技术总结
本发明公开了一种非晶碳膜的形成方法以及微机电系统器件的制作方法，所述非晶碳膜的形成方法包括：提供一基底；在所述基底上沉积一非晶碳膜；对所述非晶碳膜进行一热处理工艺。本发明通过对所述非晶碳膜进行一热处理工艺，能够完全去除所述非晶碳膜表面的水汽，同时使所述非晶碳膜的材质更加致密，所述微机电系统器件的制作方法采用所述非晶碳膜作为牺牲层，增强后续后层结构与所述非晶碳膜之间的粘合性，防止后层结构的滑动或脱落，从而提高相应器件的性能。
技术研发人员：吴建荣;叶滋婧
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201610885979
技术研发日：2016.10.10
技术公布日：2017.02.15