一种OLED面板及其制作方法与流程

本申请涉及有机发光显示领域，尤其涉及一种防止电荷在相邻像素单元之间横向传播的OLED面板及其制作方法。

背景技术：

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示技术是当前主流的显示技术，由于其具有发光效率高、抗震性能好、厚度薄、反应速度快等优点，其一经面世后，就受到了极大的欢迎，目前，通过OLED显示技术而制成的OLED面板已经成为了诸如智能手机、电脑等设备的主流显示器件。

在实际应用中，OLED面板主要包含有玻璃基板110、薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)111、氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)阳极112、空穴注入层(Hole Inject Layer，HIL)113、空穴传输层(Hole Transporting Layer，HTL)114、有机发光层(Emitting Material Layer，EML)115、阴极(Cathode)116、封装层118以及各隔离柱117等构成，具体结构如图1所示。

图1为现有技术提供的OLED面板的结构示意图。

在图1中，玻璃基板110上设有阴极116，该阴极116在一定电压的作用下，可将电子(负载流子)传输到有机发光层EML115之中。相应的，ITO阳极112在一定电压的作用下，可在空穴注入层HIL113中形成空穴(正载流子)，并将该空穴通过位于空穴注入层HIL113之下的空穴传输层HTL114传输到有机发光层EML115中。电子和空穴在有机发光层EML115相遇后，将形成电子-空穴复合效应，使得该电子迁移至空穴中，从而使有机发光层EML115发光，其中，有机发光层EML115是通过隔离柱117相互隔开的。

然而，在现有技术中，由于空穴注入层HIL113以及空穴传输层HTL114通常都具有电荷横向传播较快的特点，这样一来，若想要使OLED面板中的一个像素单元上的有机发光层EML115发光，由于受空穴注入层HIL113以及空穴传输层HTL114中电荷的横向传播较快的影响，位于该像素单元中的空穴也将相应的传播到该像素单元相邻的像素单元中，换句话来说，虽然有机发光层EML115是以像素为单元通过隔离柱117相互隔开的，但是位于各有机发光层EML115上的空穴注入层HIL113或空穴传输层HTL114却是彼此相连的，因此，由于空穴注入层HIL113以及空穴传输层HTL114中电荷的横向传播较快，则该像素单元下的空穴注入层HIL113或空穴传输层HTL114中的空穴可相应的传播至与该像素单元相邻的像素单元下的空穴注入层HIL113或空穴传输层HTL114中，这就使得与该像素单元相邻的像素单元也将发出微光，进而降低了OLED面板的显示效果。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种OLED面板，用于解决现有技术中由于空穴注入层HIL以及空穴传输层HTL中电荷的传播较快而降低OLED面板显示效果的问题。

本发明实施例提供一种OLED面板，其包含有薄膜晶体管TFT211、阴极216、ITO阳极212、有机发光层EML215、空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214，所述OLED面板中包含的相邻像素单元的空穴注入层HIL213是相互隔离的，所述OLED面板中包含的相邻像素单元的空穴传输层HTL214是相互隔离的。

进一步的，所述OLED面板中包含的相邻像素单元的空穴注入层HIL213是通过隔离柱217相互隔离的；

所述OLED面板中包含的相邻像素单元的空穴传输层HTL214是通过隔离柱217相互隔离的。

进一步的，所述隔离柱217的纵切面为倒梯形结构。

进一步的，所述隔离柱217的材料为无机材料。

进一步的，所述隔离柱217的结构是通过反应离子刻蚀的方法刻蚀出的。

本发明实施例提供了一种OLED面板的制作方法，包括：

在薄膜晶体管TFT211上的待刻蚀层上刻蚀出各隔离柱217，形成以各隔离柱217划分的各像素单元；

在所述各像素单元上，蒸镀不同种类的膜层材料，使得在相邻像素单元蒸镀出的各空穴注入层HIL213通过所述隔离柱217相互隔离，以及在相邻像素单元蒸镀出的各空穴传输层HTL214通过所述隔离柱217相互隔离；

将蒸镀各膜层材料后的薄膜晶体管TFT211进行封装，得到OLED面板。

进一步的，所述不同种类的膜层材料包括阴极材料、阳极材料、有机发光材料、空穴注入层材料以及空穴传输层材料中的至少两种。

进一步的，在所述各像素单元上，蒸镀不同种类的膜层材料，具体包括：在所述各像素单元上，将阳极材料、空穴注入层材料、空穴传输层材料、有机发光材料、阴极材料依次进行蒸镀，其中，在相邻像素单元上蒸镀出的阴极216是彼此相连的。

进一步的，在薄膜晶体管TFT211上的待刻蚀层上刻蚀出各隔离柱217，具体包括：在薄膜晶体管TFT211上的待刻蚀层上，通过反应离子刻蚀的方法刻蚀出纵切面为倒梯形结构的各隔离柱217。

进一步的，所述待刻蚀层为无机材料的待刻蚀层。

本发明中，由于在制作OLED面板时，可将该OLED面板中包含的各隔离柱刻蚀成纵切面为倒梯形结构，这样，后续在将空穴注入层材料以及空穴传输层材料依次蒸镀在该OLED面板中的各像素单元时，该纵切面为倒梯形的隔离柱可将相邻像素单元中的空穴注入层相互隔离，同时也可将相邻像素单元中的空穴传输层相互隔离，这样，由于相邻像素单元的空穴注入层是相互隔离的，并且，相邻像素单元的空穴传输层也是相互隔离的，因此，当OLED面板中的一个像素单元进行发光时，该像素单元中的空穴将不会传播到相邻的像素单元中，相应的也就避免了相邻像素单元将会发出微光的现象，从而有效的提高了OLED面板的显示效果。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为现有技术提供的OLED器件的结构示意图；

图2为本发明提供的OLED面板的结构示意图；

图3为本发明提供的包含有纵切面下半部分为长方体、上半部分为倒梯形的隔离柱的OLED面板示意图；

图4为本发明提供的包含有有机材料隔离柱的OLED面板的示意图；

图5为本发明提供的一种OLED面板的制作过程。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

以下结合附图，详细说明本发明提供的技术方案。

图2为本发明提供的OLED面板的结构示意图。

图2中显示了OLED面板的主要部件，具体的，该OLED面板包含有薄膜晶体管TFT211、ITO阳极212、阴极216、有机发光层EML215、空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214、其中，该ITO阳极212是位于薄膜晶体管TFT211之上的，而空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214则依次位于OLED面板中的ITO阳极212之上，在空穴传输层HTL214和阴极216之间设有有机发光层EML215，使得该OLED面板可通过该有机发光层EML215发光。

需要说明的是，OLED面板通常还包含有其他的部件，例如，在实际应用中，薄膜晶体管TFT211的下面通常设有玻璃基板210，而在有机发光层EML215和阴极216之间通常还设有电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)以及电子注入层(Electron Inject Layer，EIL)，其中，电子传输层ETL和电子注入层EIL是依次设置在有机发光层EML215上的。而本发明意在解决由于空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214电荷的横向传输速度较快而降低OLED面板显示效果的问题，因此，下面将详细介绍本发明提供的OLED面板如何解决这一问题的。

在实际应用中，OLED面板中通常都包含有各个像素单元，这些像素单元中的有机发光材料(即有机发光层)在阴极、ITO阳极以及薄膜晶体管TFT的共同作用下，可向外发出光芒，而OLED面板的一大特点在于，每个像素单元都可独立进行发光，换句话说，OLED面板在进行发光时，并不要求该面板上所有像素单元的有机发光材料都进行发光，而是可根据所要达到的发光效果，控制个别的像素单元来进行发光。为了有效的区分OLED面板中的各个像素单元，当前，在制作OLED面板的过程中，通常都会在薄膜晶体管TFT上气相沉积出各个隔离柱，从而通过这些隔离柱，将OLED面板上的各像素单元进行有效的划分，其中，在薄膜晶体管TFT上形成的各隔离柱通常都是四棱台结构的。

虽然，现有技术中的各隔离柱能够有效的将OLED面板上的各像素单元进行区分，但是，在制作OLED面板的过程中，当需要将制作空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL的材料分别蒸镀在该像素单元上以形成空穴注入层HIL以及空穴传输层HTL时，由于隔离柱侧面与隔离柱的底面(下底面)所成的角度为锐角，因此，空穴注入层HIL以及空穴传输层HTL材料的蒸汽会更加容易的沿着隔离柱的侧面蒸镀在隔离柱的表面，进而会使相邻像素单元上的空穴注入层HIL以及空穴传输层HTL在隔离柱上相连，即，空穴注入层HIL以及空穴传输层HTL会在各像素单元上彼此相连。这样一来，由于空穴注入层HIL以及空穴传输层HTL中电荷的横向传输较快，因此，当想要控制OLED面板中的一个像素单元进行发光时，与该像素单元相邻的像素单元也将由于具有电荷而发出微光，从而降低了OLED面板的显示效果。

为了有效的避免上述问题的发生，在本发明中，OLED面板中的相邻像素单元的空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214可以通过各隔离柱217相互隔离，其中，为了能够有效的将相邻像素单元的空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214隔离，隔离柱217可以是纵切面为倒梯形结构，如图2所示。在图2中可以看出，隔离柱217纵切面成倒梯形结构，隔离柱217的侧面与隔离柱217的底面(上底面)成钝角，这样一来，当需要将空穴注入层HIL以及空穴传输层HTL的材料分别蒸镀在各像素单元上以形成空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214时，空穴注入层HIL材料以及空穴传输层HTL材料的热蒸汽将不易在隔离柱217的表面上形成空穴注入层HIL213以及空穴传输层214HTL，即，由于隔离柱217纵切面成倒梯形结构，因此，在蒸镀空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214时，原本会在隔离柱217表面形成的空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214会在隔离柱217的侧面断开，这样一来，相邻间的各像素单元中的空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214也将不能连接到一起，进而，当想要控制一个像素单元的有机发光材料发光时，能够使该像素单元中有机发光材料发光的电荷将不会通过空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214传输到相邻像素单元中，从而也将不会使相邻像素单元的有机发光材料发出微光，从而有效的保证了OLED面板的显示效果。

除了上述说明的纵切面为倒梯形结构的隔离柱外，在本申请实施例中，也可采用纵切面结构为下半部分为长方体、上半部分为倒梯形的隔离柱，如图3所示。

图3为本申请实施例提供的包含有纵切面下端为长方体、上端为倒梯形的隔离柱的OLED面板示意图。

在图3中，各隔离柱可以分为两个部分，其中，纵切面虚线处的下半部分为长方体、虚线处的上半部分为倒梯形结构，这两部分组成了图3中所示的隔离柱。由于图3所示的隔离柱纵切面的上半部分也具有倒梯形的结构，因此，当需要将空穴注入层HIL以及空穴传输层HTL的材料分别蒸镀在各像素单元上以形成空穴注入层HIL313以及空穴传输层HTL314时，空穴注入层HIL313以及空穴传输层HTL314将会在隔离柱317上半部分的侧面断开，从而有效的防止了电荷在相邻像素单元之间横向传输的现象发生。

需要说明的是，除了上述两种结构的隔离柱外，在本申请实施例中也可采用纵切面为其他结构的隔离柱，只需满足整个隔离柱纵切面在结构上上宽下窄即可，所以，其他结构的隔离柱在此就不进行一一举例说明了。

在本发明中，图2所示OLED面板中的隔离柱217以及图3所示的OLED面板中的隔离柱317的材料可以是无机材料，选取无机材料来制作隔离柱的目的在于，在实际应用中，若选用有机材料来制止各隔离柱，则制作出的隔离柱的尺寸将会偏大，进而可能会影响OLED面板的发光，如图4所示。

图4为本发明提供的包含有有机材料隔离柱的OLED面板的示意图。

在图4中，各隔离柱417是采用有机材料制成的，通过有机材料制出的隔离柱417的厚度通常在1um左右，而由于OLED面板的尺寸需要，OLED面板的总厚度通常在200nm左右，因此，若采用有机材料来制作OLED面板中的各隔离柱，则制出隔离柱417会显著的增加OLED面板的厚度，从而降低了OLED面板的使用性。不仅如此，由于采用有机材料而制成的各隔离柱417尺寸较大，因此，在OLED面板中的像素单元蒸镀阴极416时，蒸镀出的阴极416会在各隔离柱417的侧面断开，而实际应用中，为了能使OLED面板能够正常的发光，通常需要各像素单元中的阴极是彼此相连的，这样一来，由于各像素单元中的阴极416在各隔离柱417的侧面彼此断开，进而，断开的阴极416将会影响OLED面板的正常发光，从而降低了OLED面板的良品率。

因此，为了能够使各隔离柱可以将空穴注入层HIL以及空穴传输层HTL有效的隔离，并且，不对OLED面板的发光造成影响，在本发明中，隔离柱的制作材料可以采用无机材料，如，硅基氧化物SiO_x、硅基氮化物SiN_x、三氧化二铝Al₂O₃等材料。通过无机材料制成的各隔离柱在尺寸上小于OLED面板的厚度，使得制成的OLED面板可符合OLED面板的规定尺寸，并且，采用无机材料而制成的各隔离柱在将相邻像素单元之间的空穴注入层HIL以及空穴传输层HTL有效隔离外，还可保证蒸镀在各像素单元中的阴极能够彼此相连，继而在不影响OLED面板正常发光的同时，可显著的提高OLED面板的显示效果。

在本发明中，图2所示的OLED面板中的各隔离柱217可通过反应离子刻蚀的方法刻蚀出来，即，在薄膜晶体管TFT211上形成各隔离柱217后，将通过反应离子刻蚀的方法对各隔离柱217的侧面进行刻蚀，从而使各隔离柱217的侧面形成如图2所示的表面。当然，也可在薄膜晶体管TFT211上先制出一个无机材料的待刻蚀层后，使用反应离子刻蚀的方法对整个待刻蚀层进行刻蚀，将各隔离柱217之间的部分刻蚀掉，并将各隔离柱217的侧面刻蚀成如图2所示的表面，进而得到纵切面为倒梯形结构的各隔离柱217。当然，OLED面板中的各隔离柱217也可采用其他的方法制成，在此不做进一步的限定。而图3所示的OLED面板中的隔离柱317制作方法与图2中的隔离柱217的制作方法相同，在此就不进行详细赘述了。

另外，本发明还针对上述隔离柱而提供了一种OLED面板的制作方法，如图5所示。

图5为本发明提供的一种OLED面板的制作过程，具体包括以下步骤：

S501：在薄膜晶体管TFT(211)上的待刻蚀层上刻蚀出各隔离柱(217)，形成以各隔离柱(217)划分的各像素单元，其中，所述梯形的上底朝下。

在制作OLED面板的过程中，可在先在薄膜晶体管TFT211上制出一个待刻蚀层，具体可通过气相沉积法，将无机材料的蒸汽沉积在薄膜晶体管TFT211上，从而形成一个完成的待刻蚀层。而后，可采用反应离子刻蚀的方法，将待刻蚀层进行刻蚀，以得到各隔离柱217，其中，各隔离柱217之间的部分是通过刻蚀的方法刻蚀掉的。当然，在本发明中，也可将制作各隔离柱217的无机材料通过气相沉积的方法分别沉积到薄膜晶体管TFT211上，进而形成未刻蚀的各隔离柱217，而后，可通过反应离子刻蚀的方法将各隔离柱217的侧面进行刻蚀，以得到纵切面为倒梯形结构的各隔离柱217。

S502：在所述各像素单元上，蒸镀不同种类的膜层材料，使得在相邻像素单元蒸镀出的各空穴注入层HIL(213)通过所述隔离柱(217)相互隔离，以及在相邻像素单元蒸镀出的各空穴传输层HTL(214)通过所述隔离柱(217)相互隔离。

在得到各隔离柱217后，可将不同种类的膜层材料蒸镀在通过各隔离柱217而划分的各像素单元中，其中，不同种类的膜层材料包括阴极材料、阳极材料、有机发光材料、空穴注入层材料、空穴传输层材料中的至少两种材料，在制作OLED面板的过程中，可将阳极材料、空穴注入层材料、空穴传输层、有机发光材料、阴极材料依次蒸镀在各像素单元中，以形成OLED面板中的各膜层，而蒸镀在像素单元中的空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214在各隔离柱217的影响下，将与相邻像素单元中的空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214彼此隔离，即，在蒸镀空穴注入层HIL213以及空穴传输层HTL214时，纵切面为倒梯形结构的各隔离柱217可将相邻像素单元中的空穴注入层HIL213有效的隔离开来，并且，各隔离柱217也可将相邻像素单元中的空穴传输层HTL214有效的隔离开来，因此，当需要控制一个像素单元中的有机发光材料发光时，在该像素单元中的电荷(即空穴、正载流子)将不会通过空穴注入层HIL213或是空穴传输层HTL214传输到相邻像素单元中，从而将不会使相邻像素单元产生微光，进而有效的提高了OLED面板的显示效果。与此同时，由于各隔离柱217是由无机材料制成的，因此，各隔离柱217在可有效隔离相邻像素单元中的空穴注入层HIL213或是空穴传输层HTL214的同时，也将不会使蒸镀得到的阴极216在各隔离柱217的表面上出现断裂，即，蒸镀得到的阴极216在各像素单元中都是彼此相连的，从而，本发明中的各隔离柱217也将不会影响到OLED面板的正常发光。

S503：将蒸镀各膜层材料后的薄膜晶体管TFT(211)进行封装，得到OLED面板。

在各像素单元中蒸镀不同膜层材料而形成各膜层后，可将蒸镀各膜层材料后的薄膜晶体管TFT211进行封装，进而得到OLED面板。

需要说明的是，除了上述提到的这几种膜层材料外，还可包含制作电子传输层ETL、电子注入层EIL、玻璃基板210的材料，而制作电子传输层ETL、电子注入层EIL、玻璃基板210的方法及步骤与现有技术基本相同，在此就不进行详细说明了。

从上述方法中可以看出，由于在制作OLED面板时，可将该OLED面板中包含的各隔离柱刻蚀成纵切面为倒梯形结构，这样，后续在将空穴注入层材料以及空穴传输层材料依次蒸镀在该OLED面板中的各像素单元时，该纵切面为倒梯形的隔离柱可将相邻像素单元中的空穴注入层相互隔离，同时也可将相邻像素单元中的空穴传输层相互隔离，这样，由于相邻像素单元的空穴注入层是相互隔离的，并且，相邻像素单元的空穴传输层也是相互隔离的，因此，当OLED面板中的一个像素单元进行发光时，该像素单元中的空穴将不会传播到相邻的像素单元中，相应的也就避免了相邻像素单元将会发出微光的现象，从而有效的提高了OLED面板的显示效果。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。