1.一种(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法，其特征是采用一步溶剂热法并添加表面活性剂聚乙二醇，制备出以(101)晶面为裸露表面的SnS2纳米片；具体工艺步骤为：
(1)将一定摩尔比的锡盐溶解于一定量溶剂中，搅拌均匀形成澄清溶液，锡盐的浓度控制在1×10-4～3×10-2mol L-1；选用有机硫源加入澄清溶液中，不断搅拌使有机硫源完全溶解；再加入表面活性剂聚乙二醇搅拌均匀，有机硫源浓度控制在4×10-4～4×10-1mol L-1，表面活性剂聚乙二醇浓度控制在2×10-3～5×10-1mol L-1；
(2)将步骤(1)中得到的溶液倒入带有聚四氟乙烯内衬的水热釜中，于恒温箱内一定温度下反应一定时间。
2.根据权利要求1所述的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述的锡盐为硝酸锡、氯化锡、硫酸锡或其结晶水化合物。
3.根据权利要求1所述的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述的溶剂为去离子水、无水乙醇、丙醇、甲醇中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述的有机硫源是乙硫醇、丙烯硫醇、硫脲、L-半胱氨酸。
5.根据权利要求1所述的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述的聚乙二醇是聚乙二醇200、聚乙二醇2000、聚乙二醇6000、聚乙二醇12000中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中恒温箱的温度为120～240℃。
7.根据权利要求1所述的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中反应的时间为10～40h。