1.一种发光二极管晶圆的形成方法，其特征在于，包括：
提供生长衬底；
在所述生长衬底上形成多个管芯，所述管芯包括第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型不同；
在所述管芯上形成导电层，所述导电层与所述第一半导体层电连接，所述导电层与所述管芯用于形成管芯结构；
提供操作衬底，包括功能面以及与所述功能面相对的底面；
使所述导电层与所述功能面相对贴合；
去除所述生长衬底，露出所述多个管芯结构，且管芯结构之间具有切割道；
在切割道相交位置处形成贯穿所述操作衬底的第一通孔；
在第一通孔露出的所述导电层表面形成隔离层；
形成位于所述操作衬底的底面上的第一电极层，所述第一电极层与所述导电层电连接；
在第一通孔侧壁上形成导电材料，以形成第二电极层，所述第二电极层位于所述操作衬底底面且与所述第二半导体层电连接。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一通孔的步骤包括：通过激光打孔或刻蚀的方式形成所述第一通孔。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成第二电极层的步骤中，所述导电材料保形覆盖所述第一通孔侧壁；或者，所述导电材料填充所述第一通孔。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供操作衬底的步骤中，所述操作衬底为绝缘衬底；
去除所述生长衬底之后，形成第一电极层之前，所述形成方法还包括：在切割道相交位置处形成贯穿所述操作衬底的第二通孔；
形成隔离层的步骤中，所述隔离层还覆盖所述第一通孔露出的所述管芯侧壁；
形成导电材料的步骤中，所述导电材料还覆盖所述第二通孔侧壁且与所述导电层相接触，以形成第一电极层；
形成第二电极层的步骤中，所述导电材料与所述第一通孔露出的操作衬底表面相接触。
5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，提供操作衬底的步骤中，所述操作衬底的材料为：氧化钛、氧化硅、聚合物、玻璃、氮化铝、氧化铝、氧化锆、氮化硅、YAG系列陶瓷、氧化硼、氮化硼或氧化钹。
6.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二通孔的步骤包括：通过激光打孔或刻蚀的方式形成所述第二通孔。
7.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成第一电极层的步骤中，所述导电材料保形覆盖所述第二通孔侧壁；或者，所述导电材料填充所述第二通孔。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供操作衬底的步骤中，所述操作衬底为导电衬底；
形成隔离层的步骤中，所述隔离层还覆盖所述第一通孔露出的所述操作衬底表面；
形成第一电极层的步骤中，所述第一电极层与所述操作衬底底面电连接；
形成第二电极层的步骤中，所述导电材料覆盖所述第一通孔内的隔离层表面。
9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，提供操作衬底的步骤中，所述操作衬底的材料为：Si、锗、碳化硅、铜、钨、钼、钨铜合金或钼铜合金。
10.如权利要求1、4或8所述的形成方法，其特征在于，形成导电材料的步骤包括：通过化学气相沉积、物理气相沉积或者原子层沉积的方法形成所述第一电极层和所述第二电极层。
11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述导电层的步骤中，所述导电层的材料包括：Cr、Pt、Au、TiW、Ti、Ni、Cu、Ag、Al、W、氧化锌或ITO中的一种或多种。
12.一种发光二极管晶圆，其特征在于，包括：
操作衬底；
位于所述操作衬底上的多个管芯结构以及位于管芯结构之间的切割道，所述管芯结构包括导电层以及位于所述导电层上的管芯，所述管芯包括第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型不同，所述导电层与所述第一半导体层电连接；
位于切割道相交位置处贯穿所述操作衬底的多个第一通孔；
位于所述操作衬底底面的第一电极层，与所述导电层电连接；
位于所述第一通孔内和所述操作衬底底面的第二电极层，与所述第二半导体层电连接，所述第二电极层与所述导电层之间设置有隔离层。
13.如权利要求12所述的发光二极管晶圆，其特征在于，所述第二电极层保形覆盖所述隔离层露出的第一通孔侧壁；或者，所述第二电极层填充所述第一通孔。
14.如权利要求12所述的发光二极管晶圆，其特征在于，所述操作衬底为绝缘衬底；
所述发光二极管晶圆还包括：位于切割道相交位置处贯穿所述操作衬底的多个第二通孔；
所述第一电极层还位于所述第二通孔内且与所述导电层相接触；
所述第二电极层与第一通孔露出的操作衬底表面相接触；
所述隔离层还位于所述第二电极层与所述管芯之间。
15.如权利要求14所述的发光二极管晶圆，其特征在于，所述操作衬底的材料为：氧化钛、氧化硅、聚合物、玻璃、氮化铝、氧化铝、氧化锆、氮化硅、YAG系列陶瓷、氧化硼、氮化硼或氧化钹。
16.如权利要求14所述的发光二极管晶圆，其特征在于，所述第一电极层保形覆盖所述第二通孔侧壁；或者，所述第一电极层填充所述第二通孔。
17.如权利要求12所述的发光二极管晶圆，其特征在于，所述操作衬底为导电衬底；
所述隔离层还覆盖所述第一通孔露出的所述操作衬底表面；
所述第一电极层与所述操作衬底底面电连接；
所述第二电极层覆盖所述第一通孔内的隔离层表面。
18.如权利要求17所述的发光二极管晶圆，其特征在于，所述操作衬底的材料为：Si、锗、碳化硅、铜、钨、钼、钨铜合金或钼铜合金。
19.如权利要求12所述的发光二极管晶圆，其特征在于，所述导电层的材料包括：Cr、Pt、Au、TiW、Ti、Ni、Cu、Ag、Al、W、氧化锌或ITO中的一种或多种。