技术特征：
技术总结
本发明提供了一种微波退火制备3D NAND的方法，包括：在半导体衬底上形成多层层叠结构，所述层叠结构依次包括第一材料层与第二材料层；刻蚀所述层叠结构形成通孔，暴露出所述半导体衬底；在所述通孔的侧壁上形成非晶硅；对所述非晶硅进行微波退火，使所述非晶硅转换为多晶硅；在通孔的侧壁上形成非晶硅之后，对所述非晶硅进行微波退火，使所述非晶硅转换为多晶硅，提高了多晶硅的晶化质量，进而提高了半导体器件的性能。
技术研发人员：三重野文健
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：2016.09.22
技术公布日：2018.03.30