冲层、步骤S6中的GaN沟道层、步骤S7中的AlN插入层及步骤S8中的AlGaN势垒层的生长方法为金属有机化学气相沉积法、分子束外延法等高质量成膜方法；所述步骤S4中掩膜层的生长方法为等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法、物理气相沉积法或磁控溅射法。

在步骤S1中的衬底可以是单一成分的衬底或具有不同成分的多层外延层。

在步骤S2中，应力缓冲层为金属有机化学气相沉积法或分子束外延法生长。

在步骤S3中，GaN缓冲层为金属有机化学气相沉积法或分子束外延法生长。

在步骤S4中，所述掩膜层是通过等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积。

或物理气相沉积或者磁控溅镀法形成。优选地，在步骤S4中所述介质层可以为SiO₂、SiNx、Al₂O₃、HfO₂、MgO、Sc₂O₃、AlHfOx、HfSiON中的任一种。

在步骤S5中，所述光刻胶为正性或负性光刻胶。

在步骤S6-S7中所述选择区域外延层为金属有机化学气相沉积法或分子束外延法生长。

与现有技术相比，有益效果是：本发明提供一种选择区域外延AlGaN/GaN异质结的生长界面改善方法。与传统选择区域外延相比的有益效果是：由于TMIn有表面活化的作用，能辅助金属源迁移，使原子均匀分布。这样能获得相对更低的位错密度及更平整的材料表面，进而提高GaN沟道层和AlGaN势垒层的晶体质量。该结构可以用于制备凹栅常关型GaN基器件，改善选择区域外延的界面问题并提高器件性能。

附图说明

图1-8为本发明实施例的制作方法工艺示意图。

具体实施方式

附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。附图中描述位置关系仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制。

实施例1

如图8所示为本实施例的选择区域外延结构示意图，其结构由下往上依次包括衬底（1），应力缓冲层（2），GaN沟道层（3），AlN插入层（4），AlGaN势垒层（5）。上述选择区域外延结构的制作方法如图1-图8所示，包括以下步骤：

1)提供一种衬底（1）；如图1所示。

2)在衬底（1）上生长应力缓冲层（2）；如图2所示。

3)在应力缓冲层上生长GaN沟道层（3）；如图3所示。

4)在GaN沟道层（3）上沉积一层SiO₂，作为掩膜层（7）；。如图4所示。

5)去除需要选区外延区域的掩膜层,实现对掩膜层的图形化。如图5所示。

6)在未被掩蔽的区域沉积TMIn辅助生长的GaN沟道层（4）。如图6所示。

7)在GaN沟道层（4）上沉积AlN层（5）。

8)在AlN层（5）上沉积AlGaN势垒层（6），

9)刻蚀去掉掩膜层。如图8所示。

至此，完成了整个选择区域外延材料的制备过程。图8即为实施例1的材料结构示意图。

实施例2

如图8所示为本实施例的选择区域外延结构示意图，其结构由下往上依次包括衬底（1），应力缓冲层（2），GaN沟道层（3），AlN插入层（4），AlGaN势垒层（5）。上述选择区域外延结构的制作方法如图1-图8所示，包括以下步骤：

1)提供一种衬底（1）；如图1所示。

2)在衬底（1）上生长应力缓冲层（2）；如图2所示。

3)在应力缓冲层上生长GaN沟道层（3）；如图3所示。

4)在GaN沟道层（3）上沉积一层SiO₂，作为掩膜层（7）；。如图4所示。

5)去除需要选区外延区域的掩膜层,实现对掩膜层的图形化。如图5所示。

6)在未被掩蔽的区域沉积TMIn辅助生长的GaN沟道层（4）。如图6所示。

7)在GaN沟道层（4）上沉积TMIn辅助生长的AlN层（5）。

8)在AlN层（5）上沉积TMIn辅助生长的AlGaN势垒层（6），

9)刻蚀去掉掩膜层。如图8所示。

至此，完成了整个选择区域外延材料的制备过程。图8即为实施例2的材料结构示意图。其优点是TMIn辅助原子扩散长度较小的Al原子扩散，提高AlGaN层晶体质量从而提升选择区域外延AlGaN/GaN异质结构输运特性。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。