1.一种硼掺杂氧化锌片层球/p-型PET-ITO异质结，其特征在于：包括：在PET-ITO柔性衬底的表面生长的氧化锌籽晶层以及在氧化锌籽晶层表面生长的纳米结构的硼掺杂的氧化锌片层球；所述的PET-ITO柔性衬底的表面是ITO层的上表面，ITO层的下表面与PET层接触；硼掺杂的氧化锌片层球为n型半导体，PET-ITO柔性衬底为p型半导体，硼掺杂的氧化锌片层球分布在PET-ITO柔性衬底的表面，形成n-p异质结结构。
2.权利要求1所述的硼掺杂氧化锌片层球/p-型PET-ITO异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)溅射籽晶层：在干净的PET-ITO柔性衬底上，利用离子溅射仪溅射一层氧化锌籽晶层，离子溅射仪的靶材为ZnO；
2)制备前驱体溶液：配制Zn(NO3)2·6H2O和C6H12N4的混合水溶液，再加入H3BO3，混合搅拌后得到前驱体溶液；前驱体溶液中Zn(NO3)2·6H2O、C6H12N4和H3BO3的摩尔比为1:1:(0.6～4)；
3)制备硼掺杂氧化锌：将镀有氧化锌籽晶层的PET-ITO柔性衬底放入前驱体溶液中，密封后放入恒温加热干燥箱中，在氧化锌籽晶层表面生长出纳米结构的硼掺杂的氧化锌片层球，然后降至室温，取出PET-ITO柔性衬底，即得到硼掺杂氧化锌片层球/p-型PET-ITO异质结。
3.根据权利要求2所述的硼掺杂氧化锌片层球/p-型PET-ITO异质结的制备方法，其特征在于：所述的PET-ITO柔性衬底在使用前先用无水乙醇和去离子水清洗干净，再在空气中晾干备用。
4.根据权利要求2所述的硼掺杂氧化锌片层球/p-型PET-ITO异质结的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中溅射时间为3～5min，溅射电流为6～10mA，压强为8～10Pa。
5.根据权利要求2所述的硼掺杂氧化锌片层球/p-型PET-ITO异质结的制备方法，其特征在于：所述步骤2)的前驱体溶液中Zn(NO3)2·6H2O的浓度为0.05mol/L，C6H12N4的浓度为0.05mol/L，H3BO3的浓度为0.03～0.2mol/L。
6.根据权利要求2所述的硼掺杂氧化锌片层球/p-型PET-ITO异质结的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中生长纳米结构的硼掺杂的氧化锌片层球时的温度为80～100℃、生长时间为4～6h。
7.权利要求1所述的硼掺杂氧化锌片层球/p-型PET-ITO异质结作为光催化剂在光催化降解水溶性偶氮染料方面的应用。
8.权利要求1所述的硼掺杂氧化锌片层球/p-型PET-ITO异质结作为n-p异质结二极管的应用。